Siemens LWS260-DO, LVS260-DO, LUS250-DO Datasheet
SOT-23 MULTILED®, Diffused LU S250, LV S260, LW S260
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● extrem weitwinklig
● als optischer Indikator einsetzbar
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● beide Farben getrennt ansteuerbar
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40838
Features
● colored, diffused package
● extreme wide-angle LED
● for use as optical indicator
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● both colors can be controlled separately
● available taped on reel (8 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
Bestellnummer
Ordering Code
LU S250-DO super-red/green colorless diffused ≥ 0.4 Q62703-Q1642
LV S260-DO super-red/
red diffused ≥ 0.4 Q62703-Q2067
super-red
LW S260-DO green/green green diffused ≥ 0.4 Q62703-Q1038
VS006723
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 11.96
Grenzwerte
Maximum Ratings
LU S250, LV S260, LW S260
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
1)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 … + 100 ˚C
– 55 … + 100 ˚C
+ 100 ˚C
30 mA
0.5 A
5V
100 mW
750 K/W
1)
Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm2.
1)
Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm2.
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group 2
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LU S250, LV S260, LW S260
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
V
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
super-red green
λ
peak
λ
dom
635 565 nm
628 570 nm
∆λ 45 25 nm
2ϕ 140 140 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
2.0
2.6
0.01
10
2.0
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
12 15 pF
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3
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