TOSHIBA TB6561NG Technical data
東芝BiCD集積回路 シリコン モノリシック
TB6561NG
DCモータ用デュアルブリッジドライバIC
TB6561NG は、出力トランジスタに DMOS 素子を採用した DC モータ
用のデュアルブリッジドライバ IC です。
低 ON 抵抗の DMOS 出力ドライバ、及び PWM 駆動方式の採用によ
り、高電力効率駆動が可能です。
特 長
• 電源電圧 : 40 V (max)
• 出力電流 : 1.5 A (max)
• 低 ON 抵抗 : 1.5 Ω (上下和/typ.)
• ＰＷＭ制御可能
• スタンバイ機能内蔵
• 正転/逆転/ショートブレーキ/ストップ機能
• 過電流保護機能内蔵：I
• 熱遮断回路内蔵
• パッケージ : SDIP-24-P-300-1.78
はんだ付け性については､以下の条件で確認しています。
(1) お客様の使用されるはんだ槽 (Sn-37Pb 半田槽) の場合
はんだ温度 230℃､浸漬時間 5 秒間 1 回､R タイプ フラックス使用
(2) お客様の使用されるはんだ槽 (Sn-3.0Ag-0.5Cu 半田槽) の場合
はんだ温度 245℃､浸漬時間 5 秒間 1 回､R タイプ フラックス使用
= 2.5 A (typ)
LIM
TB6561NG
質量：1.62g（標準）
TB6561NG
SDIP24-P-300-1.78
1
2010-08-17
TB6561NG
ブロック図
ブロック図内の機能ブロック/回路/定数などは、機能を説明するため、一部省略・簡略化している場合があります。
24
V
reg
5 V
1 5 6 4
S-GND
IN1A
ピン配置図
2 3
過電流検出回路
制御ロジック
23
TSD
19 20
IN2A P-GNDA
PWMA
IN1B IN2B
CC
21
PWMB
OUT2ASB
11
VCC VCC
78
22
10
OUT1AV
14
※9 pin, 16 pin は N.C.
S-GNDS-GND
OUT1BOUT2B
13
18
15
P-GNDB CLD
17
12
S-GND
S-GND
V
reg
SB
PWMA
IN1A
IN2A
V
CC
OUT1A
N.C.
P-GNDA
OUT2A
S-GND
124
223
322
421
520
619
718
817
916
10 15
11 14
12 13
S-GND
V
CC
CLD
PWMB
IN1B
IN2B
VCC
OUT1B
N.C.
P-GNDB
OUT2B
S-GND
2
2010-08-17
TB6561NG
絶対最大定格
項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
出力耐圧 VO 40 (注 1)
出力電流 IO(Peak)
入力電圧 VIN −0.3～5.5 V
許容損失 P
動作温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
CC
D
opr
stg
40
1.5 (注 2) A
2.5 (注 3) W
−20～85 °C
−55～150 °C
V
絶対最大定格は瞬時たりとも超えてはならない規格です。
絶対最大定格を超えると IC の破壊や劣化や損傷の原因となり、IC 以外にも破壊や損傷や劣化を与えるおそれがありま
す。いかなる動作条件においても必ず絶対最大定格を超えないように設計を行ってください。
ご使用に際しては、記載された動作範囲内でご使用ください。
注 1:逆起電圧を含め絶対最大定格の 40 V を超えないように使用してください。
注 2:出力電流は、デューティ、周囲温度、ヒートシンクにより制限される場合があります。
接合部温度(TjMAX = 150 ℃)を超えないように設計を行ってください。
注 3:基板実装時 50 mm × 50 mm × 1.6 mm 銅箔面積 70 %
動作範囲
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
電源電圧 V
CC
10～36 V
3
2010-08-17
端子説明
TB6561NG
端子番号
1 S-GND
2
3 SB
4 PWMA
5 IN1A
6 IN2A
7
8 OUT1A
9 N.C.
10 P-GNDA
11 OUT2A
12 S-GND
13 S-GND
端子記号 端子名称 備考
V
reg
V
CC
小信号部 GND
5 V 出力端子 対 S-GND にコンデンサ (0.1 μF)を接続
スタンバイ端子 H;スタート､L;スタンバイ､プルダウン抵抗 100 kΩ (typ)内蔵
ChA 用 PWM 信号入力端子 0/5 V 信号を入力､プルダウン抵抗 100 kΩ (typ)内蔵
ChA 用制御入力端子 1 0/5 V 信号を入力､プルダウン抵抗 100 kΩ (typ)内蔵
ChA 用制御入力端子 2 0/5 V 信号を入力､プルダウン抵抗 100 kΩ (typ)内蔵
電源電圧印加端子
ChA 用出力端子 1 モータコイル端子へ接続
ノンコネクション
ChA 用出力部 GND 端子
ChA 用出力端子 2 モータコイル端子へ接続
小信号部 GND
小信号部 GND
V
CC (opr.)
= 10 V～36 V
14 OUT2B
15 P-GNDB
16 N.C.
17 OUT1B
18
19 IN2B
20 IN1B
21 PWMB
22 CLD
23
24 S-GND
V
CC
V
CC
ChB 用出力端子 2 モータコイル端子へ接続
ChB 用出力部 GND 端子
ノンコネクション
ChB 用出力端子 1 モータコイル端子へ接続
電源電圧印加端子
ChB 用制御入力端子 2 0/5 V 信号を入力､プルダウン抵抗 100 kΩ (typ)内蔵
ChB 用制御入力端子 1 0/5 V 信号を入力､プルダウン抵抗 100 kΩ (typ)内蔵
ChB 用 PWM 信号入力端子 0/5 V 信号を入力､プルダウン抵抗 100 kΩ (typ)内蔵
異常状態検出出力端子
電源電圧印加端子
小信号部 GND
V
CC (opr.)
V
CC (opr.)
= 10 V～36 V
= 10 V～36 V
4
2010-08-17
TB6561NG
電気的特性
制御回路
PWM 入力回路
スタンバイ回路
ダイオード順方向電圧
電流リミッタ検出信号出力
過電流検出オフセット時間 I
熱遮断回路動作温度 T
(VCC = 24 V, Ta = 25°C)
項目 記号
電源電流
入力電圧
入力ヒステリシス電圧 V
入力電流
入力電圧
入力ヒステリシス電圧 V
入力電流
PWM 周波数 f
最小クロックパルス幅 t
入力電圧
入力ヒステリシス電圧 V
入力電流
出力オン抵抗 R
出力リーク電流
内部定電圧 V
測定
回路
I
CC1
I
正転/逆転モード ⎯ 5.0 9
CC2
I
CC3
I
CC4
V
INH
V
INL
IN(HYS)
I
INH
I
INL
V
PWMH
V
PWML
PWM(HYS)
I
PWMH
I
PWML
PWM
w(PWM)
V
INSH
V
INSL
IN(HYS)
I
INSH
I
INSL
on(U+L)
I
L(U)
I
L(L)
V
F(U)
V
F(L)
reg
V
CLD(H)
V
CLD(L)
SD(OFF)
SD
⎯
ショートブレーキモード ⎯ 5.5 10
2.3 ⎯ 5.5
⎯
⎯
V
⎯
2.3 ⎯ 5.5
⎯
⎯
V
⎯
Duty：50 ％ ⎯ ⎯ 100 kHz
⎯
2.3 ⎯ 5.5
⎯
⎯
V
⎯
⎯
V
⎯
I
⎯
4.25 ⎯ V
⎯
⎯
⎯
測定条件 最小 標準 最大 単位
ストップモード ⎯ 5.5 10
mA
スタンバイモード ⎯ 1.5
−0.2 ⎯ 0.8
3
V
(設計目標値) ⎯ 0.4 ⎯
= 5 V 30 50 75
IN
V
= 0 V ⎯ ⎯ 5
IN
−0.2 ⎯ 0.8
μA
V
(設計目標値) ⎯ 0.4 ⎯
= 5 V 30 50 75
PWM
V
= 0 V ⎯ ⎯ 5
PWM
μA
2 ⎯ ⎯ μs
−0.2 ⎯ 0.8
V
(設計目標値) ⎯ 0.4 ⎯
= 5 V 30 50 75
IN
V
= 0 V ⎯ ⎯ 5
IN
IO = 0.2 A ⎯ 1.5 2.0
I
= 1.5 A ⎯ 1.5 2.0
O
= 40 V ⎯ ⎯ 10
CC
μA
Ω
μA
VCC = 40 V ⎯ ⎯ 10
= 1.5 A ⎯ 1.3 2.0
O
V
IO = 1.5 A ⎯ 1.3 2.0
1 mA 負荷時 4.75 5 5.25 V
I
= 50 μA
O
⎯ ⎯ 0.5
reg
V
(設計目標値) ⎯ 50 ⎯ μs
(設計目標値) ⎯ 160 ⎯ °C
5
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