Infineon FZ1200R12KE3-S1 Data Sheet

Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-Modules

FZ1200R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage

Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current

Gesamt Verlustleistung total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom DC forward current

Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current

Tvj= 25°C

= 80°CKollektor Dauergleichstrom

T

c

Tc= 25°CDC collector current

t

= 1ms, Tc= 80°C

p

= 25°C; Transistor

T

c

t

= 1ms

p

vorläufige Daten preliminary data

V

CES

I

C, nom

I

C

I

CRM

P

tot

V

GES

I

F

I

FRM

1200

1200 A 1700 A

2400

5,6 kW

+/- 20

1200

2400

V

A

V

A

Grenzlastintegral I²t value

Isolations Prüfspannung insulation test voltage

V

= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C

R

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,

I

Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage

Gate Schwellenspannung gate threshold voltage

Gateladung gate charge

Eingangskapazität input capacitance

Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance

C

= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,

I

C

I

= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,

C

= -15V...+15V; VCE=...V Q

V

GE

f= 1MHz, T

= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V

vj

f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V

V

I²t

ISOL

min. typ. max.

CEsat

GE(th)

C

ies

C

res

- 1,7 2,15 V

- 2 t.b.d. V

5

-

G

-

300 k A²s

2,5

5,8

6,5

11,5 -

kV

V

µC

nF86 -

nF - 4

Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current

Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Christoph Lübke

V

= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C,

CE

= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C I

V

CE

date of publication: 2002-07-29

revision: 2.0

1 (8)

I

CES

GES

-

- - 400

DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls

2002-07-29

mA - 5

nA

Technische Information / technical information

j

IGBT-Module IGBT-Modules

FZ1200R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse

Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse

Kurzschlussverhalten SC data

Modulindiktivität stray inductance module

IC= 1200A, VCC= 600V

VGE=±15V, R

=1,8W, Tvj=25°C

Gon

=1,8W, Tvj= 125°C

Gon

IC= 1200A, VCC= 600V

VGE=±15V, R

V

=±15V, R

GE

=1,8W, Tvj=25°C

Gon

=1,8W, Tvj= 125°C

Gon

IC= 1200A, VCC= 600V

VGE=±15V, R

=±15V, R

V

GE

=0,62W, Tvj=25°C

Goff

=0,62W,Tvj= 125°C

Goff

IC= 1200A, VCC= 600V

VGE=±15V, R

V

=±15V, R

GE

I

= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH

C

VGE=±15V, R

=0,62W, Tvj=25°C

Goff

=0,62W,Tvj= 125°C

Goff

=1,8W, Tvj= 125°C

Gon

IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH

VGE=±15V, R

£ 10µs, VGE £ 15V, TVj £ 125°C

t

P

= 900V, V

V

CC

=0,62W, Tvj= 125°C

Goff

= V

CEmax

CES

- L

sCE

· çdi/dtç

vorläufige Daten preliminary data

min. typ. max.

t

d,on

t

d,off

t

E

off

I

SC

L

sCE

- 0,54 - µs

- 0,64 - µs

- 0,22 - µs

r

- 0,23 - µs

- 0,82 - µs

- 0,96 - µs

- 0,15 - µs

f

- 0,18 - µs

-

on

-

- 12

245

190

- mJ

4800 - A

- nH

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip

T

= 25°C

c

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter

Durchlassspannung forward voltage

Rückstromspitze peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung recoverred charge

Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy

IF= I

I

V

I

VR= 600V, VGE= -15V, T

V

I

V

, VGE= 0V, Tvj= 25°C

C, nom

= I

, VGE= 0V, Tvj= 125°C

F

C, nom

, -diF/dt= 4800A/µs

F=IC,nom

= 600V, VGE= -15V, T

R

= 600V, VGE= -15V, T

R

, -diF/dt= 4800A/µs

F=IC,nom

= 600V, VGE= -15V, T

R

, -diF/dt= 4800A/µs

F=IC,nom

= 600V, VGE= -15V, T

R

= 600V, VGE= -15V, T

R

= 25°C

v

= 125°C

v

= 25°C

v

= 125°C

v

= 25°C

v

= 125°C

v

R

CC´/EE´

0,19

V

I

RM

Q

E

rec

- 2,0 2,5 V

F

- 1,8 - V

390

-

620

-

r

55

-

150

-

13

-

35

-

- -

mW

-

A

µC

mJ

DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls

2002-07-29

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Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-Modules

FZ1200R12KE3

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Übergangs Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature

Betriebstemperatur operation temperature

Lagertemperatur storage temperature

pro Transistor /per transistor, DC

pro Diode/per Diode, DC

pro Modul / per module

l

Paste/lgrease

=1W/m*K

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

vorläufige Daten preliminary data

min. typ. max.

T

R

T

thJC

thCK

vj max

vj op

stg

- - 0,022 K/W

- - 0,040 K/W

-40 -

-40 - 125

K/W-0,006-

°C150--

125 °C

°C

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix

Innere Isolation internal insulation

Kriechstrecke creepage distance

Luftstrecke clearance

CTI comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque

Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse terminal connection torque

Gewicht weight

Schraube /screw M5

Anschlüsse / terminal M4

Anschlüsse / terminal M8

Al

2O3

32

>400

M

4,25

M-

1,7

M

G 1500

-

5,75

2,3 Nm

mm

mm20

Nm

Nm8-10

g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes.

DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls

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