Infineon D1050N Data Sheet

N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1050N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltages

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Elektrische Eigenschaften

maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom

average on-state current
Dauergrenzstrom

average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 500 A ≤ iF ≤ 5000 A
on-state characteristic

Sperrstrom
reverse current

FFF

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

prepared by:

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann

H.Sandmann date of publication: 2009-06-16

= -40°C... T

T

vj

I

= 130 °C

T

C

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I

I

Tvj =25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

T

= T

vj

vj max

iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

F

Tvj = T

vj max

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

vj max

tP = 10 ms

, tP = 10 ms

, iF = 5,0 kA
, iF = 1,0 kA
V

r

A=

, vR = V

RRM

revision: 2

V

1200

RRM

1400

2590 A

FRMSM

I

1050 A

FAVM

FAVM

FRMS

24000

I

FSM

I²t 2880

v

F

(TO)

0,17

T

iR

R

thJC

R

thCH

T

vj max

c op

T

stg

max.
max.

B=
C=
D=

max.

max.
max.
max.
max.
max.
max.

max.
max.

-40...+180 °C

-40...+180 °C

1600
1800

2000 A

3140 A

18500

1710

1,76
1,00V V
0,81 V

-6,685E-01
2,114E-04
2,752E-01

-1,385E-02

60 mA

0,038
0,035
0,064
0,061
0,085
0,082

0,005
0,010

180

V
V

A
A

10³A²s
10³A²s

mΩ

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

A 02/09 1/8

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N

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1050N

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Mechanische Eigenschaften

F 10...24 kN

G typ. 280 g

25 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

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page 3

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann

A 02/09 2/8

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Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1050N

Maßbild

Maßbild

12

IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann

1: Anode/
Anode

2: Kathode/

A 02/09 3/8

Cathode

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