MOTOROLA MC74HC138AF, MC74HC138AFEL, MC74HC138AD, MC74HC138ADR2, MC74HC138ADT Datasheet
...
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev. 7
1 Publication Order Number:
MC74HC138A/D
MC74HC138A
1-of-8 Decoder/
Demultiplexer
High–Performance Silicon–Gate CMOS
The MC74HC138A is identical in pinout to the LS138. The device
inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup
resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
The HC138A decodes a three–bit Address to one–of–eight
active–low outputs. This device features three Chip Select inputs, two
active–low and one active–high to facilitate the demultiplexing,
cascading, and chip–selecting functions. The demultiplexing function
is accomplished by using the Address inputs to select the desired
device output; one of the Chip Selects is used as a data input while the
other Chip Selects are held in their active states.
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL
• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
• Low Input Current: 1.0 µA
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
• Chip Complexity: 100 FETs or 29 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
7
Y6
Y5
Y4
Y3
Y2
Y1
Y0
Y7
9
10
11
12
13
14
15
3
2
1
CS1
CS2
A0
A1
A2
ACTIVE–LOW
OUTPUTS
ADDRESS
INPUTS
CS3
CHIP–
SELECT
INPUTS
5
4
6
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
Inputs Outputs
CS1CS2 CS3 A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
X X H XXXHHHHHHHH
X H X XXXHHHHHHHH
L X X XXXHHHHHHHH
H L L LLLLHHHHHHH
H L L LLHHLHHHHHH
H L L LHLHHLHHHHH
H L L LHHHHHLHHHH
H L L HLLHHHHLHHH
H L L HLHHHHHHLHH
H L L HHLHHHHHHLH
H L L HHHHHHHHHHL
FUNCTION TABLE
H = high level (steady state); L = low level (steady state); X = don’t care
SO–16
D SUFFIX
CASE 751B
http://onsemi.com
TSSOP–16
DT SUFFIX
CASE 948F
1
16
PDIP–16
N SUFFIX
CASE 648
1
16
1
16
MARKING
DIAGRAMS
1
16
MC74HC138AN
AWLYYWW
1
16
HC138A
AWLYWW
A = Assembly Location
WL = Wafer Lot
YY = Year
WW = Work Week
HC
138A
ALYW
1
16
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MC74HC138AN PDIP–16 2000 / Box
MC74HC138AD SOIC–16
48 / Rail
MC74HC138ADR2 SOIC–16 2500 / Reel
MC74HC138ADT TSSOP–16 96 / Rail
MC74HC138ADTR2 TSSOP–16
2500 / Reel
PIN ASSIGNMENT
13
14
15
16
9
10
11
12
5
4
3
2
1
8
7
6
A0
CS2
A2
A1
Y7
CS1
CS3
GND
Y3
Y2
Y1
Y0
V
CC
Y5
Y4
Y6
MC74HC138A
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 25
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 50
mA
ÎÎ
Î
P
D
ОООООООООООО
Î
Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†
SOIC Package†
TSSOP Package†
ÎÎÎ
Î
750
500
450
Î
Î
mW
T
stg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_
C
ÎÎ
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)
ÎÎÎ
Î
260
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: – 6.1 .W/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
ÎÎ
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
ÎÎ
6.0
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
ÎÎ
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
ÎÎ
+ 125
_
C
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
tr, t
f
ООООООООООООО
Î
ООООООООООООО
Î
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
(Figure 2) VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
Î
Î
Î
Î
0
0
0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
1000
500
400
Î
Î
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООО
Î
Parameter
ООООООО
Î
Test Conditions
ÎÎ
Î
V
CC
V
ÎÎ
Î
–55_C to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input
Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input
Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V or VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output
Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
2.48
3.98
5.48
ÎÎÎ
Î
Î
Î
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
Î
2.20
3.70
5.20
Î
Î
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance circuit. For proper operation, Vin and
V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
MC74HC138A
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Unit
Guaranteed Limit
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
Unit
v
125_C
ÎÎÎ
v
85_C
–55_C to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output
Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = VIH or V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = VIH or VIL|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 4.0 mA
|I
out
| v 5.2 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
0.26
0.26
0.26
ÎÎÎ
Î
Î
Î
0.33
0.33
0.33
ÎÎ
Î
0.40
0.40
0.40
Î
Î
I
in
Maximum Input Leakage
Current
Vin = VCC or GND
6.0
± 0.1
ÎÎÎ
± 1.0
± 1.0
µA
ÎÎ
Î
I
CC
ООООООО
Î
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND
I
out
= 0 µA
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
40
ÎÎ
Î
160
Î
Î
µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
Î
Symbol
ОООООООООООООО
Î
Parameter
ÎÎ
Î
V
CC
V
ÎÎ
Î
–55_C to
25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
135
90
27
23
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
170
125
34
29
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
205
165
41
35
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, CS1 to Output Y
(Figures 2 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
110
85
22
19
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
140
100
28
24
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
165
125
33
28
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, CS2 or CS3 to Output Y
(Figures 3 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
120
90
24
20
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
150
120
30
26
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
180
150
36
31
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
TLH
,
t
THL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 2 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
75
30
15
13
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
95
40
19
16
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
110
55
22
19
Î
Î
Î
Î
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
—
10
ÎÎÎ
10
10
pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Package)*
55
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Loading...