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NTE224
Silicon NPN Transistor
Final RF Power Output for CB
PO = 4W, 50MHz
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, V
Collector−Emitter Voltage (RBE = 10Ω), V
Emitter−Base Voltage, V
Collector Current, I
C
Continuous 2A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak 4A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter Current, I
E
Continuous −2A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak −4A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), P
Junction Temperature, T
Storage Temperature Range, T
CBO
CER
EBO
C
J
stg
60V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
+175°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−65° to +175°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current I
DC Current Gain h
Collector−Emitter Saturation Voltage V
Base−Emitter Voltage V
Transition Frequency f
Collector Output Capacitance C
Output Power P
CBO
CE(sat)IC
FE
BE CE
VCB = 30V, IE = 0 − − 10 µA
VCE = 5V, IC = 500mA 10 30 140
= 500mA, IB = 100mA − − 1.0 V
= 5V, IC = 500mA − − 1.2 V
VCE = 10V, IE = −200mA 150 300 − MHz
T
VBE = 10V, IE = 0, f = 1MHz − 25 50 pF
ob
VCC = 12V, f = 50MHz,
O
P
= 0.4W, η = 60%
in
4 5 − W
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.370 (9.39) Dia Max
.143 (3.65) Min .019 (0.48) Dia
.315
(8.0).065 (1.68)
.190 (4.82)
Emitter
Base
Collector/Case
.500
(12.7)
.630 (16.0)
1.000 (25.4)
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