N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Elektrische Eigenschaften
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 500 A ≤ iF ≤ 5000 A
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
H.Sandmann date of publication: 2009-06-16
= -40°C... T
T
vj
I
= 130 °C
T
C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
Tvj = T
vj max
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
vj max
tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 5,0 kA
, iF = 1,0 kA
V
r
A=
, vR = V
RRM
revision: 2
V
1200
RRM
1400
2590 A
FRMSM
I
1050 A
FAVM
FAVM
FRMS
24000
I
FSM
I²t 2880
v
F
(TO)
0,17
T
iR
R
thJC
R
thCH
T
vj max
c op
T
stg
max.
max.
B=
C=
D=
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
-40...+180 °C
-40...+180 °C
1600
1800
2000 A
3140 A
18500
1710
1,76
1,00V V
0,81 V
-6,685E-01
2,114E-04
2,752E-01
-1,385E-02
60 mA
0,038
0,035
0,064
0,061
0,085
0,082
0,005
0,010
180
V
V
A
A
10³A²s
10³A²s
mΩ
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
A 02/09 1/8
Seite/page
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
F 10...24 kN
G typ. 280 g
25 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
Seite 3
page 3
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
A 02/09 2/8
Seite/page
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Maßbild
Maßbild
12
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
A 02/09 3/8
Cathode
Seite/page
N
−
=
τ
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,000008 0,000782 0,00342 0,00369 0,0131 0,014 -
thn
two-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W]
thn
anodenseitig
anode-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,000008
thn
cathode-sided
τ
[s]
n
Analytische Funktion / Analytical function:
für DC
thJC
thJC
for DC
0,000020 0,000583 0,00336 0,04580 0,1730 0,999 -
0,000008
0,000020
0,000020
0,000772
0,000581
0,000522
0,000479
0,00339
0,00333
0,00305
0,00254
0,0028
0,0381
0,00184
0,01630
0,01713
0,18200
0,0169
0,1460
n
max
Σ
n=1
thnthJC
0,0369
5,8300
0,00538
6,65000
-t
n
e1RZ
-
-
0,0543
kathodenseitig
6,8200
0,10
0,08
0,06
[°C/W]
thJC
0,04
Z
0,02
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
t [s]
= f(t)
c
a
b
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
A 02/09 4/8
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
Erhöhung des Z
Rise of Z
Diagramme
th DC
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
6.000
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
0,00473
0,00272
0,00448
0,00334
0,00448
0,00334
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
th Θ rec
= Z
= Z
/ ∆Z
0,00817
0,00423
0,00759
0,00489
0,00759
0,00489
th DC
th DC
th Θ sin
+ ∆Z
+ ∆Z
th Θ rec
th Θ sin
0,01087
0,00629
0,00985
0,00693
0,00985
0,00693
0,01493
0,00972
0,01292
0,01005
0,01292
0,01005
0,02245
0,01714
0,01725
0,01518
0,01725
0,01518
5.000
4.000
3.000
[A]
F
i
2.000
1.000
Durchlasskennlinie
T
= T
vj
0
0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
V
[V]
F
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
T
= Tvj
vj
max
vj max
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
A 02/09 5/8
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
3500
3000
Durchlassverluste
a
2500
b
c
2000
[W]
FAV
1500
P
1000
500
f
d
e
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
I
FAV
[A]
= f(I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
FAV
FAV
)
Tc beidseitig
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs belastung / Reverse voltage load)
[°C]
C
T
180
160
140
120
100
80
60
40
20
d bef
c
a
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
I
[A]
FAV
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
= f(I
C
FAV
)
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
A 02/09 6/8
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
10000
Qr Diagramm
[µAs]
r
Q
1000
100
0,1 1 10 100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
T
= T
vj
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
vjmax , vR
≤ 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
-di/dt [A/µs]
iFM =
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
20
18
16
14
12
[kA ]
10
F(OV)M
I
8
6
4
2
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
Typical dependency of maximum overload on-state current I
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
I
= f (pulses, VRM) ; Tvj = T
F(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
F(OV)M
as a number of a sequence of
F(OV)M
vj max
RM
RM
0-5 0V
0,33 V
0,67 V
RRM
RRM
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
A 02/09 7/8
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D1050N
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
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A 02/09 8/8
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