Motorola MC54HC534AJ, MC74HC534AN Datasheet


SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
3–1
REV 7
Motorola, Inc. 1997
3/97
   
The MC54/74HC534A is identical in pinout to the LS534. The device inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
Data meeting the setup time is clocked, in inverted form, to the outputs with the rising edge of the Clock. The Output Enable input does not affect the states of the flip–flops, but when Output Enable is high, the outputs are forced to the high impedance state. Thus, data may be stored even when the outputs are not enabled.
The HC534A is identical in function to the HC564 which has the data inputs on the opposite side of the package from the outputs to facilitate PC board layout.
This device is similar in function to the HC374A, which has noninverting outputs.
Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL
Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
Low Input Current: 1.0 µA
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
Chip Complexity: 282 FETs or 68.5 Equivalent Gates
LOGIC DIAGRAM
DATA
INPUTS
D0
11
CLOCK
D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
18
17
14
13
8
7
4
3
1
OUTPUT ENABLE
19
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
16
15
12
9
6
5
2
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
INVERTING
OUTPUTS

PIN ASSIGNMENT
Q2
D1
D0
Q0
OUTPUT
ENABLE
GND
Q3
D3
D2
Q1 5
4
3
2
1
10
9
8
7
6
14
15
16
17
18
19
20
11
12
13
Q6
D6
D7
Q7
V
CC
CLOCK
Q4
D4
D5
Q5
FUNCTION TABLE
Inputs Output
Output Enable Clock D Q
LHL LLH L L,H, X No Change HXXZ
X = Don’t Care Z = High Impedance
DW SUFFIX
SOIC PACKAGE
CASE 751D–04
N SUFFIX
PLASTIC PACKAGE
CASE 738–03
ORDERING INFORMATION
MC54HCXXXAJ MC74HCXXXAN MC74HCXXXADW
Ceramic Plastic SOIC
J SUFFIX
CERAMIC PACKAGE
CASE 732–03
1
20
1
20
1
20
MC54/74HC534A
MOTOROLA High–Speed CMOS Logic Data
DL129 — Rev 6
3–2
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 35
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 75
mA
Î
Î
P
D
ОООООООООООО
Î
Power Dissipation in Still Air,Plastic or Ceramic DIP†
SOIC Package†
ÎÎÎÎ
Î
750 500
Î
Î
mW
T
stg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_
C
Î
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP or SOIC Package)
(Ceramic DIP)
ÎÎÎÎ
Î
260 300
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur .
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
Ceramic DIP: – 10 mW/_C from 100_ to 125_C SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
6.0
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
+ 125
_
C
ÎÎ
Î
tr, t
f
ОООООООООООО
Î
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
(Figure 1) VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
Î
Î
0 0 0
Î
Î
1000
500 400
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
CC
V
– 55 to
25_C
v
85_Cv 125_C
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output Voltage
ООООООО
Î
Vin = V
IH
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = V
IH
|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 6.0 mA
|I
out
| v 7.8 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
2.48
3.98
5.48
ÎÎ
Î
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
Î
2.2
3.7
5.2
Î
Î
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output Voltage
ООООООО
Î
Vin = V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = V
IL
|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 6.0 mA
|I
out
| v 7.8 mA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
0.26
0.26
0.26
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.33
0.33
0.33
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.4
0.4
0.4
Î
Î
Î
Î
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance cir­cuit. For proper operation, Vin and V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.
MC54/74HC534A
High–Speed CMOS Logic Data DL129 — Rev 6
3–3 MOTOROLA
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
Unit
v
125_C
v
85_C
– 55 to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
I
in
Maximum Input Leakage Current
Vin = VCC or GND
6.0
± 0.1
± 1.0
± 1.0
µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
I
OZ
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Three–State Leakage Current
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Output in High–Impedance State Vin = VIL or V
IH
V
out
= VCC or GND
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
ÎÎ
± 0.5
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
± 5.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
± 10
Î
Î
Î
Î
µA
I
CC
Maximum Quiescent Supply Current (per Package)
Vin = VCC or GND I
out
= 0 µA
6.0
4.0
40
160
µA
NOTE:Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
Î
Î
Symbol
ОООООООООООООО
Î
Parameter
Î
Î
Fig.
ÎÎ
Î
V
CC
V
ÎÎ
– 55 to
25_C
ÎÎ
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
Î
Î
Î
Î
f
max
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
Î
Î
Î
Î
1, 4
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
6.0 15 30 35
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
5.0 10 24 28
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
4.0
8.0 20 24
Î
Î
Î
Î
MHz
Î
Î
Î
Î
t
PLH
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock to Q
Î
Î
Î
Î
1, 4
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
125
80 25 21
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
155 110
31 26
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
190 130
38 32
Î
Î
Î
Î
ns
Î
Î
Î
Î
t
PLZ
t
PHZ
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
Î
Î
Î
Î
2, 5
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
150 100
30 26
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
190 125
38 33
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
225 150
45 38
Î
Î
Î
Î
ns
Î
Î
Î
Î
t
PZL
t
PZH
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
Î
Î
Î
Î
2, 5
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
150 100
30 26
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
190 125
38 33
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
225 150
45 38
Î
Î
Î
Î
ns
Î
Î
Î
Î
t
TLH
t
THL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, Any Output
Î
Î
Î
Î
1, 4
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
ÎÎ
75 27 15 13
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
95 32 19 16
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
110
36 22 19
Î
Î
Î
Î
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
10
10
10
pF
C
OUT
Maximum Tri–State Output Capacitance (Output in Hi–Impedance State)
15
15
15
pF
NOTE:For propagation delays with loads other than 50 pF , and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the Motorola High–
Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Flip–Flop)*
34
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Loading...
+ 4 hidden pages