TOSHIBA TB6593FNG Technical data
東芝BiCD集積回路 シリコン モノリシック
TB6593FNG
DCモータドライバ
TB6593FNG は、出力ドライブトランジスタに低ＯＮ抵抗の
LDMOS 素子を採用した DC モータドライバ IC です。
IN1、IN2 の2 つの入力信号により、正転/逆転/ショートブレー
キ/ストップの 4 モードを選択できます。
特 長
• 電源電圧 : VM = 15 V（Max.）
• 出力電流 : Iou t = 1.2 A (ave)/3.2 A (peak)
• 出力低 ON 抵抗: 0.35 Ω (上＋下 Typ.値 @VM ≧ 5 V)
• スタンバイ（Power save）機能
• 正転/逆転/ショートブレーキ/ストップ制御機能
• 熱遮断（TSD）回路および、低電圧検出回路を内蔵
• 小型面実装パッケージ（SSOP20：0.65 mm pitch）を採用
• RoHS 指令に適合
※本製品は、MOS 構造の素子を搭載しており静電気に対し非常にデリケートであるため、
お取り扱いに際しては、アースバンドや導電マットの使用、イオナイザー等による静電気の除去
および、温湿度管理等の静電対策に充分ご配慮願います。
はんだ付け性については、以下の条件で確認しています。
(1) お客様の使用されるはんだ槽（Sn-37Pb 半田槽）の場合
はんだ温度 230℃、浸漬時間 5 秒間１回、R タイプ フラックス使用
(2) お客様の使用されるはんだ槽（Sn-3.0Ag-0.5Cu 半田槽）の場合
はんだ温度 245℃、浸漬時間 5 秒間１回、R タイプ フラックス使用
質量: 0.09g (標準)
TB6593FNG
1
2010-05-26
ブロック図
Vcc
20
STBY
IN1
18
IN2
19
PWM
GND
端子配置、説明
TB6593FNG
VM4
UVLO
3
Control
Logic
2
1
Standby
TSD
H-SW
Driver
17
16
4
5
6
7
14
15
8
9
10
11
12
13
VM3
VM1
VM2
O1
O1
O2
O2
PGND1
PGND2
PGND3
PGND4
PGND5
PGND6
Pin NO. Symbol Characteristics Remarks
1 GND Small signal GND
2 PWM PWM signal input “H” = Active/200 kΩ pull-down at internal
3 STBY Standby signal input “L”= Standby/200 kΩ pull-down at internal
4 VM1
5 VM2
6 O1
7 O1
8 PGND1
9 PGND2
10 PGND3
11 PGND4
12 PGND5
13 PGND6
14 O2
15 O2
16 VM3
17 VM4
18 IN1 Control signal input1
19 IN2 Control signal input2
20 Vcc Small signal supply Vcc = 2.7 V to 5.5 V
VM supply VM = 2.5V to 13.5 V
Output1
Power GND
Output2
VM supply VM = 2.5 V to 13.5 V
200 kΩ pull-down at internal
2
2010-05-26
TB6593FNG
)
絶対最大定格
項目 記号 定格 単位 備考
電源電圧
入力電圧 VIN -0.2 to 6 V IN1, IN2, STBY, PWM 端子
出力電圧 Vout 15 V O1, O2 端子
出力電流
許容損失 PD
動作温度 Topr -20 to 85 ℃
保存温度 Tstg -55 to 150 ℃
（
Ta = 25
VM 15
Vcc 6 V
Iout 1.2
Iout (peak)
℃）
3.2 tw = 10 ms パルス印加、Duty ≦ 20 %
4.5
1.18 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm Cu 30 %ガラエポ基板実装時
0.96 50 mm × 50 mm × 1.6 mm Cu 40 %ガラエポ基板実装時
0.71
A
tw = 10 ms、単発パルス印加
W
IC 単体
許容動作範囲
項目 記号 最小 標準 最大 単位
電源電圧
出力電流 (H-SW) Iout ― ― 1.0 A
スイッチング周波数 fPWM ― ― 100 kHz
（
Ta = -20 to 85
Vcc 2.7 3 5.5 V
VM 2.5 5 13.5 V
PD - Ta
(w)
1.50
③
(W)
D
1.00
②
PD - Ta
①IC単体θj-a=176℃/W
① IC 単体θj-a = 176°C/W
②基板実装時
② 基板実装時
PCB面積 50×50×1.6mm
PCB 面積 50 mm × 50 mm × 1.6 mm
Cu箔面積≧40%
Cu 箔面積=40%
③基板実装時
③ 基板実装時
PCB面積 76.2×114.3×1.6mm
PCB 面積 76.2 mm × 114.3 mm × 1.6 mm
Cu箔面積≧30%
Cu 箔面積=30%
℃）
①
0.50
Power dissipation P
0.00
050100150
Ambient temperature Ta (℃
Ta (℃)
3
2010-05-26
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