SM8G45,SM8J45,SM8G45A,SM8J45A
東芝双方向サイリスタ シリコンプレーナ形
SM8G45,SM8J45,SM8G45A,SM8J45A
○ 交流電力制御用
ピーク繰り返しオフ電圧 : V
実効オン電流 : I
DRM
T(RMS)
=400, 600V
=8A
転流時臨界オフ電圧上昇率
: (dv / dt)
=10V /μs (Min.) (一般タイプ)
c
(dv / dt)c=4V /μs (Min.) (高感度タイプ)
TO-220AB 外囲器で, 電極リード間距離が 1.6mm 以上あり, 実装面で非
常に取扱いやすくなっています。
最大定格
項目 記号 定格 単位
SM8G45
ピーク繰り返し
オフ電圧
実効オン電流(単相全波 Tc=105°C) I
ピーク 1 サイクルサージオン電流 I
電流 2 乗時間積 I
臨界オン電流上昇率 di / dt 50 A /μs
ピークゲート損失 PGM 5 W
平均ゲート損失 P
ピークゲート電圧 VGM 10 V
ピークゲート電流 IGM 2 A
接合温度 T
保存温度 T
SM8G45A
SM8J45
SM8JZ45A
V
DRM
8 A
T (RMS)
TSM
2
t 32 A2s
0.5 W
G (AV)
−40～125 °C
j
−40～125 °C
stg
400
600
80 (50Hz)
88 (60Hz)
V
A
単位: mm
JEDEC TO-220AB
JEITA ―
東 芝 13-10G1A
質量: 2.0 g (標準)
現品表示
特性区分記号*2
M8G45
製品名 (または略号) *1
ロット No.
外装鉛フリー
識別マーク
( なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
製品名 (または略号) 製品名
*1
*2
1
M8G45 SM8G45, SM8G45A
M8J45 SM8J45, SM8J45A
なし SM8G45, SM8J45
A SM8G45A, SM8J45A
2004-07-08
SM8G45,SM8J45,SM8G45A,SM8J45A
電気的特性
ピーク繰り返しオフ電流 I
ゲートトリガ
電圧
ゲートトリガ
電流
ピークオン電圧 VTM I
ゲート非トリガ電圧 VGD VD = 定格電圧, Tc = 125°C 0.2 ― ― V
保持電流 IH VD = 12V, I
熱 抵 抗( 接合- ケース間) R
転流時臨界
オフ電圧
上昇率
(Ta=25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
Ⅰ T2 (+) , ゲート (+) ― ― 2
SM8G45
SM8J45
SM8G45A
SM8J45A
SM8G45
SM8J45
SM8G45A
SM8J45A
SM8G45
SM8J45
SM8G45A
SM8J45A
Ⅱ T2 (+) , ゲート (−) ― ― 2
Ⅲ T2 (−) , ゲート (−) ― ― 2
Ⅳ T2 (−) , ゲート (+) ― ― ―
Ⅰ T2 (+) , ゲート (+) ― ― 1.5
Ⅱ T2 (+) , ゲート (−) ― ― 1.5
Ⅲ T2 (−) , ゲート (−) ― ― 1.5
Ⅳ
Ⅰ T2 (+) , ゲート (+) ― ― 30
Ⅱ T2 (+) , ゲート (−) ― ― 30
Ⅲ T2 (−) , ゲート (−) ― ― 30
Ⅳ T2 (−) , ゲート (+) ― ― ―
Ⅰ T2 (+) , ゲート (+) ― ― 20
Ⅱ T2 (+) , ゲート (−) ― ― 20
Ⅲ T2 (−) , ゲート (−) ― ― 20
Ⅳ
V
DRM
V
GT
I
GT
交流 ― ― 2.0 °C / W
th (j-c)
(dv / dt)
c
= 定格電圧, Tj = 125°C ― ― 2 mA
DRM
V
= 12V
D
= 20Ω
R
L
T2 (−) , ゲート (+) ― ― ―
V
= 12V
D
= 20Ω
R
L
T2 (−) , ゲート (+) ― ― ―
= 12A ― ― 1.5 V
TM
= 1A ― ― 50 mA
TM
V
DRM
(di / dt)
T
= 125°C
j
= 400V
= −4.5A / ms
c
10 ― ―
4 ― ―
V /μs
V
mA
2
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SM8G45,SM8J45,SM8G45A,SM8J45A
3
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SM8G45,SM8J45,SM8G45A,SM8J45A
4
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SM8G45,SM8J45,SM8G45A,SM8J45A
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030519TAA
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