Motorola BUX41 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for high speed, high current, high power applications.
• Very fast switching times:
TF max. = 0.4 µs at IC = 8 A
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
200
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
250
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
7
Vdc
Collector–Emitter Voltage (VBE = –2.5 V)
V
CEX
250
Vdc
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω)
V
CER
240
Vdc
Collector–Current — Continuous
Collector–Current — Peak (pw v 10 ms)
I
C
I
CM
15
20
Adc
Apk
Base–Current continuous
I
B
3
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
P
D
120
Watts
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, T
stg
–65 to 200
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θ
JC
1.46
_
C/W
1.0
Figure 1. Power Derating
TC, TEMPERATURE (°C)
0 40 80 120 160 200
0.6
0.4
0.2
0.8
DERATING FACTOR
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUX41/D
Motorola, Inc. 1995
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
15 AMPERES
NPN SILICON
POWER
METAL TRANSISTOR
200 VOLTS
120 WATTS
REV 7
BUX41
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
1
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current at Reverse Bias:
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V)
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEX
1.0
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCE = 160 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEO
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Emitter–Base Reverse Voltage
(IE = 50 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
EBO
7
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 5 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
(VCE = 30 V, t = 1 s)
(VCE = 135 V, t = 1 s)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
S/b
4.0
0.15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ON CHARACTERISTICS
1
DC Current Gain
(IC = 5 A, VCE = 4 V)
(IC = 8 A. VCE = 4 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
FE
15
8
45
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 A, IB = 0.5 A)
(IC = 8 A, IB = 1 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CE(sat)
1.2
1.6
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8 A, IB = 1 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(sat)
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product
(VCE = 15 V, IC = 1 A, f = 4 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
f
T
8.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load)
Turn–on Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
on
0.6
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Storage Time
(IC = 8 A, IB1 = IB2 = 1 A,
V
= 150 V, R
= 18.75 Ω)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
s
1.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time
VCC = 150 V, RC = 18.75 Ω)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
f
0.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1
Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2%.
Loading...