Infineon FZ1800R17KF6C-B2 Data Sheet

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FZ 1800 R 17 KF6C B2

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2

t - value, Diode

I

= 25°C V

T

vj

T

= 80 °C I

C

= 25 °C I

T

C

= 1 ms, TC = 80°C I

t

P

=25°C, Transistor P

T

C

tp = 1 ms

= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C

V

R

vorläufige Daten
preliminary data

CES

C,nom.

C

CRM

tot

V

GES

I

F

I

FRM

2

I

t

+/- 20V V

1700 V

1800 A
2900 A

3600 A

13,9 kW

1800 A

3600 A

850

kA2s

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

I

= 1800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge

Eingangskapazität
input capacitance

Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current

C

= 1800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C

I

C

= 120mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V

I

C

V

= -15V ... +15V Q

GE

f = 1MHz,T

f = 1MHz,T

V

CE

V

CE

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I

= 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I

V

ISOL

min. typ. max.

CE sat

GE(th)

CES

GES

4,5 5,5 6,5 V

G

ies

res

4kV

2,6 3,1 V
3,1 3,6 V

22 µC

118 nF

6nF

5mA

400 nA

prepared by: A. Wiesenthal date of publication: 28.05.2001

approved by: Christoph Lübke; 11.06.2001 revision: 1 (preliminary)

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FZ1800R17KF6C B2_V.xls

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FZ 1800 R 17 KF6C B2

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

I

= 1800A, VCE = 900V

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse

Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten
SC Data

Modulinduktivität
stray inductance module

C

= ±15V, RG = 0,82W, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG =0,82W, Tvj = 125°C 0,3 µs
I

= 1800A, VCE = 900V

C

= ±15V, RG = 0,82W, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 0,82W, Tvj = 125°C 0,2 µs
I

= 1800A, VCE = 900V

C

= ±15V, RG = 0,82W, Tvj = 25°C

V

GE

= ±15V, RG = 0,82W, Tvj = 125°C 1,3 µs

V

GE

I

= 1800A, VCE = 900V

C

= ±15V, RG = 0,82W, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 0,82W, Tvj = 125°C 0,16 µs
I

= 1800A, VCE = 900V, VGE = 15V

C

= 0,82W, Tvj = 125°C, LS = 50nH

R

G

I

= 1800A, VCE = 900V, VGE = 15V

C

= 0,82W, Tvj = 125°C, LS = 50nH

R

G

tP £ 10µsec, VGE £ 15V
TVj£125°C, VCC=1000V, V

CEmax=VCES -LsCE

·dI/dt

vorläufige Daten
preliminary data

min. typ. max.

t

d,on

t

r

t

d,off

t

f

E

on

E

off

I

SC

L

sCE

7200 A

0,3 µs

0,2 µs

1,3 µs

0,15 µs

570 mWs

725 mWs

10 nH

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip

pro Zweig / per arm

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode

I

= 1800A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V

Durchlaßspannung
forward voltage

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

F

= 1800A, VGE = 0V, Tvj = 125°C

I

F

I

= 1800A, - diF/dt = 10800A/µsec

F

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I

V

R

V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

R

IF = 1800A, - diF/dt =10800A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q
V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

R

IF = 1800A, - diF/dt = 10800A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E
V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

R

R

CC´+EE´

min. typ. max.

F

RM

r

rec

0,06 mW

2,1 2,5 V
2,1 2,5 V

1580 A
1860 A

340 µAs
630 µAs

190 mWs
370 mWs

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FZ1800R17KF6C B2_V.xls

Technische Information / Technical Information

g

IGBT-Module
IGBT-Modules

FZ 1800 R 17 KF6C B2

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässi
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operation temperature

Lagertemperatur
storage temperature

e Sperrschichttemperatur

Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC 0,017 K/W

pro Modul / per module

= 1 W/m*K / l

l

Paste

= 1 W/m*K

grease

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

vorläufige Daten
preliminary data

min. typ. max.

R

thJC

R

thCK

T

vj

T

T

-40 125 °C

vj op

-40 125 °C

stg

0,009 K/W

0,006 K/W

150 °C

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Innere Isolation
internal insulation

Kriechstrecke
creepage distance

Luftstrecke
clearance

CTI
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

M1 5 Nm

terminals M4 M2 2 Nm
terminals M8 8 - 10 Nm

G 1500 g

AlN

32 mm

20 mm

>400

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.

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FZ1800R17KF6C B2_V.xls