TOSHIBA TC7S00F, TC7S00FU Technical data

東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
ピン接続
TC7S00F, TC7S00FU
TC7S00F/FU
2-Input NAND Gate
特 長
高速動作 : tpd = 7ns (標準) @VCC = 5 V
高雑音余裕度 : V
高ファンアウト : LSTTL 5 個を直接駆動可能
対称出力インピーダンス : |I
バランスのとれた遅延時間 : t
広い動作電圧範囲 : VCC = 2~6 V
= 1 μA (最大) @Ta = 25°C
CC
= V
NIH
| = IOL= 2mA (最小)
OH
pLH ≒ tpHL
= 28% V
NIL
CC
(最小)

現品表示

E 1
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
形名
TC7S00F
(SMV)
TC7S00FU
(USV)
質量 SSOP5-P-0.95 : 0.016 g (標準) SSOP5-P-0.65A : 0.006 g (標準)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
入力電圧 VIN 0.5~VCC + 0.5 V
出力電圧 V
入力保護ダイオード電流 IIK ±20 mA
出力保護ダイオード電流 IOK ±20 mA
出力電流 I
電源/GND 電流 ICC ±25 mA
許容損失 PD 200 mW
保存温度 T
リード温度 ( 10 s ) T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、 高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、 信頼性が著しく低下するおそれが あります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、 推定故障率等) をご確認の上、 適切な信頼性設計をお願いします。
CC
0.5~VCC + 0.5 V
OUT
±12.5 mA
OUT
65~150 °C
stg
L
0.5~7.0 V
260 °C
IN B 1
IN A 2
GND 3
(top view)
5 V
4 OUT Y
CC
2009-08-03 1
TC7S00F/FU
OUT Y

論理図 真理値表

IN A
IN B
&

動作範囲

項目 記号 定格 単位
電源電圧 VCC 2.0~6.0 V
入力電圧 VIN 0~VCC V
出力電圧 V
動作温度 T
入力上昇, 下降時間 tr , tf
0~VCC V
OUT
40~85 °C
opr
A B Y
L L H
L H H
H L H
H H L
0~1000 (VCC = 2.0 V)
0~ 500 (VCC = 4.5 V)
0~ 400 (V
= 6.0 V)
CC
ns
2009-08-03 2

電気的特性

DC特性

TC7S00F/FU
項目 記号 測定条件
H レベル V
入力電圧
L レベル V
H レベル VOH
出力電圧
L レベル V
入力電流I
静的消費電流 I
IH
IL
V
IN
V
OL
IN
IN VIN
CC VIN
or
IOH = −20 μA
= V
IH
V
IL
IOH = 2 mA 4.5 4.18 4.31 4.13
IOH = 2.6 mA 6.0 5.68 5.80 5.63
IOL = 20 μA
= V
IH
IOL = 2 mA 4.5 0.17 0.26 0.33
IOL = 2.6 mA 6.0 0.18 0.26 0.33
= VCC or GND 6.0 ±0.1 ±1.0 μA
= VCC or GND 6.0 1.0 10.0 μA
Ta = 25°C Ta = −40~85°C
V
(V) 最小 標準 最大 最小 最大
CC
2.0 1.5 1.5
4.5 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2
2.0 0.5 0.5
4.5 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8
2.0 1.9 2.0 1.9
4.5 4.4 4.5 4.4
6.0 5.9 6.0 5.9
2.0 0.0 0.1 0.1
4.5 0.0 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1
出力電流は TC74HC 相当品の 1/2 です。AC 電気的特性も一部異なります。
単位
V
V
2009-08-03 3
TC7S00F/FU
AC特性
AC 特性
(CL= 15pF, Input: tr = tf = 6 ns, V
項目 記号 測定条件
t
出力上昇, 下降時間
伝搬遅延時間
TLH
t
THL
t
pLH
t
pLH
(CL= 50pF, Input: tr = tf = 6 ns)
項目 記号 測定条件
t
出力上昇, 下降時間
伝搬遅延時間
入力容量 CIN 5 10 10 pF
等価内部容量 CPD (1) 10 pF
TLH
t
THL
t
pLH
t
pHL
= 5V)
CC
Ta = 25°C
最小 標準 最大
5 10 ns
7 15 ns
単位
Ta = 25°C Ta = −40~85°C
V
(V) 最小 標準 最大 最小 最大
CC
2.0 50 125 ⎯ 155
4.5 14 25 31
6.0 12 21 26
2.0 48 100 ⎯ 125
4.5 12 20 25
6.0 9 17 ⎯ 21
単位
ns
ns
(1): CPDは無負荷時の動作消費電流から算出した IC 内部の等価容量です。
無負荷時の平均動作消費電流は、 次式から求められます。 I
CC (opr)
= CPD・VCC・fIN + ICC
AC 電気的特性測定回路図
動作消費電流測定回路
入力波形は AC 電気的特性の測定波形と同じ。
2009-08-03 4
外形図
TC7S00F/FU
質量: 0.016 g (標準)
2009-08-03 5
外形図
TC7S00F/FU
質量: 0.006 g (標準)
2009-08-03 6
TC7S00F/FU
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2009-08-03 7
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