Infineon FZ1800R16KF4 Data Sheet
Marketing Information
FZ 1800 R 16 KF4
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
31,5
28
61,5
1 2 3
C
M4
4,0 tief
C
2,5 tief
8
E
E
7
41,25
79,4
external connection to
be done
190
57
G
20,25
13
61,5
171
C
E
6
M8
4
C
E
5
(for M6 screw)
7
C
C
G
E
E
C
E
external connection to
be done
C
E
VWK, 27.6.1997
FZ 1800 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulating test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=1,8kA,vGE=15V, tvj=25°C v
Gate-Emitter-Schwellspannung gate threshold voltage v
Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0 C
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C i
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (induktive load) t
Speicherzeit (induktive Last) storage time iC=1,8kA,vCE=900V t
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) t
Charakteristische Werte / Characteristic values:
Transistor / transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy lost per puls
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy lost per puls
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung forward voltage iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=25°C V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=1,8kA, -diF/dt=600A/µs I
Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs Q
iC=1,8kA,vGE=15V, tvj=125°C - 4,6 5,0 V
iC=120mA, vCE=vGE, tvj=25°C
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C - 120 - mA
iC=1,8kA,vCE=900V
vL=15V,RG=1,2 , tvj=25°C
vL=15V,RG=1,2
vL=15V,RG=1,2vj=25°C - 1,1 - µs
vL=15V,RG=1,2 , t
iC=1,8kA,vCE=900V
vL=15V,RG=1,2vj=25°C
vL=15V,RG=1,2
iC=1,8kA,vCE=900V,L
vL=15V,RG=1,2
iC=1,8kA,vCE=900V,L
=125°C
, t
vj
, t
=125°C - 1,3 - µs
vj
, t
=125°C
, t
vj
=50nH
S
=125°C
, t
vj
=50nH
S
=125°CvL=15V,RG=1,2
, t
vj
iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=125°C - 2,2 - V
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 1100 - A
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 1300 - A
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 180 - µAs
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 400 - µAs
E
E
CES
C
CRM
tot
GE
F
FRM
ISOL
CE sat
GE(th)
ies
CES
GES
EGS
on
s
f
on
off
F
RM
r
Vorläufige Daten
Preliminary data
1600 V
1800 A
3600 A
+/- 20 V
1800 A
3600 A
3,4 kV
min. typ. max
- 3,5 3,9 V
4,5 5,5 6,5 V
- 270 - nF
- 12 - mA
- - 600 nA
- - 600 nA
- 0,8 - µs
- 1,0 - µs
- 0,25 - µs
- 0,30 - µs
- 750
- 450
- 2,4 2,8 V
11 kW
- mWs
- mWs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R
Diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module R
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature pro Module / per Module t
Betriebstemperatur operating temperature
Diode / diode t
Lagertemperatur storage temperature
vj max
c op
t
stg
thJC
thCK
0,011 °C/W
0,027 °C/W
0,006 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3
Innere Isolation internal insulation Al2O
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque M1 5 Nm
terminals M6 / tolerance +/-15%
3
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5%/-10% M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca.2300 g
Bedingungen für den Kurzschlußschutz Conditions for short-circuit protection
tfg=10µs, vLF=vLR = 15V, VCC=1000V Unabhängig davon gilt bei abweich. Bedingungen / with regard to other conditions
RGF=RGR = 1,2 V
tvj=125°C i
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit dem
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
in
combination with the belonging technical notes.
eupec
GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
=1300V v
CEM
18000A
CMK1
i
13500A
CMK2
CEM
= V
CES
-12 nH x I dic/dtI
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