Infineon FZ2400R12KF4 Data Sheet

Marketing Information
FZ 2400 R 12 KF4

61,561,5

13

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

31,5

28

C C C

C E G

M4

79,4

external connections
to be done

C

C

190

171

57

21 3 4

78 6 5

20,25

41,25

C

7 (für M6-Schraube)

C

EE

M8

G

E

E

E

external connections
to be done

E

20.03.1998

FZ 2400 R 12 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

CES

C

CRM

tot

GE

F

FRM

ISOL

CE sat

GE(th)

ies

CES

GES

EGS

onVLR

sVLR

fVLR

Charakteristische Werte / Characteristic values

on

offLS

F

RMvRM

rvRM

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

thJC

thCK

vj max

c op

stg

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

3

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage tvj = 25°C V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 ms I

1200 V
2400 A

4800 A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor / Transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage

RMS, f=50 Hz, t= 1 min.

V

± 20 V
2400 A
4800 A

2,5 kV

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=25°C v

iC=2,4kA, vGE=15V, Tvj=125°C - 3,4 4 V

Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=96mA, vCE=vGE, Tvj=25°C v
Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V C

Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C i

vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V t

=15V,RG=0,47Ω, Tvj=25°C - 0,7 - µs

VLR=15V,RG=0,47Ω, Tvj=125°C - 0,8 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V t

=15V,RG=0,47Ω, Tvj=25°C - 0,9 - µs

VLR=15V,RG=0,47Ω, Tvj=125°C - 1,0 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V t

=15V,RG=0,47Ω, Tvj=25°C - 0,1 - µs

VLR=15V,RG=0,47Ω, Tvj=125°C - 0,15 - µs

- 2,7 3,2 V

4,5 5,5 6,5 V

- 170 - nF

- 48 - mA

- 240 - mA

- - 600 nA

- - 600 nA

15 kW

Transistor / Transistor turn-on energy loss per pulse iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V E
Einschaltverlustenergie pro Puls LS=40nH,RG=0,47Ω, Tvj=125°C - 310 - mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse iC=2,4kA,vCE=600V,vL=±15V E

=40nH,RG=0,47Ω, Tvj=125°C - 410 - mWs

Inversdiode / Inverse diode forward voltage iF=2400A, vGE=0V, Tvj=25°C v

- 2,2 2,7 V
Durchlaßspannung iF=2400A, vGE=0V, Tvj=125°C - 2 2,5 V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs I

=600V, vEG=10V, Tvj=25°C - 750 - A

vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C - 1200 - A

Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=2,4kA, -diF/dt=12kA/µs Q

=600V, vEG=10V, Tvj=25°C - 80 - µAs

vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C - 270 - µAs

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature T
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature T

Transistor / transistor, DC
Diode /diode, DC
pro Module / per Module

R

0,0084 °C/W

0,014 °C/W

R

typ. 0,006 °C/W

150 °C

T

-40...+125 °C

-40...+125 °C

Innere Isolation internal insulation Al2O

mounting torque
terminal connection torque

terminals M6 / tolerance ±15%
terminals M4 / tolerance +5 / -10%
terminals M8

M1 5 Nm
M2 2 Nm

8...10 Nm

Gewicht weight G ca. 2300 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.

tfg = 10 µs VCC = 750 V
vL = ±15V v
RGF = RGR = 0,47 Ω i
tvj = 125°C

CEM

CMK1

i

CMK2

= 850 V

≈ 15000 A
≈ 13000 A

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v

CEM

= V

CES

- 12nH x |dic/dt|