Motorola BUX85 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The BUX85 is designed for high voltage, high speed power switching applications
like converters, inverters, switching regulators, motor control systems.
SPECIFICATIONS FEATURES:
• V
CEO(sus)
450 V
• V
CES(sus)
1000 V
• Fall time = 0.3 µs (typ) at IC = 1.0 A
• V
CE(sat)
= 1.0 V (max) at IC = 1.0 A, IB = 0.2 A
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BUX84
BUX85
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
400
450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage
V
CES
800
1000
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Emitter Base Voltage
V
EBO
5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector Current
— Continuous
— Peak (1)
I
C
I
CM
2
3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Base Current
— Continuous
— Peak (1)
I
B
I
BM
0.75
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Reverse Base Current — Peak
I
BM
1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
P
D
50
400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
mW/_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, T
stg
–65 to +150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θJA
62.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose:
1/8″ from Case for 5 Seconds
T
L
275
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle x10%.
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUX85/D
Motorola, Inc. 1995
2 AMPERES
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
450 VOLTS
50 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 7
BUX85
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mAdc, (L = 25 mH) See fig. 1
V
CEO(sus)
450
—
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CES
= Rated Value)
(V
CES
= Rated Value, TC = 125_C)
I
CES
—
—
—
—
0.2
1.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
I
EBO
—
—
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 0.1 Adc, VCE = 5 V)
h
FE
30
50
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.3 Adc, IB = 30 mAdc)
(IC = 1 Adc, IB = 200 mAdc)
V
CE(sat)
—
—
—
—
0.8
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)
V
BE(sat)
—
—
1.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 500 mAdc, VCE = 1 0 Vdc, f = 1 MHz)
f
T
4
—
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–on Time
t
on
—
0.3
0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Storage Time
VCC = 250 Vdc, IC = 1 A
IB1 = 0.2 A, IB2 = 0.4 A
t
s
—
2
3.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Fall Time
See fig. 2
t
f
—
0.3
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Fall Time
Same above cond. at TC = 95_C
t
f
—
—
1.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
(1) Pulse Test: PW = 300 µs, Duty Cycle x2%.
Loading...