RN2201～RN2206
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2201,RN2202,RN2203
RN2204,RN2205,RN2206
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数
の削減による機器の小型化、組み立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN1201～RN1206 とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値等価回路とバイアス抵抗値
単位: mm
JEDEC ―
EIAJ ―
東芝
形名 R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN2201 4.7 4.7
RN2202 10 10
RN2203 22 22
RN2204 47 47
RN2205 2.2 47
RN2206 4.7 47
2–4E1A
1
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最大定格
最大定格
最大定格最大定格
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
RN2201～RN2206
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度
RN2201
～2206
RN2201
～2206
RN2205,
2206
RN2201
～2206
－50 V
CBO
V
－50 V
CEO
V
EBO
－100 mA
C
300 mW
C
150 °C
j
T
－55～150 °C
stg
－10
V
－5
2
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RN2201～RN2206
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
コレクタしゃ断電流 RN2201～2206
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション
周波数
コレクタ出力容量 RN2201～2206 Cob VCB = －10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
抵抗比率
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
I
VCB = －50V, IE = 0 ― ― －100 nA
CBO
I
VCE = －50V, IB = 0 ― ― －500 nA
CEO
RN2201 －0.82 ― －1.52
RN2202 －0.38 ― －0.71
RN2203 －0.17 ― －0.33
RN2204
RN2205 －0.078 ― －0.145
RN2206
RN2201 30 ― ―
RN2202 50 ― ―
RN2203 70 ― ―
RN2204 80 ― ―
RN2205 80 ― ―
RN2206
RN2201～2206 V
RN2201 －1.1 ― －2.0
RN2202 －1.2 ― －2.4
RN2203 －1.3 ― －3.0
RN2204 －1.5 ― －5.0
RN2205 －0.6 ― －1.1
RN2206
RN2201～2204 －1.0 ― －1.5
RN2205～2206
RN2201～2206 f
RN2201 3.29 4.7 6.11
RN2202 7 10 13
RN2203 15.4 22 28.6
RN2204 32.9 47 61.1
RN2205 1.54 2.2 2.86
RN2206
RN2201～2204 0.9 1.0 1.1
RN2205 0.0421 0.0468 0.0515
RN2206
I
EBO
hFE VCE = －5V, IC = －10mA
CE (sat)
V
I (ON)
V
I (OFF)
T
R1 ―
R1/R2 ―
V
= －10V, IC = 0
EB
V
= －5V, IC = 0
EB
IC = －5mA, IB = －0.25mA ― －0.1 －0.3 V
V
VCE = －5V, IC = －0.1mA
VCE = －10V, IC = －5mA ― 200 ― MHz
= －0.2V, IC = －5mA
CE
－0.082 ― －0.15
－0.074 ― －0.138
80 ― ―
－0.7 ― －1.3
－0.5 ― －0.8
3.29 4.7 6.11
0.09 0.1 0.11
mA
V
V
kΩ
3
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4
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RN2201～RN2206
5
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RN2201～RN2206
6
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RN2201～RN2206
当社半導体製品取り扱い上のお願い
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000629TAA
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