MOTOROLA MC74HC390AFR1, MC74HC390AFL1, MC74HC390ADTEL, MC74HC390ADTR2, MC74HC390AF Datasheet

...
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev. 2
1 Publication Order Number:
MC74HC390A/D
MC74HC390A
Dual 4-Stage Binary Ripple Counter with
÷
÷
5
Sections
High–Performance Silicon–Gate CMOS
The MC74HC390A is identical in pinout to the LS390. The device inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
This device consists of two independent 4–bit counters, each composed of a divide–by–two and a divide–by–five section. The divide–by–two and divide–by–five counters have separate clock inputs, and can be cascaded to implement various combinations of ÷ 2 and/or ÷ 5 up to a ÷ 100 counter.
Flip–flops internal to the counters are triggered by high–to–low transitions of the clock input. A separate, asynchronous reset is provided for each 4–bit counter. State changes of the Q outputs do not occur simultaneously because of internal ripple delays. Therefore, decoded output signals are subject to decoding spikes and should not be used as clocks or strobes except when gated with the Clock of the HC390A.
Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
Operating Voltage Range: 2 to 6 V
Low Input Current: 1 µA
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No 7A
Chip Complexity: 244 FETs or 61 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
1, 15
4, 12
2, 14
3, 13
5, 11 6, 10
7, 9
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
CLOCK A
RESET
CLOCK B
÷ 2
COUNTER
÷ 5
COUNTER
FUNCTION TABLE
Clock
A B Reset Action
X X H Reset
÷ 2 and ÷ 5
X L Increment
÷ 2
X L Increment
÷ 5
SO–16
D SUFFIX
CASE 751B
http://onsemi.com
TSSOP–16 DT SUFFIX CASE 948F
1
16
PDIP–16 N SUFFIX CASE 648
1
16
1
16
MARKING
DIAGRAMS
1
16
MC74HC390AN
AWLYYWW
1
16
HC390A
AWLYWW
A = Assembly Location WL = Wafer Lot YY = Year WW = Work Week
HC
390A
ALYW
1
16
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MC74HC390AN PDIP–16 2000 / Box MC74HC390AD SOIC–16
48 / Rail MC74HC390ADR2 SOIC–16 2500 / Reel MC74HC390ADT TSSOP–16 96 / Rail MC74HC390ADTR2 TSSOP–16
2500 / Reel
PIN ASSIGNMENT
13
14
15
16
9
10
11
125
4
3
2
1
8
7
6
CLOCK B
b
Q
Ab
RESET b
CLOCK A
b
V
CC
Q
Db
Q
Cb
Q
Bb
CLOCK B
a
Q
Aa
RESET a
CLOCK A
a
GND
Q
Da
Q
Ca
Q
Ba
MC74HC390A
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 25
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 50
mA
ÎÎ
Î
P
D
ОООООООООООО
Î
Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†
SOIC Package†
TSSOP Package†
ÎÎÎ
Î
750 500 450
Î
Î
mW
T
stg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_
C
ÎÎ
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package
ÎÎÎ
Î
260
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
ÎÎ
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
ÎÎ
6.0
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
ÎÎ
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
ÎÎ
+ 125
_
C
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
tr, t
f
ООООООООООООО
Î
ООООООООООООО
Î
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
(Figure 1) VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V
Î
Î
Î
Î
0 0 0 0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
1000
600 500 400
Î
Î
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООО
Î
Parameter
ООООООО
Î
Test Conditions
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input Voltage
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
2.48
3.98
5.48
ÎÎÎ
Î
Î
Î
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
Î
2.20
3.70
5.20
Î
Î
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output Voltage
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.26
0.26
0.26
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
0.33
0.33
0.33
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.40
0.40
0.40
Î
Î
Î
Î
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance cir­cuit. For proper operation, Vin and V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.
MC74HC390A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Unit
Guaranteed Limit
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Unit
v
125_C
ÎÎÎ
v
85_C
– 55 to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
ÎÎ
Î
I
in
ООООООО
Î
Maximum Input Leakage Current
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
± 0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
± 1.0
ÎÎ
Î
± 1.0
Î
Î
µA
ÎÎ
Î
I
CC
ООООООО
Î
Maximum Quiescent Supply Current (per Package)
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND I
out
= 0 µA
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
40
ÎÎ
Î
160
Î
Î
µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input tf = tf = 6 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
Î
Symbol
ОООООООООООООО
Î
Parameter
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
f
max
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
10 15 30 50
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
9 14 28 45
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
8 12 25 40
Î
Î
Î
Î
MHz
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock A to QA
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
70 40 24 20
ÎÎÎ
Î
Î
Î
80 45 30 26
ÎÎ
Î
90 50 36 31
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock A to QC (QA connected to Clock B)
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
200 160
58 49
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
250 185
65 62
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
300 210
70 68
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock B to QB
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
70 40 26 22
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
80 45 33 28
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
90 50 39 33
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock B to QC
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
90 56 37 31
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
105
70 46 39
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
180 100
56 48
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock B to QD
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
70 40 26 22
ÎÎÎ
Î
Î
Î
80 45 33 28
ÎÎ
Î
90 50 39 33
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Reset to any Q
(Figures 2 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
80 48 30 26
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
95 65 38 33
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
110
75 44 39
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
TLH
,
t
THL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
75 27 15 13
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
95 32 19 15
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
110
36 22 19
Î
Î
Î
Î
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
10
ÎÎÎ
10
10
pF
1. For propagation delays with loads other than 50 pF , see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Counter)*
35
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Loading...
+ 5 hidden pages