TOSHIBA TC74ACT112P, TC74ACT112F Technical data

東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
TC74ACT112P,TC74ACT112F
Dual J-K Flip Flop with Preset and Clear
TC74ACT112 は、2 層メタル、シリコンゲート CMOS 技術を用い た超高速 CMOS JK フリップフロップです。CMOS の特長である低 い消費電力で、高速ショットキ TTL に匹敵する高速動作を実現でき ます。
入力は TTL レベルですので、TTL レベルのバスに直結可能です。
J および K 入力に与えられた論理レベルに従って、クロックの立 ち下がりで出力が変化します。クリア、プリセット入力は、クロッ クには非同期に出力の状態を決定します。これらの入力は “L” レベ ルで有効です。
また、すべての入力には、静電破壊から素子を保護するために、 ダイオードが付加されています。
特 長
TC74ACT112P
TC74ACT112F
TC74ACT112P/F
高速動作 : f
低消費電流 : I
TTL レベル入力 : V
VIH = 2.0 V (最小)
高出力電流 : |I
バランスのとれた遅延時間 : t
74F112 と同一ピン接続、同一ファンクション
= 175 MHz (標準) (VCC = 5 V)
max
= 4 μA (最大) (Ta = 25°C)
CC
= 0.8 V (最大)
IL
| = IOL = 24 mA (最小)
OH
t
pLH
pHL

ピン接続図

質量
DIP16-P-300-2.54A : 1.00 g (標準) SOP16-P-300-1.27A : 0.18 g (標準)
1
2007-10-01
論理図

真理値表

TC74ACT112P/F
Inputs Outputs
CLR PR J K CK Q Q
L H X X X L H Clear
H L X X X H L Preset
L L X X X H H
H H L L Qn
H H L H L H
H H H L H L
H H H H
H H X X Qn
QnToggle
Q
n
Q
Q
n
n
No change
No change
X: Don’t care

システム図

Function
2
2007-10-01

絶対最大定格 (注 1)

項目 記号 定格 単位
TC74ACT112P/F
電源電圧 V
入力電圧 V
出力電圧 V
入力保護ダイオード電流 I
出力寄生ダイオード電流 I
出力電流 I
電源/GND 電流 I
許容損失 P
保存温度 T
0.5~7.0 V
CC
0.5~VCC + 0.5 V
IN
0.5~VCC + 0.5 V
OUT
±20 mA
IK
±50 mA
OK
±50 mA
OUT
±100 mA
CC
500 (DIP) (2)/180 (SOP) mW
D
65~150 °C
stg
1: 絶対最大定格は、瞬時たりとも超えてはならない値であり、1 つの項目も超えてはなりません。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温 および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれ があります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
2: Ta = −40~65°C まで、500 mWTa = 65~85°C の範囲では−10 mW/°C で、300 mW までディレーティングし
てください。

動作範囲 (注)

項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
入力電圧 V
出力電圧 V
動作温度 T
入力上昇、下降時間 dt/dV 0~10 ns/V
4.5~5.5 V
CC
0~VCC V
IN
0~VCC V
OUT
40~85 °C
opr
注: 動作範囲は動作を保証するための条件です。
使用していない入力は VCC、もしくは GND に接続してください。
3
2007-10-01

電気的特性

特性
DC
TC74ACT112P/F
項目 記号
高レベル入力電圧 V
低レベル入力電圧 V
高レベル出力電圧 V
低レベル出力電圧 V
入力電流 I
静的消費電流
IH
IL
OH
OL
VIN = VCC or GND 5.5 ±0.1 ±1.0 μA
IN
ICC VIN = VCC or GND 5.5 4.0 40.0 μA
I
C
V
IN
= V
V
IN
= V
V
IL
Per input: V
Other input: V
測定条件 Ta = 25°C Ta = −40~85°C
I
= 50 μA
OH
I
= 24 mA
OH
IH
I
= 75 mA ()
OH
= 50 μA
I
OL
I
or
IH
= 24 mA
OL
I
= 75 mA ()
OL
= 3.4 V
IN
or GND
CC
: この規格は 50 Ω終端ラインを駆動する能力を表すものです。
測定時は、1 出力当たりの最大持続時間を 10 ms とします。
タイミング推奨動作条件
項目 記号
最小パルス幅
(
)
CK
最小パルス幅
(
CLR , PR )
最小セットアップ時間 t
最小ホールド時間 t
最小リムーバル時間
(
CLR , PR )
(input: tr = tf = 3 ns)
t
w (L)
t
w (H)
t
5.0 ± 0.5 ⎯ 5.0 5.0 ns
w (L)
5.0 ± 0.5 ⎯ 5.0 5.0 ns
s
5.0 ± 0.5 ⎯ 1.0 1.0 ns
h
t
5.0 ± 0.5 ⎯ 3.0 3.0 ns
rem
測定条件 Ta = 25°C
V
5.0 ± 0.5 5.0 5.0 ns
VCC
最小 標準 最大 最小 最大
(V)
4.5~
5.5
4.5~
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
5.5
2.0
0.8 0.8 V
4.4
3.94
1.35 1.5 mA
2.0 V
4.5
0.0
(V) 標準 Limit Limit
CC
0.1
0.36
4.4
3.80
3.85
0.1
0.44
1.65
Ta
40
~85°C
単位
V
V
=
単位
4
2007-10-01
AC
特性
(CL = 50 pF, RL = 500 Ω, input: tr = tf = 3 ns)
TC74ACT112P/F
項目 記号
伝搬遅延時間
(
CK -Q, Q)
伝搬遅延時間
(
CLR , PR -Q, Q)
最大クロック周波数 f
入力容量 C
等価内部容量 C
t
pLH
t
pHL
t
pLH
t
pHL
max
5 10 ⎯ 10 pF
IN
(注) ⎯ 32 ⎯ ⎯ pF
PD
測定条件 Ta = 25°C Ta = 40~85°C
V
5.0 ± 0.5 6.4 10.0 1.0 11.5 ns
5.0 ± 0.5 6.8 10.5 1.0 12.0 ns
5.0 ± 0.5 85 100 85 MHz
(V) 最小 標準 最大 最小 最大
CC
: CPDは、無負荷時の動作消費電流より計算した IC 内部の等価容量です。
無負荷時の平均動作消費電流は、次式により求められます。
ICC (opr) = CPD・VCC・fIN + ICC/2 (1 回路当たり)
単位
5
2007-10-01
外形図
TC74ACT112P/F
質量: 1.00 g (標準)
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外形図
TC74ACT112P/F
質量: 0.18 g (標準)
7
2007-10-01
TC74ACT112P/F
製品取り扱い上のお願い
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