Infineon D1050N Data Sheet

N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Elektrische Eigenschaften
maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom
average on-state current Dauergrenzstrom
average on-state current Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Durchlaßkennlinie 500 A ≤ iF 5000 A on-state characteristic
Sperrstrom reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
H.Sandmann date of publication: 2009-06-16
= -40°C... T
T
vj
I
= 130 °C
T
C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
Tvj =25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
iD)1i(lnCiBAv ++++=
F
Tvj = T
vj max
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
T
vj max
tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 5,0 kA , iF = 1,0 kA V
r
A=
, vR = V
RRM
revision: 2
V
1200
RRM
1400
2590 A
FRMSM
I
1050 A
FAVM
FAVM
FRMS
24000
I
FSM
I²t 2880
v
F
(TO)
0,17
T
iR
R
thJC
R
thCH
T
vj max
c op
T
stg
max. max.
B= C= D=
max.
max. max. max. max. max. max.
max. max.
-40...+180 °C
-40...+180 °C
1600 1800
2000 A
3140 A
18500
1710
1,76 1,00V V 0,81 V
-6,685E-01 2,114E-04 2,752E-01
-1,385E-02
60 mA
0,038 0,035 0,064 0,061 0,085 0,082
0,005 0,010
180
V V
A A
10³A²s 10³A²s
m
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
°C
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
F 10...24 kN
G typ. 280 g
25 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
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Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Maßbild
Maßbild
12
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
1: Anode/ Anode
2: Kathode/
Cathode
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N
=
τ
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,000008 0,000782 0,00342 0,00369 0,0131 0,014 -
thn
two-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W]
thn
anodenseitig
anode-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,000008
thn
cathode-sided
τ
[s]
n
Analytische Funktion / Analytical function:
für DC
thJC
thJC
for DC
0,000020 0,000583 0,00336 0,04580 0,1730 0,999 -
0,000008
0,000020
0,000020
0,000772
0,000581
0,000522
0,000479
0,00339
0,00333
0,00305
0,00254
0,0028
0,0381
0,00184
0,01630
0,01713
0,18200
0,0169
0,1460
n
max
Σ
n=1
thnthJC
0,0369
5,8300
0,00538
6,65000
-t
n
e1RZ
-
-
0,0543
kathodenseitig
6,8200
0,10
0,08
0,06
[°C/W]
thJC
0,04
Z
0,02
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
t [s]
= f(t)
c
a
b
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Erhöhung des Z
Rise of Z
Diagramme
th DC
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
6.000
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Z
th Θ rec
[°C/W]
Z
th Θ sin
[°C/W]
Z
th Θ rec
[°C/W]
Z
th Θ sin
[°C/W]
Z
th Θ rec
[°C/W]
Z
th Θ sin
[°C/W]
Z
Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
0,00473
0,00272
0,00448
0,00334
0,00448
0,00334
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
th Θ rec
= Z = Z
/ ∆Z
0,00817
0,00423
0,00759
0,00489
0,00759
0,00489
th DC
th DC
th Θ sin
+ ∆Z + ∆Z
th Θ rec
th Θ sin
0,01087
0,00629
0,00985
0,00693
0,00985
0,00693
0,01493
0,00972
0,01292
0,01005
0,01292
0,01005
0,02245
0,01714
0,01725
0,01518
0,01725
0,01518
5.000
4.000
3.000
[A]
F
i
2.000
1.000
Durchlasskennlinie
T
= T
vj
0
0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
V
[V]
F
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
T
= Tvj
vj
max
vj max
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
3500
3000
Durchlassverluste
a
2500
b
c
2000
[W]
FAV
1500
P
1000
500
f
d
e
Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load)
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
I
FAV
[A]
= f(I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
FAV
FAV
)
Tc beidseitig
Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load)
[°C]
C
T
180
160
140
120
100
80
60
40
20
d bef
c
a
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
I
[A]
FAV
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
= f(I
C
FAV
)
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
10000
Qr Diagramm
[µAs]
r
Q
1000
100
0,1 1 10 100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
T
= T
vj
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7, C = 1,5µF
vjmax , vR
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
-di/dt [A/µs]
iFM = 1600A 800A 400A 200A
100A 50A
20
18
16
14
12
[kA ]
10
F(OV)M
I
8
6
4
2
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
Typical dependency of maximum overload on-state current I
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
I
= f (pulses, VRM) ; Tvj = T
F(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
F(OV)M
as a number of a sequence of
F(OV)M
vj max
RM
RM
0-5 0V 0,33 V
0,67 V
RRM
RRM
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
Seite/page
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
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- the conclusion of Quality Agreements;
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