SONY CXG1189UR Technical data
高パワー SPDTスイッチ
CXG1189UR
概要・用途
CXG1189URは，高パワー SPDT (Single Pole Dual Throw ) スイッチMMICで，GSMハンドセット, GSM／UMTS
デュアルモードハンドセット等のワイヤレス通信システムで使用できます。
ソニー JPHEMTプロセスにより，低挿入損失を実現しています。
(用途：セルラハンドセット用アンテナスイッチ，GSM, GSM／UMTSデュアルモード)
特長・機能
パッケージ
低挿入損失：0.2dB@900MHz，0.25dB@1.8GHz，0.3dB@2.17GHz
高調波レベルの低減：–35dBm ( 最大値)
小型パッケージ：12-pin UQFN
構造
GaAs JPHEMT MMIC
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
コントロール電圧
出力電力最大値 [824〜915MHz]
出力電力最大値 [1710〜1910MHz]
出力電力最大値 [1920〜1980MHz]
動作温度
保存温度
取り扱い時注意事項
本ICは静電気の影響を受けやすいデバイスなので，取り扱いに特に注意が必要です。
本資料に記載されております規格等は, 改良のため予告なく変更することがありますので, ご了承ください。
また本資料によって, 記載内容に関する工業所有権の実施許諾や, その他の権利に対する保証を認めたものではありません。
なお資料中に, 回路例が記載されている場合, これらは使用上の参考として, 代表的な応用例を示したものですので, これら回路
の使用に起因する損害について, 当社は一切責任を負いません。
Vctl 5 V
37 dBm
35 dBm
33 dBm
Topr
Tstg
–35〜+85
–60〜+150
°
°
C
C
- 1 -
J05305-PS
ブロック図／推奨回路
CXG1189UR
RF1
GND GND
CRF
56 4
GND
GND
7
F1
RF
C
8
9
Rctl (1kΩ)
F3
CTLA
1110 12
Cbypass
(100pF)
GND
F2
F4
CTLB
3
2
C
1
Cbypass
(100pF)
Rctl (1kΩ)
本ICの使用時には，以下の外付け部品が必要です。
Rctl： この抵抗は静電強度改善用です。推奨値は1kΩです。
RF： この容量はRFデカップリング用であり，全てのアプリケーションに使用して下さい。
C
Cbypass：この容量はDCラインのフィルタリング用です。推奨値は100pFです。
GND
RF3RF2
RF
GND
真理値表
CTLA CTLB
L H RF1 – RF2 ON OFF OFF ON
H L RF1 – RF3 OFF ON ON OFF
DCバイアス条件
(T a = 25°C)
Vctl (H) 2.6 2.8 3.6 V
Vctl (L) 0 — 0.4 V
ON状態
F1 F2 F3 F4
項目 最小値 標準値 最大値 単位
- 2 -
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