3 mm (T1 3/4 ) LED, Diffused
Wide-Angle LED
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● als optischer Indikator einsetzbar
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● for use as optical indicator
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
LS 3380, LY 3380, LG 3380
VEX06710
Typ
Type
LS 3380-GK
LS 3380-H
LS 3380-J
LS 3380-K
LS 3380-HL
LY 3380-GK
LY 3380-H
LY 3380-J
LY 3380-K
LY 3380-HL
LG 3380-GK
LG 3380-J
LG 3380-K
LG 3380-JL
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
super-red red diffused 1.6 … 12.5
2.5 … 5.0
4.0 … 8.0
6.3 … 12.5
2.5 … 20.0
yellow yellow diffused 1.6 … 12.5
2.5 … 5.0
4.0 … 8.0
6.3 … 12.5
2.5 … 20.0
green green diffused 1.6 … 12.5
4.0 … 8.0
6.3 … 12.5
4.0 … 20.0
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q2629
Q62703-Q1726
Q62703-Q1349
Q62703-Q3824
Q62703-Q2630
Q62703-Q1352
Q62703-Q1353
Q62703-Q1354
Q62703-Q2317
Q62703-Q1355
Q62703-Q1356
Q62703-Q2318
Q62703-Q2631
Q62703-Q3910
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
Luminous intensity ratio in one packaging unit
V max
/ I
V max
V min
/ I
≤ 2.0.
V min
≤ 2.0.
I
Semiconductor Group 1 1998-07-13
Grenzwerte
Maximum Ratings
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 °C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 … + 100 °C
– 55 … + 100 °C
+ 100 °C
40 mA
0.5 A
5V
140 mW
400 K/W
Semiconductor Group 2 1998-07-13
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
LS 3380, LY 3380, LG 3380
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.)
Wavelength at peak emission(typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 %
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 %
I
I
V
I
rel max
I
(typ.)
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
V
= 5 V
R
Kapazität(typ.)
Capacitance
V
= 0 V, ƒ = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 %(typ.)
V
I
from 90 % to 10 %(typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LY LG
λ
peak
λ
dom
635 586 565 nm
628 590 570 nm
∆λ 45 45 25 nm
2ϕ 100 100 100 deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
2.0
2.6
0.01
10
2.0
2.6
0.01
10
2.0
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
12 10 15 pF
300
150
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3 1998-07-13