Motorola BUV11 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for high current, high speed, high power applications.
• High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A
• Low V
CE(sat)
, V
CE(sat)
max. = 0.6 V at IC = 6 A
• Very fast switching times:
TF max. = 0.8 µs at IC = 12 A
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage (VBE = –1.5 V)
V
CEX
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100 Ω)
V
CER
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
240
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Current— Continuous
— Peak (pw v 10 ms)
I
C
I
CM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
20
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Apk
Base–Current continuous
I
B
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
P
D
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, T
stg
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
–65 to 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θ
JC
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
1.17
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
1.0
Figure 1. Power Derating
TC, TEMPERATURE (°C)
0 40 80 120 160 200
0.6
0.4
0.2
0.8
DERATING FACTOR
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUV11/D
Motorola, Inc. 1995
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
20 AMPERES
NPN SILICON
POWER
METAL TRANSISTOR
200 VOLTS
150 WATTS
REV 7
BUV11
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
V
CEO(sus)
200
Vdc
Collector Cutoff Current at Reverse Bias
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V)
(VCE = 250 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
I
CEX
1.5
6
mAdc
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCE = 160 V)
I
CEO
1.5
mAdc
Emitter–Base Reverse Voltage
(IE = 50 mA)
V
EBO
7
V
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 5 V)
I
EBO
1.0
mAdc
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
(VCE = 30 V, t = 1 s)
(VCE = 140 V, t = 1 s)
I
S/b
5.0
0.15
Adc
ON CHARACTERISTICS
1
DC Current Gain
(IC = 6 A, VCE = 2 V)
(IC = 12 A, VCE = 4 V)
h
FE
20
10
60
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 6 A, IB = 0.6 A)
(IC = 12 A, IB = 1.5 A)
V
CE(sat)
0.6
1.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 12 A, IB = 1.5 A)
V
BE(sat)
1.5
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product
(VCE = 15 V, IC = 1 A, f = 4 MHz)
f
T
8.0
MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load)
Turn–on Time
t
on
0.8
µs
Storage Time
(IC = 12 A, IB1 = IB2 = 1.5 A,
V
= 150 V, T
= 12.5 Ω)
t
s
1.8
Fall Time
VCC = 150 V, TC = 12.5 Ω)
t
f
0.4
1
Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2%.
Loading...