TOSHIBA TPS851 User Manual
東芝フォト IC シリコンエピタキシャルプレーナ
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TPS851
TPS851
○ 携帯電話、PHS
○ ノート PC、PDA
○ ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ
○ そのほか光量調整用
TPS851 は、フォトダイオードと電流増幅回路を 1 チップに集積化した超
小型の照度センサ用表面実装型フォト IC です。
フォトトランジスタに比べて高感度で、感度バラツキが小さいという優れ
た特長を持っています。
視感度に近い分光感度を持っているので、明るさに比例したリニア出力が
得られます。
また、超小型の表面実装型パッケージの採用により、携帯電話機の表示部
バックライトの点灯制御や家電機器のパワーセーブ制御などに用いること
で、機器の省エネに貢献できます。
• 鉛フリーはんだ、リフロー実装対応の超小型·軽量の表面実装型
パッケージ : 2.0 × 2.1 mm (厚さ 0.7 mm)
• 照度に対する優れた出力リニアリティ
• 光感度が高く、低バラツキ
: I
: 光電流バラツキ幅 1.67 倍 (ランク指定時)
: 光電流の温度変動が少ない
• 視感度補正機能を内蔵し、光源別の光感度差を低減
: I
• バッテリー駆動に適した低電圧動作型
: 動作電圧 = 2.7~5.5 V
最大定格
= 37~74 µA @蛍光灯 100 lx 照射
L
(@白熱灯)/IL (@蛍光灯) = 1.2 倍 (標準)
L
(Ta = 25°C)
東 芝 ―
質量: 0.0054 g (標準)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
出力電圧 V
光電流 I
許容損失 P 35 mW
動作温度 T
保存温度 T
は ん だ 付 け 温 度 (注 1) T
注 1: リフロー時の加熱時間、推奨温度プロファイルは ｢使用上の注意｣ 項に掲載してあります。
CC
OUT
5 mA
L
−30~85 °C
opr
stg
260 °C
sol
−0.5~7 V
VCC V
−40~100 °C
1
2004-03-10
TPS851
電気･光学的特性
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
電源電圧 VCC ⎯ 2.7 ⎯ 5.5 V
消費電流 ICC
光 電 流 (1) IL (1) VCC = 3 V, EV = 100 lx (注 2), (注 4) ⎯ 62 ⎯ µA
光 電 流 (2) IL (2) VCC = 3 V, EV = 10 lx (注 3), (注 4) 3.7 ⎯ 7.4 µA
光 電 流 (3) IL (3) VCC = 3 V, EV = 100 lx (注 3), (注 4) 37 ⎯ 74 µA
光電流比
(Ta = 25°C)
= 3 V, EV = 1000 lx
V
CC
R
= 1 kΩ (注 2)
L
(1) LI
(3) LI
⎯ ⎯
⎯ 620 ⎯ µA
1.7
1.2
暗電流 I
飽和出力電圧 VO
ピーク感度波長 λp ⎯ ⎯ 600 ⎯ nm
スイッチング時間
上昇時間 t
下降時間 t
VCC = 3.3 V, EV = 0 ⎯ ⎯ 0.17 µA
LEAK
V
= 3 V, RL = 150 kΩ, EV = 100 lx
CC
(注 3)
= 3 V, RL = 5 kΩ
r
f
V
CC
(注 5)
2.2 2.35 ⎯ V
⎯ 0.07 1
⎯ 0.4 2
注 2: 光源には CIE 標準 A 光源 (色温度 = 2856K、白熱灯光源に近似) を用いる。
注 3: 光源には蛍光灯を用いる。ただし、量産工程においては白色 LED にて代用する。
I
分類 IL (3) → A: 37~62 µA、B: 44~74 µA
L
注 4: 光電流測定回路
V
CC
I
光源
TPS851
L
OUT
A
注 5: スイッチング時間の測定方法
ms
I
GND
V
F
1.5 V
OUT
90%
10%
t
r
tf
パルス駆動
白色 LED
TPS851
V
CC
OUT
R
L
2
2004-03-10
外形寸法図
TPS851
単位: mm
公差: ±0.1
( ) は参考値
: 受光部エリア
受光部サイズ: (□0.35 mm)
質量: 0.0054 g (標準)
内部回路ブロック図
電流
増幅
1. VCC
5. OUT
2. GND
3. NC
4. NC
ピン接続
1. V
CC
2. GND
3. NC
4. NC
5. OUT
3
2004-03-10
使用上の注意
暗状態での電源投入時は、内部回路安定のため約 100 µs の間、出力が変化しますのでご注意ください。
防湿梱包
(1) 樹脂の吸湿を抑えるため、シリカゲル入りのアルミパックで梱包しています。
(2) 吸湿によるはんだ付け時の気化膨張のため、光学特性に影響のでることがあります。開封後は、下記条件
下で保存してください。
温度: 5∼30°C、湿度: 60%以下、時間: 168 h max
(3) 防湿梱包状態で 6 ヶ月、または開封後 168 h が過ぎた場合はべーキング処理を実施してください。
この製品はテーピング包装を行っていますので、高温でのベーキングは避けてください。
推奨べーキング条件: 60°C、12 h 以上
実装上の注意
(1) 樹脂部に高温の状態で応力をかけないでください。
(2) 樹脂部は傷つきやすいため、硬いもので摩擦は避けてください。
(3) この製品を実装した基板をセット本体に組み込む際には、製品がほかの部品に接触しないようにしてくだ
さい。
実装方法
(1) リフローはんだ
• パッケージ表面温度は最大 260°C としてください。
• 推奨温度プロファイルを以下に示しますので、参照ください。
また、リフロー回数は 2 回までとしてください。
TPS851
260°C max
230°C
190°C
温 度 (°C) →
180°C
• 1 回目のリフローは、開封後 168 h 以内に上記温度プロファイルで実施してください。
• 2 回目のリフローについて
1 回目のリフロー後速やかに実施し、最大 168 h 以内に上記温度プロファイルで実施してください。
2 回目のリフローまでの保管は、30°C、60%RH 以下で保存してください。
• フローはんだは実施しないでください。
• 手はんだによる修正は、1 箇所当たりはんだゴテ 25 W にて 350°C 以下、5 s 以内で実施してください。
なお、手はんだによる修正は、1 箇所につき 1 回までとしてください。
プリヒート部
60∼120 s
時 間 (s) →
加熱部 30∼50 s
4
2004-03-10
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