TOSHIBA RN2707JE, RN2708JE, RN2709JE User Manual

RN2707JE~RN2709JE
東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2707JE, RN2708JE, RN2709JE
スイッチング用 インバータ回路用 インタフェース回路用 ドライバ回路用
エクストリームスーパーミニ (5 端子) パッケージに 2 素子を内蔵して います。
バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数の削減に よる機器の小型化、組み立ての省力化が可能です。
多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえています。
RN1707JE~1709JE とコンプリメンタリになります。

等価回路とバイアス抵抗値

B
R1
絶対最大定格
C
R2
E
(Ta = 25°C) (Q1, Q2
Type No. R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN2707JE 10 47
RN2708JE 22 47
RN2709JE 47 22
共通
)
単位: mm
ESV
JEDEC
JEITA 2-2P1D
質量: 0.003 g (標準)
内部接続
(top view)
項目 記号 定格 単位
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
1: トータル定格です。
RN2707JE~2709JE
RN2707JE 6
RN2708JE 7
RN2709JE
RN2707JE~2709JE
50 V
CBO
V
50 V
CEO
V
EBO
15
100 mA
C
(1) 100 mW
C
150 °C
j
T
55~150 °C
stg
V
1
5 4
1 2 3
2007-11-01
Q2Q1
RN2707JE~RN2709JE
電気的特性
コレクタしゃ断電流 RN2707JE~2709JE
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間 飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション周波数 RN2707JE~2709JE fT
コレクタ出力容量 RN2707JE~2709JE Cob
入力抵抗
抵抗比率
(Ta = 25°C) (Q1, Q2
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
RN2707JE VEB = 6 V, IC = 0 0.081 0.15
RN2708JE VEB = 7 V, IC = 0 0.078 0.145
RN2709JE
RN2707JE 80
RN2708JE 80
RN2709JE
RN2707JE~2709JE V
RN2707JE 0.7 1.8
RN2708JE 1.0 2.6
RN2709JE
RN2707JE 0.5 1.0
RN2708JE 0.6 1.16
RN2709JE
RN2707JE 7 10 13
RN2708JE 15.4 22 28.6
RN2709JE
RN2707JE 0.191 0.213 0.232
RN2708JE 0.421 0.468 0.515
RN2709JE
共通
)
I
VCB = 50 V, IE = 0 100
CBO
VCE = 50 V, IB = 0 500
I
CEO
I
EBO
= 15 V, IC = 0 0.167 0.311
V
EB
V
= 5 V,
CE
= 10 mA
I
C
I
= 5 mA,
C
= 0.25 mA
I
B
V
= 0.2 V,
CE
= 5 mA
I
C
V
= 5 V,
CE
= 0.1 mA
I
C
V
= 10 V,
CE
= 5 mA
I
C
V
= 10 V, IE = 0,
CB
f = 1 MHz
70
0.1 0.3 V
2.2 5.8
1.5 2.6
200 MHz
3 6 pF
32.9 47 61.1
1.92 2.14 2.35
hFE
CE (sat)
V
I (ON)
V
I (OFF)
R1
R1/R2
nA
mA
V
V
kΩ
2
2007-11-01
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