Siemens LYE676-U2, LYE676-U1, LYE676-T1, LYE676, LYE676-T2 Datasheet

Power TOPLED

®

Hyper-Bright LED

Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale

• Gehäusebauform: P-LCC-4

• Gehäusefarbe: weiß

• als optischer Indikator einsetzbar

• zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

• für alle SMT-Bestücktechniken geeignet

• gegurtet (8 mm-Filmgurt)

• JEDEC Level 3

• nur IR Reflow Löten

Features

• P-LCC-4 package

• color of package: white

• for use as optical indicator

• for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

• suitable for all SMT assembly methods

• available taped on reel (8 mm tape)

• JEDEC Level 3

• IR reflow soldering only

LY E676

VPL06837

Typ

Emissionsfarbe

Farbe der Lichtaustritts-

Lichtstärke

Lichtstrom

fläche

/ I

V min

Luminous Flux

= 50 mA

I

F

(mlm)

Φ

V

900 (typ.) 1200 (typ.) 1500 (typ.) 1800 (typ.)

≤ 1.6.

Type

LY E676 LY E676-T1 LY E676-T2 LY E676-U1 LY E676-U2

Color of Emission

Color of the Light Emitting Area

yellow colorless clear

Luminous Intensity

= 50 mA

I

F

(mcd)

I

V

250 ... 400 320 ... 500 400 ... 630 500 ... 800

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I

I

Luminous intensity ratio in one packaging unit

V max

/ I

V max

V min

≤ 1.6.

Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.

Bestellnummer

Ordering Code

Q62703-Q3759

Semiconductor Group 1 1998-11-05

Grenzwerte Maximum Ratings

LY E676

Bezeichnung Parameter

Betriebstemperatur Operating temperature range

Lagertemperatur Storage temperature range

Sperrschichttemperatur Junction temperature

Durchlaßstrom Forward current

Sperrspanung Reverse voltage

1)

Verlustleistung Power dissipation

≤ 25 °C

T

A

Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air

)

Montage auf PC-board* mounted on PC board*

(Padgröße ≥ 12 mm2)

)

(pad size ≥ 12 mm2)

Symbol Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

V

R

P

tot

R

th JA

Werte

Values

Einheit Unit

– 40 ... + 100 °C

+ 120 °C

50 mA

3V

130 mW

290 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

)

PC-board: FR4

*

Semiconductor Group 2 1998-11-05

LY E676

Kennwerte ( Characteristics

= 25 °C)

T

A

Bezeichnung Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission

I

= 50 mA

F

1)

2)

I

(Vollwinkel)

I

v

I

v

I

rel max

Dominantwellenlänge Dominant wavelength

I

= 50 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50% Spectral bandwidth at 50%

= 50 mA

I

F

Abstrahlwinkel bei 50% Viewing angle at 50%

Durchlaßspannung Forward voltage

I

= 50 mA

F

Sperrstrom Reverse current

= 3 V

V

R

Temperaturkoeffizient von Temperature coefficient of

Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ

Temperaturkoeffizient von Temperature coefficient of

(

= 50 mA)

I

λ

dom

F

(

I

λ

V V

I I

= 50 mA)

dom

F

(IF = 50 mA)

peak

(IF = 50 mA)

peak

(I

= 50 mA)

F

(I

= 50 mA)

F

(I

= 50 mA)

V

F

(I

= 50 mA)

V

F

Symbol Symbol

Werte

Values

Einheit Unit

typ. max.

λ

peak

λ

dom

∆

λ

594 – nm

590 – nm

17 – nm

2ϕ 120 – Grad

deg.

V

I

R

TC

F

λ

V

I

V

2.1 2.55 V

0.01 10 µA

t.b.d. – nm/K

t.b.d. – mV/K

t.b.d. – %/K

1)

Durchlaßspannungsgruppen

2)

Wellenlängengruppen

Forward voltage groups Wavelength groups

Gruppe Group

Durchlaßspannung

Forward voltage

Einheit Unit

Gruppe Group

Wellenlänge

Wavelength

Einheit Unit

min. max. min. max.

1 2

1.85 2.25 V 1 585 590 nm

2.15 2.55 V 2 588 593 nm 3 591 596 nm

Semiconductor Group 3 1998-11-05