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東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC7S00F, TC7S00FU
TC7S00F/FU
2-Input NAND Gate
特 長
• 高速動作 : tpd = 7ns (標準) @VCC = 5 V
• 低消費電流 : I
• 高雑音余裕度 : V
• 高ファンアウト : LSTTL 5 個を直接駆動可能
• 対称出力インピーダンス : |I
• バランスのとれた遅延時間 : t
• 広い動作電圧範囲 : VCC = 2~6 V
= 1 μA (最大) @Ta = 25°C
CC
= V
NIH
| = IOL= 2mA (最小)
OH
pLH ≒ tpHL
= 28% V
NIL
CC
(最小)
現品表示
E 1
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
形名
TC7S00F
(SMV)
TC7S00FU
(USV)
質量
SSOP5-P-0.95 : 0.016 g (標準)
SSOP5-P-0.65A : 0.006 g (標準)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
入力電圧 VIN −0.5~VCC + 0.5 V
出力電圧 V
入力保護ダイオード電流 IIK ±20 mA
出力保護ダイオード電流 IOK ±20 mA
出力電流 I
電源/GND 電流 ICC ±25 mA
許容損失 PD 200 mW
保存温度 T
リード温度 ( 10 s ) T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、 高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、 信頼性が著しく低下するおそれが
あります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、 推定故障率等) をご確認の上、 適切な信頼性設計をお願いします。
CC
−0.5~VCC + 0.5 V
OUT
±12.5 mA
OUT
−65~150 °C
stg
L
−0.5~7.0 V
260 °C
IN B 1
IN A 2
GND 3
図 (top view)
5 V
4 OUT Y
CC
2009-08-03 1
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電気的特性
DC特性
TC7S00F/FU
項目 記号 測定条件
H レベル V
入力電圧
L レベル V
H レベル VOH
出力電圧
L レベル V
入力電流I
静的消費電流 I
IH
IL
V
IN
V
OL
IN
IN VIN
CC VIN
or
⎯
⎯
IOH = −20 μA
= V
IH
V
IL
IOH = −2 mA 4.5 4.18 4.31 ⎯ 4.13 ⎯
IOH = −2.6 mA 6.0 5.68 5.80 ⎯ 5.63 ⎯
IOL = 20 μA
= V
IH
IOL = 2 mA 4.5 ⎯ 0.17 0.26 ⎯ 0.33
IOL = 2.6 mA 6.0 ⎯ 0.18 0.26 ⎯ 0.33
= VCC or GND 6.0 ⎯ ⎯ ±0.1 ⎯ ±1.0 μA
= VCC or GND 6.0 ⎯ ⎯ 1.0 ⎯ 10.0 μA
Ta = 25°C Ta = −40~85°C
V
(V) 最小 標準 最大 最小 最大
CC
2.0 1.5 ⎯ ⎯ 1.5 ⎯
4.5 3.15 ⎯ ⎯ 3.15 ⎯
6.0 4.2 ⎯ ⎯ 4.2 ⎯
2.0 ⎯ ⎯ 0.5 ⎯ 0.5
4.5 ⎯ ⎯ 1.35 ⎯ 1.35
6.0 ⎯ ⎯ 1.8 ⎯ 1.8
2.0 1.9 2.0 ⎯ 1.9 ⎯
4.5 4.4 4.5 ⎯ 4.4 ⎯
6.0 5.9 6.0 ⎯ 5.9 ⎯
2.0 ⎯ 0.0 0.1 ⎯ 0.1
4.5 ⎯ 0.0 0.1 ⎯ 0.1
6.0 ⎯ 0.0 0.1 ⎯ 0.1
出力電流は TC74HC 相当品の 1/2 です。AC 電気的特性も一部異なります。
単位
V
V
2009-08-03 3