TOSHIBA RN2210, RN2211 User Manual
RN2210,RN2211
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2210,RN2211
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため, 部品点数
の削減による機器の小型化, 組立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN1210, RN1211 とコンプリメンタリになります。
等価回路
等価回路
等価回路等価回路
単位: mm
JEDEC ―
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC －100 mA
コレクタ損失 PC 300 mW
接合温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
－50 V
CBO
－50 V
CEO
－5 V
EBO
150 °C
j
－55～150 °C
stg
EIAJ ―
東芝
2–4E1A
1
2001-05-01
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
RN2210,RN2211
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V
トランジション周波数 f
コレクタ出力容量 Cob V
入力抵抗
RN2210 3.29 4.7 6.11
RN2211
V
CBO
V
EBO
I
CE (sat)
V
T
R1 ―
= －50V, I
CB
= －5V, I
EB
= －5V, I
CE
= －5mA, I
C
= －10V, I
CE
= －10V, I
CB
= 0 ― ― －100 nA
E
= 0 ― ― －100 nA
C
= －1mA 120 ― 400
C
= －0.25mA ― －0.1 －0.3 V
B
= －5mA ― 200 ― MHz
C
= 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
E
7 10 13
kΩ
2
2001-05-01
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