TOSHIBA TC74ACT373P, TC74ACT373F, TC74ACT373FT Technical data

TC74ACT373P/F/FT

東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック

TC74ACT373P,TC74ACT373F,TC74ACT373FT

Octal D-Type Latch with 3-State Output

TC74ACT373 は、2 層メタル、シリコンゲート CMOS 技術を用い
た超高速 CMOS 8 ビットラッチです。CMOS の特長である低い消費
電力で、高速ショットキ TTL に匹敵する高速動作を実現できます。

入力は TTL レベル ですので、TTLレベルのバスに直結可能です。

これらの ICは、共通のラッチイネーブル信号 (LE) と、出力イネー
ブル信号 (
により構成されます。

“H” レベルの
るため、バスラインへのインタフェースが容易です。

また、すべての入力には静電破壊から素子を保護するために、ダ
イオードが付加されています。

特 長

OE

) によりコントロールされる独立な 8 ビットのラッチ

OE

信号により出力を高インピーダンス状態にでき

TC74ACT373P

TC74ACT373F

• 高速動作 : tpd = 5.2 ns (標準) (VCC = 5 V)

• 低消費電流 : I

• TTL レベル入力 : V

: V

• 高出力電流 : |IOH| = IOL = 24 mA (最小)

• バランスのとれた遅延時間 : t

• 74F373 と同一ピン接続、同一ファンクション

= 8 μA (最大) (Ta = 25°C)

CC

= 0.8 V (最大)

IL

= 2.0 V (最小)

IH

∼

t

−

pLH

pHL

TC74ACT373FT

質量
DIP20-P-300-2.54A : 1.30 g (標準)
SOP20-P-300-1.27A : 0.22 g (標準)
TSSOP20-P-0044-0.65A : 0.08 g (標準)

1

2007-10-01

ピン接続図 論理図

1

OE

2

Q0

D0

3

4

D1

5

Q1

6

Q2

7

D2 D5

20

19

18

17

16

15

14

V

Q7

D7

D6

Q6

Q5

CC

OE

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

(1)

(11)

(3)

(4)

(7)

(8)

(13)

(14)

(17)

(18)

TC74ACT373P/F/FT

EN

C

LE

1

1D

(2)

(5)

(6)

(9)

(12)

(15)

(16)

(19)

Q0

Q1

Q2

Q3

Q4

Q5

Q6

Q7

8

D3

9

Q3

10

GND

(top view)

真理値表

Inputs Output

LE D Q

OE

H X X Z

L L X Qn

L H L L

L H H H

X : Don’t care

Z : High impedance

Qn: LE が “L” になる前の Q 出力のレベル

システム図

13

12

11

D4

Q4

LE

D0

3

11

LE

1

OE

D1

4 7 8 13 14 17 18

D

Q

L

2

Q0

D2

D

Q

L

5

Q1

D3

D

Q

L

6

Q2

D4

D

Q

L

9

Q3

D5

D

D

Q

L

12

Q4

D6

D

L

15

D

Q

L

16

Q5

2

D7

D

Q

Q6

L

19

Q

Q7

2007-10-01

絶対最大定格 (注 1)

項目 記号 定格 単位

TC74ACT373P/F/FT

電源電圧 V

入力電圧 V

出力電圧 V

入力保護ダイオード電流 I

出力寄生ダイオード電流 I

出力電流 I

電源/GND 電流 I

許容損失 P

保存温度 T

−0.5~7.0 V

CC

−0.5~VCC + 0.5 V

IN

−0.5~VCC + 0.5 V

OUT

±20 mA

IK

±50 mA

OK

±50 mA

OUT

±200 mA

CC

500 (DIP) (注 2)/180 (SOP/TSSOP) mW

D

−65~150 °C

stg

注 1: 絶対最大定格は、瞬時たりとも超えてはならない値であり、1 つの項目も超えてはなりません。

本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温
および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれ
があります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

注 2: Ta = −40~65°C まで、500 mW。Ta = 65~85°C の範囲では−10 mW/°C で、300 mW までディレーティングし

てください。

動作範囲 (注)

項目 記号 定格 単位

電源電圧 V

入力電圧 V

出力電圧 V

動作温度 T

入力上昇、下降時間 dt/dV 0~10 ns/V

CC

IN

OUT

opr

4.5~5.5 V

0~V

CC

0~V

CC

−40~85 °C

注: 動作範囲は動作を保証するための条件です。

使用していない入力は VCC、もしくは GND に接続してください。

V

V

3

2007-10-01