MOTOROLA MC14106BD, MC14106BDR2, MC14106BDT, MC14106BDTR2, MC14106BCP Datasheet

MC14106B
Hex Schmitt Trigger
The MC14106B hex Schmitt Trigger is constructed with MOS P–channel and N–channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These devices find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The MC14106B may be used in place of the MC14069UB hex inverter for enhanced noise immunity or to “square up” slowly changing waveforms.
Increased Hysteresis Voltage Over the MC14584B
Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc
Capable of Driving T wo Low–power TTL Loads or One Low–power
Schottky TTL Load Over the Rated T emperature Range
Pin–for–Pin Replacement for CD40106B and MM74C14
Can Be Used to Replace the MC14584B or MC14069UB
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V
Symbol Parameter Value Unit
V
DD
Vin, V
Iin, I
P
T
T
stg
T
1. Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device
may occur.
2. Temperature Derating:
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/_C From 65_C To 125_C
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance circuit. For proper operation, V to the range V
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either V
DC Supply Voltage Range –0.5 to +18.0 V Input or Output Voltage Range
out
out
D
A
L
(DC or Transient)
Input or Output Current
(DC or Transient) per Pin
Power Dissipation,
per Package (Note 2.) Ambient Temperature Range –55 to +125 °C Storage Temperature Range –65 to +150 °C Lead Temperature
(8–Second Soldering)
v (Vin or V
SS
or VDD). Unused outputs must be left open.
SS
) v VDD.
out
) (Note 1.)
SS
–0.5 to VDD + 0.5 V
±10 mA
500 mW
260 °C
and V
in
should be constrained
out
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
14
PDIP–14
P SUFFIX
CASE 646
SOIC–14
D SUFFIX
CASE 751A
TSSOP–14 DT SUFFIX
CASE 948G
A = Assembly Location WL or L = Wafer Lot YY or Y = Year WW or W = Work Week
MC14106BCP
AWLYYWW
1
14
14106B
AWLYWW
1
14
14
106B
ALYW
1
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC14106BCP PDIP–14 2000/Box MC14106BD SOIC–14 MC14106BDR2 SOIC–14 2500/Tape & Reel MC14106BDT TSSOP–14 MC14106BDTR2 TSSOP–14 2500/Tape & Reel
55/Rail
96/Rail
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev . 3
1 Publication Order Number:
MC14106B/D
MC14106B
LOGIC DIAGRAM
1
3
5
9
11
13 12
= PIN 14
V
DD
= PIN 7
V
SS
2
4
6
8
10
EQUIVALENT CIRCUIT SCHEMATIC
(1/6 OF CIRCUIT SHOWN)
http://onsemi.com
2
MC14106B
V
DD
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to V
V
Characteristic
Output Voltage “0” Level
= V
V
in
ОООООООО
DD
“1” Level
V
= 0
ОООООООО
in
Hysteresis Voltage
ОООООООО
ОООООООО
Symbol
V
OL
ÎÎ
V
OH
ÎÎ
V
H
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
5.0 10
Î
15
5.0 10
Î
15
(6.)
5.0
Î
10 15
Î
Min
— —
Î
4.95
9.95
Î
14.95
0.3
Î
1.2
1.6
Î
SS
– 55_C
)
Max
0.05
0.05
Î
0.05
Î
2.0
Î
3.4
5.0
Î
25_C
Min
— —
ÎÎ
— — —
4.95
9.95
ÎÎ
14.95
0.3
ÎÎ
1.2
1.6
ÎÎ
Typ
Î
5.0
Î
1.1
Î
1.7
2.1
Î
10 15
(3.)
Max
0 0 0
0.05
0.05
ÎÎ
0.05 —
ÎÎ
2.0
ÎÎ
3.4
5.0
ÎÎ
Min
— —
Î
4.95
9.95
Î
14.95
0.3
Î
1.2
1.6
Î
125_C
Max
0.05
0.05
Î
0.05
Î
Î
Î
Threshold Voltage
Positive–Going
ОООООООО
ОООООООО
Negative–Going
ОООООООО
Output Drive Current
(V
= 2.5 Vdc) Source
OH
ОООООООО
(V
= 4.6 Vdc)
OH
ОООООООО
(V
= 9.5 Vdc)
OH
(V
= 13.5 Vdc)
OH
ОООООООО
(VOL = 0.4 Vdc) Sink (V
= 0.5 Vdc)
OL
ОООООООО
(V
= 1.5 Vdc)
OL
Input Current Input Capacitance
(V
= 0)
in
ОООООООО
Quiescent Current
(Per Package)
ОООООООО
Total Supply Current
(Dynamic plus Quiescent,
ОООООООО
Per Package)
ОООООООО
= 50 pF on all outputs, all
(C
L
buffers switching)
ОООООООО
(4.) (5.)
V
T+
ÎÎ
ÎÎ
V
T–
ÎÎ
I
OH
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
I
OL
ÎÎ
I
in
C
in
ÎÎ
I
DD
ÎÎ
I
T
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
5.0
Î
10 15
Î
5.0 10
Î
15
5.0
Î
5.0
Î
10 15
Î
5.0 10
Î
15 15 —
Î
5.0 10
Î
15
5.0 10
Î
15
Î
Î
2.2
Î
4.6
6.8
Î
0.9
2.5
Î
4.0
– 3.0
Î
– 0.64
Î
– 1.6 – 4.2
Î
0.64
1.6
Î
4.2 — —
Î
— —
Î
ООООООООООООООО
ООООООООООООООО
ООООООООООООООО
3.6
Î
7.1
10.8
Î
2.8
5.2
Î
7.4
Î
Î
Î
Î
± 0.1
Î
0.25
0.5
Î
1.0
2.2
ÎÎ
4.6
6.8
ÎÎ
0.9
2.5
ÎÎ
4.0
– 2.4
ÎÎ
– 0.51
ÎÎ
– 1.3
– 3.4
ÎÎ
— — —
0.51
1.3
ÎÎ
3.4 —
ÎÎ
— —
ÎÎ
— IT = (1.8 µA/kHz) f + I
IT = (3.6 µA/kHz) f + I IT = (5.4 µA/kHz) f + I
2.9
Î
5.9
8.8
Î
1.9
3.9
Î
5.8
– 4.2
Î
– 0.88
Î
– 2.25
– 8.8
Î
0.88
2.25
Î
8.8
±0.00001
5.0
Î
0.0005
0.0010
Î
0.0015
3.6
ÎÎ
7.1
10.8
ÎÎ
2.8
5.2
ÎÎ
7.4
ÎÎ
ÎÎ
— —
ÎÎ
— —
ÎÎ
± 0.1
7.5
ÎÎ
0.25
0.5
ÎÎ
1.0
DD DD DD
2.2
Î
4.6
6.8
Î
0.9
2.5
Î
4.0
– 1.7
Î
– 0.36
Î
– 0.9 – 2.4
Î
0.36
0.9
Î
2.4 — —
Î
— —
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
± 1.0
Î
Î
10.8
3. Data labelled “Typ” is not to be used for design purposes but is intended as an indication of the IC’s potential performance.
4. The formulas given are for the typical characteristics only at 25_C.
5. To calculate total supply current at loads other than 50 pF: I
) = IT(50 pF) + (CL – 50) Vfk
T(CL
where I
6. V
is in µA (per package), CL in pF, V = (VDD – VSS) in volts, f in kHz is input frequency, and k = 0.001.
T
=
H
VT+ – V
(But maximum variation of VH is specified as less that V
T–
T+ max
– V
T– min
).
— — —
2.0
3.4
5.0
3.6
7.1
2.8
5.2
7.4
— — — —
— — —
7.5 15 30
Unit
Vdc
Î
Vdc
Î
Vdc
Î
Î
Vdc
Î
Î
Vdc
Î
mAdc
Î
Î
Î
mAdc
Î
µAdc
pF
Î
µAdc
Î
µAdc
Î
Î
Î
http://onsemi.com
3
Loading...
+ 5 hidden pages