Infineon FZ1800R12KF4 Data Sheet

Marketing Information
FZ 1800 R 12 KF4

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

31,5

28

M4

4,0 deep

2,5 deep

61,5

13

190

57

1 2 3 4

C

E

E

C

8

79,4

external connection to
be done

G

20,25

41,25

61,5

171

C

E

M8

C

E

567

M6

7

C

C

G

E

E

C

E

external connection to
be done

C

E

VWK, January 1997

FZ 1800 R 12 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaf ten / Electrical pr operties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Period. Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V

CES

C

CRM

tot

GE

1200 V
1800 A
3600 A

11 kW

+/- 20 V

Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulating test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

Koll.-Emitter Sättigungsspannung coll.-emitter saturation voltage iC=1,8kA, vGE=15V, tvj=25°C v

iC=1,8kA,vGE=15V,tvj=125°C - 3,3 3,9 V
Gate-Schwellspannung gate threshold voltage iC=72mA,vCE=vGE,tvj=25°C v
Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,

vGE=0
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1200V,vGE=0V,tvj=25°C i

vCE=1200V,vGE=0V,tvj=125°C - - 300 mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i

Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (ohmsche Last) turn-on time (resistive load) iC=1,8kA,vCE=600V,vL=15V t

vL=15V,RG=0,43Ω,tvj=25°C

tvj=125°C - - - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time iC=1,8kA,vCE=600V,vL=15V t

vL=15V,RG=0,43Ω,tvj=25°C

tvj=125°C - - - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=1,8kA,vCE=600V,vL=15V t

vL=15V,RG=0,43Ω,tvj=25°C

tvj=125°C - - - µs

Bedingungen für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection

tfg = 10µs VCC = 750V
vL = ± 15V v
RGF = RGR =0,43

Ω

tvj = 125°C i
Unabhängig davon dilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v

= 900V

CEM

i

= 18000V

CMK1

= 13500V

CMK2

CEM

F

FRM

C

CES

GES

EGS

on

s

f

ISOL

CE sat

GE(th)

ies

= V

CES

1800 A
3600 A

2,5 kV

min. typ. max

- 2,7 3,2 V

4,5 5,5 6,5 V

- 135 - nF

- - 30 mA

- - 400 nA

- - 400 nA

- - - µs

- - - µs

- - - µs

- 12nH . |diC/dt|

Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode

Durchlaßspannung forward voltage iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=25°C V

iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=125°C - 2 2,5 V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs I

vRM=600V,vEG=10V,tvj=25°C - - - A

vRM=600V,vEG=10V,tvj=125°C - - - A
Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs Q

vRM=600V,vEG=10V,tvj=25°C - - - µAs

vRM=600V,vEG=10V,tvj=125°C - - - µAs

F

RM

r

- 2,2 2,7 V

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resist., junction to case Transistor / transistor, DC R

Diode, DC 0,024 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resist., case to heatsink pro Module / per Module R
Höchstzul. Sperrschichttemp. max. junction temperature Transistor t
Betriebstemperatur operating temperature Transistor / transistor t
Lagertemperatur storage temperature t

thJC

thCK

vj max

c op

stg

0,011 °C/W

0,006 °C/W

150 °C

-40...+125 °C

-40...+125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite / page 1
Innere Isolation internal insulation Al2O
Anzugsdrehm. f. mech. Befest. mounting torque M1 3 Nm
Anzugsdrehm. f. elektr. Anschl. terminal connection torque terminals M4 M2 2 Nm

terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca.2300 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

eupec GmbH + Co KG, Max-Plank-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon [phone], Telefax /764­256

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