3–231
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The BU323A is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,
switching regulator and motor control applications.
• VCE Sat Specified at –40_C = 2.0 V Max. at IC = 6 A.
• Photoglass Passivation for Reliability and Stability.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
600
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
8.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak (1)
I
C
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
10
16
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Base Current — Continuous
I
B
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation@ TC = 25_C
@ TC = 100_C
Derate above 25_C
P
D
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
175
100
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction
TJ, T
stg
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
–65 to +200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
T
L
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
275
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle v 10%.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BU323A/D
Motorola, Inc. 1995
16 AMPERE PEAK
POWER TRANSISTOR
DARLINGTON NPN
SILICON
400 VOLTS
175 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
COLLECTOR
EMITTER
BASE
≈
1 k≈ 30
REV 7
BU323A
3–232
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
1
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 1)
L = 10 mH
(IC = 200 mAdc, IB = 0, V
clamp
= Rated V
CEO
)
V
CEO(sus)
400
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter sustaining Voltage (Figure 1)
(IC = 3 A, RBE = 100 Ohms, L = 500 µH)
Unclamped
V
CER(sus)
475
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current (Rated V
CER
, RBE = 100 Ohms)
I
CER
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Collector Cutoff Current (Rated V
CBO
, IE = 0)
I
CBO
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
Emitter Cutoff Current (VEB = 6 Vdc, IC = 0)
I
EBO
40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ON CHARACTERISTICS
1
DC Current Gain
(IC = 3 Adc, VCE = 6 Vdc)
(IC = 6 Adc, VCE = 6 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc)
h
FE
300
150
50
550
350
150
2000
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3 Adc, IB = 60 mAdc)
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc)
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = –40_C)
V
CE(sat)
1.5
1.7
2.7
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc)
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = –40_C)
V
BE(sat)
2.2
3
2.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc)
V
BE(on)
2.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Diode Forward Voltage (IF = 10 Adc)
V
f
2
3.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f
test
= 100 kHz)
C
ob
165
350
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Storage Time
CC
– 12 Vdc, IC = 6 Adc,
t
s
7.5
15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
Fall Time
(VCC – 12 Vdc, IC = 6 Adc,
IB1 = IB2 = 0.3 Adc) Fig. 2
t
f
5.2
15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
FUNCTIONAL TESTS
Second Breakdown Collector Current with
Base–Forward Biased
I
S/B
See
Figure10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Pulsed Energy Test (See Figure 12)
IC2L/2
550
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mJ
1
Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
0 V
t
1
20 ms
*
470
≈
1K≈ 30
L
47
1N4001
BC337
V
CEO
V
CER
100
B
TUT
C
*
E
V
clamp
UNCLAMPED
CLAMPED
* Adjust t1 such that
* IC reaches Required
* value.
VCC = 16 Vdc
f
test
= 200 Hz
PULSE WIDTH = 1 ms
≈
1K≈ 30
B
TUT
C
E
40
51 100
IB = 0.3 Adc
VCC = 12 Vdc
2
Ω
/20 W
IC = 6 Adc
≈
15 Vdc
0 Vdc
1N4001
Figure 1. Sustaining Voltage Test Circuit Figure 2. Switching Times Test Circuit
(V
Loading...