RN2707JE~RN2709JE
東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2707JE, RN2708JE, RN2709JE
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
• エクストリームスーパーミニ (5 端子) パッケージに 2 素子を内蔵して
います。
• バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数の削減に
よる機器の小型化、組み立ての省力化が可能です。
• 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえています。
• RN1707JE~1709JE とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
B
R1
絶対最大定格
C
R2
E
(Ta = 25°C) (Q1, Q2
Type No. R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN2707JE 10 47
RN2708JE 22 47
RN2709JE 47 22
共通
)
単位: mm
ESV
JEDEC ―
JEITA ―
東 芝 2-2P1D
質量: 0.003 g (標準)
内部接続
(top view)
項目 記号 定格 単位
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: トータル定格です。
RN2707JE~2709JE
RN2707JE −6
RN2708JE −7
RN2709JE
RN2707JE~2709JE
−50 V
CBO
V
−50 V
CEO
V
EBO
−15
−100 mA
C
(注 1) 100 mW
C
150 °C
j
T
−55~150 °C
stg
V
1
5 4
1 2 3
2007-11-01
Q2Q1
RN2707JE~RN2709JE
電気的特性
コレクタしゃ断電流 RN2707JE~2709JE
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション周波数 RN2707JE~2709JE fT
コレクタ出力容量 RN2707JE~2709JE Cob
入力抵抗
抵抗比率
(Ta = 25°C) (Q1, Q2
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
RN2707JE VEB = −6 V, IC = 0 −0.081 ⎯ −0.15
RN2708JE VEB = −7 V, IC = 0 −0.078 ⎯ −0.145
RN2709JE
RN2707JE 80 ⎯ ⎯
RN2708JE 80 ⎯ ⎯
RN2709JE
RN2707JE~2709JE V
RN2707JE −0.7 ⎯ −1.8
RN2708JE −1.0 ⎯ −2.6
RN2709JE
RN2707JE −0.5 ⎯ −1.0
RN2708JE −0.6 ⎯ −1.16
RN2709JE
RN2707JE 7 10 13
RN2708JE 15.4 22 28.6
RN2709JE
RN2707JE 0.191 0.213 0.232
RN2708JE 0.421 0.468 0.515
RN2709JE
共通
)
I
VCB = −50 V, IE = 0 ⎯ ⎯ −100
CBO
VCE = −50 V, IB = 0 ⎯ ⎯ −500
I
CEO
I
EBO
= −15 V, IC = 0 −0.167 ⎯ −0.311
V
EB
V
= −5 V,
CE
= −10 mA
I
C
I
= −5 mA,
C
= −0.25 mA
I
B
V
= −0.2 V,
CE
= −5 mA
I
C
V
= −5 V,
CE
= −0.1 mA
I
C
V
= −10 V,
CE
= −5 mA
I
C
V
= −10 V, IE = 0,
CB
f = 1 MHz
70 ⎯ ⎯
⎯ −0.1 −0.3 V
−2.2 ⎯ −5.8
−1.5 ⎯ −2.6
⎯ 200 ⎯ MHz
⎯ 3 6 pF
32.9 47 61.1
1.92 2.14 2.35
hFE
CE (sat)
V
I (ON)
V
I (OFF)
R1 ⎯
R1/R2 ⎯
nA
mA
V
V
kΩ
2
2007-11-01