Motorola BUS50 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The BUS50 transistor is designed for low voltage, high–speed, power switching in
inductive circuits where f all time is c ritical. It is p articularly suited f or battery
switchmode applications such as:
• Switching Regulators
• Inverters
• Solenoid and Relay Drivers
• Motor Controls
Fast Turn–Off Times
300 ns Inductive Fall Time –25_C (Typ)
Operating Temperature Range –65 to +200_C
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
BUS50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
125
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage
V
CEV
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Emitter Base Voltage
V
EB
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
— Overload
I
C
I
CM
I
oI
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
70
140
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Base Current — Continuous
— Peak (1)
I
B
I
BM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation — TC = 25°C
— TC = 100°C
Derate above 25_C
P
D
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
350
200
2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, T
stg
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
–65 to +200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes:
1/8″ from Case for 5 Seconds
T
L
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
275
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle x10%.
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUS50/D
Motorola, Inc. 1995
70 AMPERES
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
125 VOLTS (BVCEO)
350 WATTS
200 V (BVCES)
CASE 197A–05
TO–204AE
REV 7
BUS50
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
1
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 200 mA, IB = 0, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
125
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current at Reverse Bias
(VCE = 200 V, VBE = –1.5 V)
(VCE = 200 V, VBE = –1.5 V, TC = 125_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEX
0.2
2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCE = 125 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEO
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 7 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
0.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ON CHARACTERISTICS
1
DC Current Gain
(IC = 5 A, VCE = 4 V)
(IC = 50 A, VCE = 4 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
FE
20
15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 35 A, IB = 2 A)
(IC = 70 A, IB = 7 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CE(sat)
1
1.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 35 A, IB = 2 A)
(IC = 70 A, IB = 7 A)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(sat)
1.8
2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
SWITCHING CHARACTERISTICS (Resistive Load) ton and (Inductive Load) tsv, t
fi
Turn–On Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
on
1.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Storage Time
IC = 70 A, IB1 = 7 A V
BE(off)
= –5 V
(V
= 125 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
sv
1.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Fall Time
(VCC = 125 V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
fi
0.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1
Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2%.
Loading...