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TC74VHC27F/FT/FK
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC74VHC27F,TC74VHC27FT,TC74VHC27FK
Triple 3-Input NOR Gate
TC74VHC27 は、シリコンゲート CMOS 技術を用いた超高速
CMOS 3 入力 NOR ゲートです。CMOS の特長である低い消費電力
で、高速ショットキ TTL に匹敵する高速動作を実現できます。また、
新規に採用した Q&Q バッファにより、スイッチング時に発生する各
種ノイズも大幅に低減しました。
内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり、高い雑音余裕度と安
定な出力が得られます。
すべての入力端子には、プラス側 (入力から V
に向かって順方
CC
向になる) のダイオードが入らない、新開発の入力保護回路を採用し
ました。これにより、電源電圧が加わらない状態で入力に 5.5 V の電
圧が与えられるケースも許容されます。この入力パワーダウンプロ
テクション方式により、2 電源間インタフェース、5 V から 3 V 系へ
のレベル変換、バッテリーバックアップ回路などへの幅広い応用が
可能となります。
特 長
TC74VHC27F
TC74VHC27FT
• 高速動作 : tpd = 4.1 ns (標準) (VCC = 5 V)
• 低消費電流 : I
• 高雑音余裕度 : V
= 2 μA (最大) (Ta = 25°C)
CC
NIH
= V
= 28% VCC (最小)
NIL
• 全入力とも、パワーダウンプロテクション機能あり
• バランスのとれた遅延時間 : t
• 広い動作電圧範囲 : V
∼
−
pLH
CC (opr)
t
pHL
= 2~5.5 V
• 74ALS27 と同一ピン接続、同一ファンクション
ピン接続 論理図
1A
1B
2A
2B
2C
2Y
14
13
12
11
10
9
VCC
1C
1Y
3C
3B
3A
1
2
3
4
5
6
1A
1B
1C
2A
2B
2C
3A
3B
3C
TC74VHC27FK
質量
SOP14-P-300-1.27A : 0.18 g (標準)
TSSOP14-P-0044-0.65A : 0.06 g (標準)
VSSOP14-P-0030-0.50 : 0.02 g (標準)
(1)
(2)
(13)
(3)
(4)
(5)
(9)
(10)
(11)
1
(12)
(6)
(8)
1Y
2Y
3Y
GND
7
(Top view)
8
3Y
1
2008-08-01
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TC74VHC27F/FT/FK
真理値表
A B C Y
H X X L
X H X L
X X H L
L L L H
X: Don’t care
絶対最大定格 (注)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 VCC −0.5~7.0 V
入力電圧 VIN −0.5~7.0 V
出力電圧 V
入力保護ダイオード電流 IIK −20 mA
出力寄生ダイオード電流 IOK ±20 mA
出力電流 I
電源/GND 電流 ICC ±50 mA
許容損失 PD 180 mW
保存温度 T
−0.5~VCC + 0.5 V
OUT
±25 mA
OUT
−65~150 °C
stg
注: 絶対最大定格は、瞬時たりとも超えてはならない値であり、1 つの項目も超えてはなりません。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温
および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれ
があります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
動作範囲 (注)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
入力電圧 V
出力電圧 V
動作温度 T
入力上昇、下降時間 dt/dv
CC
IN
OUT
opr
注: 動作範囲は動作を保証するための条件です。
使用していない入力は V
、もしくは GND に接続してください。
CC
0~100 (V
2.0~5.5 V
0~5.5
0~V
CC
−40~85 °C
= 3.3 ± 0.3 V)
CC
0~20 (V
= 5 ± 0.5 V)
CC
V
V
ns/V
2
2008-08-01
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電気的特性
特性
DC
入力電圧
出力電圧
入力電流 I
静的消費電流 I
AC
項目 記号
“H” レベル V
“L” レベル V
“H” レベル VOH
“L” レベル V
特性
(input: tr = tf = 3 ns)
IH
IL
OL
IN
CC
TC74VHC27F/FT/FK
測定条件 Ta = 25°C Ta = −40~85°C
V
―
―
IOH = −50 μA
V
IN
= VIL
I
= −4 mA
OH
= −8 mA
I
OH
or
IH
IOL = 50 μA
I
= 4 mA
OL
= 8 mA
I
OL
V
IN
= V
V
IL
VIN = 5.5 V or GND
VIN = VCC or GND 5.5 ― ― 2.0 ― 20.0 μA
CC
最小 標準 最大
(V)
2.0
1.50
3.0~
5.5
2.0
3.0~
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5― ―
0~
5.5
×
V
CC
0.7
―
―
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94― ―
―
―
―
― ― ±0.1 ― ±1.0 μA
―
―
0.50
―
V
―
2.0
3.0
4.5
0.0
0.0
0.0
― ― 0.36
0.36 ― ―
最小 最大
1.50
―
VCC ×
―
0.7
―
×
CC
0.3
―
―
―
― ― 2.48
0.1
0.1
0.1
―
1.9
2.9
4.4
3.80 ― ―
―
―
―
単位
―
―
V
0.50
VCC ×
0.3
―
―
―
V
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
項目 記号
t
伝搬遅延時間
入力容量 CIN ― ― 4 10 ― 10 pF
等価内部容量 CPD (注) ― 20 ― ― ― pF
pLH
t
pHL
測定条件 Ta = 25°C Ta = −40~85°C
V
―
(V) CL (pF)
CC
3.3 ± 0.3
5.0 ± 0.5
最小 標準 最大
15 ― 6.2 8.8 1.0 10.5
50 ― 8.7 12.3 1.0 14.0
15 ― 4.1 5.9 1.0 7.0
50 ― 5.6 7.9 1.0 9.0
最小 最大
注: CPDは、無負荷時の動作消費電流より計算した IC 内部の等価容量です。
無負荷時の平均動作消費電流は、次式により求められます。
I
CC (opr)
= CPD·VCC·fIN + ICC / 3 (ゲート当たり)
単位
ns
3
2008-08-01