Motorola BUV21 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for high speed, high current, high power applications.
• High DC current gain:
hFE min. = 20 at IC = 12 A
• Low V
CE(sat)
, V
CE(sat)
max. = 0.6 V at IC = 8 A
Very fast switching times:
TF max. = 0.4 µs at IC = 25 A
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage (VBE = –1.5 V)
V
CEX
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω)
V
CER
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
240
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Current— Continuous
— Peak (pw v 10 ms)
I
C
I
CM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
40
50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Apk
Base–Current continuous
I
B
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
P
D
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, T
stg
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
–65 to 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θ
JC
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
0.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
Figure 1. Power Derating
1.0
0
TC, TEMPERATURE (°C)
40 80 160 200
0.4
0.8
0.6
0.2
120
DERATING FACTOR
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUV21/D
Motorola, Inc. 1995
40 AMPERES
NPN SILICON
POWER
METAL TRANSISTOR
200 VOLTS
250 WATTS
CASE 197A–05
TO–204AE
(TO–3)
REV 7
BUV21
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
1
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
V
CEO(sus)
200
Vdc
Collector Cutoff Current at Reverse Bias:
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V)
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
I
CEX
3.0
12.0
mAdc
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCE = 160 V)
I
CEO
3.0
mAdc
Emitter–Base Reverse Voltage
(IE = 50 mA)
V
EBO
7
V
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 5 V)
I
EBO
1.0
mAdc
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
(VCE = 20 V, t = 1 s)
(VCE = 140 V, t = 1 s)
I
S/b
12
0.15
Adc
ON CHARACTERISTICS
1
DC Current Gain
(IC = 12 A, VCE = 2 V)
(IC = 25 A, VCE = 4 V)
h
FE
20
10
60
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 12 A, IB = 1.2 A)
(IC = 25 A, IB = 3 A)
V
CE(sat)
0.6
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 25 A, IB = 3 A)
V
BE(sat)
1.5
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain – Bandwidth Product
(VCE = 15 V, IC = 2 A, f = 4 MHz)
f
T
8.0
MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load)
Turn-on Time
t
on
1.0
µs
Storage Time
(IC = 25 A, IB1 = IB2 = 3 A,
V
= 100 V, R
= 4 Ω)
t
s
1.8
Fall Time
VCC = 100 V, RC = 4 Ω)
t
f
0.4
1
Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2%.
Loading...