NEC MC-4516CA727EF-A75, MC-4516CA727PF-A75 Datasheet

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516CA727

16M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

★

Description

The MC-4516CA727EF and MC-4516CA727PF are 16,777,216 words by 72 bits synchronous dynamic RAM
module on which 9 pieces of 128M SDRAM: µPD45128841 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface­mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 72 bits organization (ECC Type)

• Clock frequency and access time from CLK

Part number /CAS latency Clock frequency Access time from CLK

(MAX.) (MAX.)

MC-4516CA727EF-A75 CL = 3 133 MHz

★

MC-4516CA727PF-A75 CL = 3 133 MHz

★

★

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

★

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

CL = 2 100 MHz

CL = 2 100 MHz

5.4 ns

6.0 ns

5.4 ns

6.0 ns

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
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Document No. M14409EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published January 2000 NS CP(K)
Printed in Japan

The mark

••••

shows major revised points.

©

1999

Ordering Information

MC-4516CA727

Part number Clock frequency

(MAX.)

MC-4516CA727EF-A75 133 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module 9 pieces of µPD45128841G5 (Rev. E)

(Socket Type) (10.16 mm (400) TSOP (II))

MC-4516CA727PF-A75 Edge connector : Gold plated 9 pieces of µPD45128841G5 (Rev. P)

★

34.93 mm height (10.16 mm (400) TSOP (II))

Package Mounted devices

2

Data Sheet M14409EJ2V0DS00

Pin Configuration

★

168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)

MC-4516CA727

100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124

125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168

85
86
87
88
89
90
91
92
93
94

95
96
97
98
99

SS

V
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39

DQ40

SS

V
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45

Vcc
DQ46
DQ47
CB4

CB5

SS

V

NC

NC

Vcc

/CAS

DQMB4

DQMB5

NC

/RAS

SS

V

A1

A3

A5

A7

A9

BA0

A11

Vcc

CLK1

NC

SS

V

CKE0

NC

DQMB6

DQMB7

NC

Vcc

NC

NC

CB6

CB7

SS

V

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

Vcc

DQ52

NC

NC

NC

SS

V

DQ53

DQ54

DQ55

SS

V

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

Vcc

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

SS

V

CLK3

NC

SA0

SA1

SA2

Vcc

(A13)

DQMB0
DQMB1

BA1

DQMB2
DQMB3

V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3

Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7

DQ8

V

DQ9

DQ10
DQ11
DQ12
DQ13

Vcc

DQ14
DQ15

CB0
CB1

V
NC
NC

Vcc

/WE

/CS0

NC
V

A10

(A12)

Vcc

Vcc

CLK0

V
NC

/CS2

NC

Vcc

NC

NC
CB2
CB3

V

DQ16
DQ17
DQ18
DQ19

Vcc

DQ20

NC

NC

NC

V

DQ21
DQ22
DQ23

V

DQ24
DQ25
DQ26
DQ27

Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31

V

CLK2

NC

WP

SDA

SCL

Vcc

SS

SS

SS

SS

A0
A2
A4
A6
A8

SS

SS

SS

SS

SS

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40

41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84

A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 – A9]
BA0

(A13),

BA1

(A12) : SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63,
CB0 - CB7 : Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3 : Clock Input
CKE0 : Clock Enable Input
/CS0, /CS2 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQMB0

-

DQMB7: DQ Mask Enable
SA0 - SA2 : Address Input for EEPROM
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD

CC

V

SS

V

: Power Supply

: Ground
WP : Write Protect
NC : No Connection

/xxx indica tes active low signal.

Data Sheet M14409EJ2V0DS00

3

Block Diagram

/WE

/CS0

DQMB0

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

MC-4516CA727

/CS2

DQMB2

/WE

/CS

D0

DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23

DQMD3/CS /WE

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQMB1

DQ 8

DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15

CB 0
CB 1
CB 2
CB 3
CB 4
CB 5
CB 6
CB 7

DQMB4

DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 4
DQ 7
DQ 0
DQ 2
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 1

DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

/CS

D1

DQM

/CS

D2

DQM /CS

D5

/WE

/WE

/WE

DQMB3

DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31

DQMB6

DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55

DQMB7

DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63

DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

DQM

DQM

/WE

/CS

D4

/WE

/CS

D7

/CS

/WE

D8

DQMB5

DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47

Remarks 1.

4

DQ 5
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

/WE

/CS

D6

CLK0

CLK2

CLK1, CLK3

V
V

CC

SS

The value of all resistors is 10 Ω except WP.

2.

D0 - D8:

µ

PD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)

Data Sheet M14409EJ2V0DS00

CLK : D0, D1, D2, D5, D6

CLK : D3, D4, D7, D8

3.3 pF

10 pF

D0 - D8

C

D0 - D8

SCL

A0 - A11

BA0

BA1

/RAS

/CAS

CKE0

SERIAL PD

A0

SA1 SA2

SA0

A1 A2

A0 - A11 : D0 - D8

A13 : D0 - D8

A12 : D0 - D8
/RAS : D0 - D8

/CAS : D0 - D8

CKE : D0 - D8

SDA
WP

47 kΩ

MC-4516CA727

Electrical Specifications

• All voltages are referenced to VSS (GND).

µ

• After power up, wait more than 100

device operation is achieved.

Absolute Maximum Ratings

Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND V
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output c urrent I
Power dissipation P
Operating ambient tem perature T
Storage temperature T

Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause

permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.

s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper

CC

T

O

D

A

stg

–0.5 to +4.6 V
–0.5 to +4.6 V

50 mA

9W

0 to 70

–55 to +125

C

°

C

°

Recommended Operating Conditions

Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage V
High level input voltage V
Low level input voltage V
Operating ambient tem perature T

Capacitance (TA = 25

C, f = 1 MHz)

°°°°

Parameter Symbol Test condition MIN. TYP . MAX. Unit
Input capacitance C

Data input/output capaci t ance C

CC

IH

IL

A

I1

I2

C

I3

C

I4

C

I5

C

I/O

3.0 3.3 3.6 V

2.0 VCC + 0.3 V

0.3 +0.8 V

−

A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12), /RAS,

070

40 66 pF

°

/CAS, /WE
CLK0, CLK2 24 40
CKE0 34 56
/CS0, /CS2 17 33
DQMB0 - DQMB7 7 17
DQ0 - DQ63, CB0 - CB7 7 13 pF

C

Data Sheet M14409EJ2V0DS00

5