TOSHIBA TPD7102F Technical data
東芝インテリジェントパワーデバイス シリコンモノリシックパワーMOS型集積回路
TPD7102F
1 出力ハイサイド n-ch パワーMOS FET ゲートドライバ
TPD7102F は 1ch のハイサイドスイッチ用 n-ch パワーMOS FET ゲートド
ライバです。チャージポンプ回答を内蔵しており、大電流アプリケーションの
ハイサイドスイッチを容易に構成することができます。
特 長
z チャージポンプ回路を内蔵しています。
z 外付けパワーMOSFET のゲート・ソース間電圧診断機能を内蔵していま
す。
z 外囲器は小型、面実装タイプ PS-8 で梱包形態はエンボステーピングです。
ピン接続 現品表示
TPD7102F
SON8-P-0303-0.65
質量: 0.017g (標準)
DIAG ①
ENB ②
IN ③
GND ④
（TOP VIEW）
⑧ V
⑦ OUT1
⑥ OUT2
⑤ SOURCE
DD
製品名 (または略号)
D7102
・正面から見てマーク左下のドット(●)が 1 番端子を示して
います。
※ ロット No.表示説明
3 桁の算用数字で構成する。
製造週コード：1 月第 1 木曜の週を第 1 週
01 とし、以降 52 または 53 まで
製造年コード：西暦の末尾 1 桁
本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別
に必ず弊社営業窓口までお問合せください。
RoHS 指令とは、「電気電子機器に含まれる特定有害物質
の使用制限(RoHS)に関する 2003年1月27日付けの欧州
議会および欧州理事会の指令(EU 指令 2002/95/EC)」のこ
とです。
ロット表示
* この製品は MOS 構造ですので取り扱いの際には静電気にご注意ください。
1
2010-06-07
ブロック図／応用回路例
TPD7102F
BATT
V
DD
内部基準電源
)
(V
REG
IN
ENB
5V
過電圧
保護
入力
ロジック
定電流
ドライバ
チャージ
ポンプ
発振回路
OUT1-SOURCE 間電圧(VGS)モニタ回路
VDD+10V
1mA →
OUT1
OUT2
5kΩ
1MΩ
SOURCE
負荷
DIAG
診断
ロジック
GND
フィルタ
(2.2μs)
COMP
AMP
1/7
2
2010-06-07
端子説明
端子番号 記号 端子の説明
1 DIAG 診断出力端子。N-ch オープンドレイン構造。
2 ENB イネーブル端子。プルダウン抵抗内蔵。VENB=L 時は OUT1 は Hz、OUT2=L レベルとなります。
3 IN 入力端子。プルダウン抵抗内蔵。VIN=V
4 GND 接地端子。
5 SOURCE 外付けパワーMOSFET のソース電圧モニタ端子。
6 OUT2 出力端子 2。
7 OUT1 出力端子 1。
8 VDD 電源端子。
ENB
タイミングチャート
TPD7102F
=“H”時に出力(OUT1､OUT2)が“H”になります。
VDD
V
ENB
L
V
IN
動作電源電圧 VDD min
H
H
L
チャージポンプ
非動作
(発振停止)
動作(発振)
V
OUT1
Hz(ハイインピーダンス
V
OUT2
L
H
H
H
VGS
(V
OUT1-VSOURCE
V
DIAG
間電圧)
Hz(ハイインピーダンス
注 1：IN、ENB への H 入力は VDDへ動作電源電圧範囲条件印加後としてください。
L
L
正常動作
(正常 VGS)
VGS低下検出
VDD過電圧検出
VDD過電圧保護
(発振停止)
VGS低下検出電圧
3
2010-06-07
真理値表
IN
ENB
信号
注 2：VGS=H(VGS＞V
注 3：Hz：ハイインピーダンス
補足説明：DIAG 出力は V
信号
L L Hz L Hz
H L Hz L Hz
L H
H H 発振 H H
L L Hz L Hz
H L Hz L Hz
L H
H H 発振 H H
L L Hz L Hz
H L Hz L Hz
L H Hz L Hz
H H H H
L L Hz L Hz
H L Hz L Hz
L H Hz L Hz
H H
チャージ
ポンプ回路
発振停止
発振停止
発振停止
)／ VGS=L(VGS≦V
GSUV
IN=VENB=VGS
V
V
OUT1
Hz L Hz
Hz L Hz
H H
=H 時のみ“L”を出力します。
OUT2
GSUV
VGS DIAG 出力 モード
=H
V
GS
正常時
(V
DD
V
DD
(V
DD
間電圧
=7～18V)
過電圧時
＞18V)
=L
V
GS
V
=H
GS
=L
V
GS
) ※VGS=V
L
Hz
L
Hz
OUT1-VSOURCE
TPD7102F
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2010-06-07
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位 備考
TPD7102F
電源電圧
入力電圧 V
診断出力電圧 V
診断出力電流 I
出力シンク電流(DC) I
SOURCE 端子負電圧 -V
許 容 損 失 (注 4-a) P
許 容 損 失 (注 4-b) P
動作温度 T
ジャンクション温度 T
保存温度 T
DC V
パルス V
-0.3～25 V
DD(1)
35 V t=400ms 単発パルス
DD(2)
-0.3～6 V
IN
-0.3～25 V
DIAG
2 mA
DIAG
(+) 5 mA シンク電流
OUT2
SOURCE
-7 V t≦0.1μs, SOURCE 端子 10kΩ抵抗接続時
0.7 W
D(1)
0.35 W
D(2)
-40～125 °C
opr
150 °C
j
-55～150 °C
stg
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧
等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷(高温
および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそ
れがあります。弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考
え方と方法) および個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設
計をお願いします。
熱抵抗特性
項目 記号 定格 単位
ジャンクション・周囲間熱抵抗 R
th (j–a)
178.6(注 4-a)
357.2(注 4-b)
注 4:
(a)ガラスエポキシ基板 (b)ガラスエポキシ基板
ガラスエポキシ基板
材質：FR-4
25.4mm×25.4mm×0.8mm
°C / W
ガラスエポキシ基板
材質：FR-4
25.4mm×25.4mm×0.8mm
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