RN2221～RN2227
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2221,RN2222,RN2223,RN2224,
RN2225,RN2226,RN2227
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l 大電流ドライブが可能です。
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため, 部品点数
の削減による機器の小型化, 組立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN1221～RN1227 とコンプリメンタリになります。
l V
CE (sat)
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値等価回路とバイアス抵抗値
が低いため, 大電流ドライブ時の消費電力が小さい。
単位: mm
JEDEC ―
EIAJ ―
東芝
形名 R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN2221 1 1
RN2222 2.2 2.2
RN2223 4.7 4.7
RN2224 10 10
RN2225 0.47 10
RN2226 1 10
RN2227 2.2 10
2–4E1A
1
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最大定格
最大定格
最大定格最大定格
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
RN2221～RN2227
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度
RN2221
～2227
RN2221
～2224
RN2225,
2226
RN2227
RN2221
～2227
－50 V
CBO
V
－50 V
CEO
V
EBO
－800 mA
C
300 mW
C
150 °C
j
T
－55～150 °C
stg
－10
－5
－6
V
2
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RN2221～RN2227
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
コレクタしゃ断電流 RN2221～2227
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション
周波数
コレクタ出力容量 RN2221～2227 Cob VCB = －10V, IE = 0, f = 1MHz ― 13 ― pF
入力抵抗
抵抗比率
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
I
VCB = －50V, IE = 0 ― ― －100
CBO
I
VCE = －50V, IB = 0 ― ― －500
CEO
RN2221 －3.85 ― －7.14
RN2222 －1.75 ― －3.25
RN2223 －0.82 ― －1.52
RN2224
RN2225 －0.365 ― －0.682
RN2226
RN2227
RN2221 60 ― ―
RN2222 65 ― ―
Rn2223 70 ― ―
RN2224 90 ― ―
RN2225 90 ― ―
RN2226 90 ― ―
RN2227
RN2221 IC = －50A, IB = －2mA
RN2222～2227
RN2221 －1.0 ― －3.5
RN2222 －1.4 ― －4.5
Rn2223 －2.0 ― －6.5
RN2224 －3.0 ― －12.0
RN2225 －0.6 ― －2.0
RN2226 －0.7 ― －2.5
RN2227
RN2221～2224 －0.8 ― －1.3
RN2225, 2226 －0.4 ― －0.8
RN2227
RN2221～2227 f
RN2221 0.7 1.0 1.3
RN2222 1.54 2.2 2.86
Rn2223 3.29 4.7 6.11
RN2224 7 10 13
RN2225 0.329 0.47 0.61
RN2226 0.7 1.0 1.3
RN2227
RN2221～2224 0.9 1.0 1.1
RN2225 0.0423 0.047 0.0517
RN2226 0.09 0.1 0.11
RN2227
I
EBO
hFE VCE = －1V, IC = －100mA
V
CE (sat)
V
I (ON)
V
I (OFF)
T
R1 ―
R1/R2 ―
V
= －10V, IC = 0
EB
V
= －5V, IC = 0
EB
V
= －6V, IC = 0 －0.378 ― －0.703
EB
= －50A, IB = －1mA
I
C
VCE = －0.2V, IC = －100ｍA
VCE = －5V, IC = －0.1mA
VCE = －5V, IC = －20mA ― 200 ― MHz
－0.38 ― －0.71
－0.35 ― －0.65
90 ― ―
― ― －0.25 V
－1.0 ― －3.0
－0.5 ― －1.0
1.54 2.2 2.86
0.2 0.22 0.24
nA
mA
V
V
kΩ
3
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4
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5
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当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い当社半導体製品取り扱い上のお願い
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