RN1114～RN1118
東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118
○ スイッチング用
○ インバータ用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数の削減によ
る機器の小型化、組み立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値を揃えています。
l RN2114～RN2118 とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値等価回路とバイアス抵抗値
単位: mm
形名 R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN1114 1 10
RN1115 2.2 10
RN1116 4.7 10
RN1117 10 4.7
RN1118 47 10
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
RN1114～1118
RN1114 5
RN1115 6
RN1116 7
RN1117 15
RN1118
RN1114～1118
CBO
V
CEO
V
EBO
100 mA
C
100 mW
C
150 °C
j
T
stg
50 V
50 V
25
－55～150 °C
JEDEC ―
EIAJ ―
東芝 2–2H1A
V
1
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電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
RN1114～RN1118
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション
周波数
コレクタ出力容量 RN1114～RN1118 Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3.0 6.0 pF
入力抵抗
抵抗比率
RN1114～1118 I
RN1114～1118 I
RN1114 VEB = 5V, IC = 0 0. 35 ― 0.65
RN1115 VEB = 6V, IC = 0 0. 37 ― 0.71
RN1116 VEB = 7V, IC = 0 0. 36 ― 0.68
RN1117 VEB = 15V, IC = 0 0.78 ― 1.46
RN1118
RN1114～16, 18 50 ― ―
RN1117
RN1114～1118 V
RN1114 0.6 ― 2.0
RN1115 0.7 ― 2.5
RN1116 0.8 ― 2.5
RN1117 1.5 ― 3.5
RN1118
RN1114 0.3 ― 0.9
RN1115 0.3 ― 1.0
RN1116 0.3 ― 1.1
RN1117 0.3 ― 2.3
RN1118
RN1114～RN1118 f
RN1114 0.7 1.0 1.3
RN1115 1.54 2.2 2.86
RN1116 3.29 4.7 6.11
RN1117 7.0 10.0 13.0
RN1118
RN1114 ― 0.1 ―
RN1115 ― 0.22 ―
RN1116 ― 0.47 ―
RN1117 ― 2.13 ―
RN1118
VCB = 50V, IE = 0 ― ― 100 nA
CBO
VCE = 50V, IB = 0 ― ― 500 nA
CEO
I
EBO
= 25V, IC = 0 0.33 ― 0.63
V
EB
hFE VCE = 5V, IC = 10 mA
CE (sat)IC
V
I (ON)VCE
V
I (OFF)VCE
T
R1 ―
R1/R2 ―
= 5 mA, IB = 0.25 mA ― 0.1 0.3 V
= 0.2V, IC = 5 mA
= 5V, IC = 0.1 mA
VCE = 10V, IC = 5 mA ― 250 ― MHz
30 ― ―
2.5 ― 10.0
0.5 ― 5.7
32.9 47.0 61.1
― 4.7 ―
mA
V
V
kΩ
2
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RN1114～RN1118
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現品表示方法
現品表示方法
現品表示方法現品表示方法
形名 現品表示
RN1114
RN1115
RN1116
RN1117
RN1114～RN1118
RN1118
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RN1114～RN1118
当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い
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