Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Tvj= 25°C
= 80°CKollektor Dauergleichstrom
T
c
Tc= 25°CDC collector current
t
= 1ms, Tc= 80°C
p
= 25°C; Transistor
T
c
t
= 1ms
p
vorläufige Daten
preliminary data
V
CES
I
C, nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
I
F
I
FRM
1200
1200 A
1700 A
2400
5,6 kW
+/- 20
1200
2400
V
A
V
A
A
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
V
= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
R
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,
I
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
C
= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,
I
C
I
= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,
C
= -15V...+15V; VCE=...V Q
V
GE
f= 1MHz, T
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
V
V
V
I²t
ISOL
min. typ. max.
CEsat
GE(th)
C
ies
C
res
- 1,7 2,15 V
- 2 t.b.d. V
5
-
G
-
-
300 k A²s
2,5
5,8
6,5
11,5 -
kV
V
µC
nF86 -
nF - 4
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
V
= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C,
CE
= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C I
V
CE
date of publication: 2002-07-29
revision: 2.0
1 (8)
I
CES
GES
-
- - 400
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
mA - 5
nA
Technische Information / technical information
j
j
j
j
j
j
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
Modulindiktivität
stray inductance module
IC= 1200A, VCC= 600V
VGE=±15V, R
VGE=±15V, R
=1,8W, Tvj=25°C
Gon
=1,8W, Tvj= 125°C
Gon
IC= 1200A, VCC= 600V
VGE=±15V, R
V
=±15V, R
GE
=1,8W, Tvj=25°C
Gon
=1,8W, Tvj= 125°C
Gon
IC= 1200A, VCC= 600V
VGE=±15V, R
=±15V, R
V
GE
=0,62W, Tvj=25°C
Goff
=0,62W,Tvj= 125°C
Goff
IC= 1200A, VCC= 600V
VGE=±15V, R
V
=±15V, R
GE
I
= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH
C
VGE=±15V, R
=0,62W, Tvj=25°C
Goff
=0,62W,Tvj= 125°C
Goff
=1,8W, Tvj= 125°C
Gon
IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH
VGE=±15V, R
£ 10µs, VGE £ 15V, TVj £ 125°C
t
P
= 900V, V
V
CC
=0,62W, Tvj= 125°C
Goff
= V
CEmax
CES
- L
sCE
· çdi/dtç
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
t
d,on
t
t
d,off
t
E
E
off
I
SC
L
sCE
- 0,54 - µs
- 0,64 - µs
- 0,22 - µs
r
- 0,23 - µs
- 0,82 - µs
- 0,96 - µs
- 0,15 - µs
f
- 0,18 - µs
-
on
-
-
- 12
245
190
- mJ
- mJ
4800 - A
- nH
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
T
= 25°C
c
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recoverred charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF= I
I
I
V
V
I
VR= 600V, VGE= -15V, T
V
I
V
V
, VGE= 0V, Tvj= 25°C
C, nom
= I
, VGE= 0V, Tvj= 125°C
F
C, nom
, -diF/dt= 4800A/µs
F=IC,nom
= 600V, VGE= -15V, T
R
= 600V, VGE= -15V, T
R
, -diF/dt= 4800A/µs
F=IC,nom
= 600V, VGE= -15V, T
R
, -diF/dt= 4800A/µs
F=IC,nom
= 600V, VGE= -15V, T
R
= 600V, VGE= -15V, T
R
= 25°C
v
= 125°C
v
= 25°C
v
= 125°C
v
= 25°C
v
= 125°C
v
R
CC´/EE´
0,19
V
I
RM
Q
E
rec
- 2,0 2,5 V
F
- 1,8 - V
390
-
620
-
r
55
-
150
-
13
-
35
-
- -
mW
-
-
-
-
-
-
A
A
µC
µC
mJ
mJ
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
2 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Transistor /per transistor, DC
pro Diode/per Diode, DC
pro Modul / per module
l
Paste/lgrease
=1W/m*K
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
T
R
R
R
T
T
thJC
thJC
thCK
vj max
vj op
stg
- - 0,022 K/W
- - 0,040 K/W
-40 -
-40 - 125
K/W-0,006-
°C150--
125 °C
°C
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Schraube /screw M5
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
Al
2O3
32
>400
M
4,25
M-
1,7
M
G 1500
-
5,75
2,3 Nm
mm
mm20
Nm
Nm8-10
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
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3 (8)
Technische Information / technical information
j
V
V
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)
output characteristic (typical)
2400
2100
Tvj = 25°C
1800
1500
1200
[A]
C
I
900
600
300
Tvj = 125°C
GE
= 15
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
[V]
V
CE
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE)
output characteristic (typical) T
2400
2100
1800
1500
1200
[A]
C
I
900
600
Vge=19V
Vge=17V
Vge=15V
Vge=13V
Vge=11V
Vge=9V
= 125°C
v
300
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
[V]
V
CE
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
4 (8)
Technische Information / technical information
V
V
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
2400
2100
1800
1500
1200
[A]
C
I
900
600
Tvj=25°C
Tvj=125°C
vorläufige Daten
preliminary data
IC= f(VGE)
= 20
CE
300
0
5678910111213
[V]
V
GE
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
2400
2100
1800
1500
1200
[A]
F
I
900
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IF= f(VF)
600
300
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
[V]
V
F
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
5 (8)
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Technische Information / technical information
g
goff
j
j
IGBT-Module
IGBT-Modules
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
800
700
600
500
400
E [mJ]
300
200
100
Eon
Eoff
Erec
FZ1200R12KE3
Eon= f (IC) , E
VGE=±15V, R
=1,8W, R
on
off
vorläufige Daten
preliminary data
= f (IC) , E
=0,62W, VCE=600V, T
rec
= f (IC)
=125°C
v
0
0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
800
700
600
500
400
E [mJ]
300
,
200
Eon
Eoff
Erec
[A]
I
C
Eon= f (RG) , E
VGE=±15V, IC=1200A, VCE=600V, T
= f (RG) , E
off
=125°C
v
= f (RG)
rec
100
0
024681012141618
[W]
R
G
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
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6 (8)
Technische Information / technical information
j
IGBT-Module
IGBT-Modules
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
0,1
0,01
[K/W]
thJC
Z
0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
FZ1200R12KE3
Z
thJC
t [s]
vorläufige Daten
preliminary data
= f (t)
Zth : IGBT
Zth : Diode
i
r
[K/kW] : IGBT
i
[s] : IGBT
t
i
[K/kW] : Diode
r
i
[s] : Diode
t
i
1
2,63
6,897E-01
11,48
4,452E-01
5,634E-02
7,451E-02
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
3000
2700
2400
2100
1800
1500
[A]
C
I
1200
IC,Chip
900
600
300
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
IC,Chip
2
8,62
12,60
V
CE
[V]
3
8,49
2,997E-02
13,23
2,647E-02
VGE=±15V, T
2,26
3,820E-03
2,69
2,850E-03
=125°C
v
4
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
7 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ1200R12KE3
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
61.5
29.5
±0.5
18
±0.2
130 ±0.5
114
28.25 ±0.5 18.25 ±0.5
14.75 ±0.5
M
±0.1
C
14 ±0.5
E
8
±0.3
±0.3
M8
C
vorläufige Daten
preliminary data
C
C
(K)
(K)
E
E
(A)
(A)
DD...
C
C
E
FD...
C
C
C
G
E
E
E
C
2
+0.2
28 ±0.5
4.0 tief
2.5 tief
C
10.65
48.8 ±0.2
±0.2
GE
10.35
±0.2
G
E
E
external connection
ø7
(f ür M6-Schr aube)
+0.1
(to be done)
FZ...
E
IH4
8 (8)
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
Nutzungsbedingungen
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einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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