Siemens LPT80A Datasheet
LPT 80 A
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
16.51
16.00
1.52 1.52
spacing
2.54mm
0.46
Collector
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
0.64
0.64
0.46
5.84
5.59
1.29
1.14
1.52
Plastic marking
R = 0.76
2.08
2.34
4.32
4.57
2.54
2.03
1.70
1.45
GEO06391
LPT 80 A
feo06391
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 470 nm bis 1080 nm
● Sidelooker im Kunststoffgehäuse
● Hohe Empfindlichkeit
● Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
Anwendungen
● Fertigungs- und Kontrollanwendungen der
Industrie
● Lichtschranken
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Features
● Especially suitable for applications from
470 nm to 1080 nm
● Sidelooker in plastic package
● High sensitivity
● Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A
Applications
● A variety of manufacturing and monitoring
applications
● Photointerrupters
LPT 80 A Q68000-A7852 Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster
(1/10”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß
Clear plastic miniature package, 2.54 mm (1/10”) lead spacing,
collector marking: long solder lead
Semiconductor Group 1 1998-11-16
Grenzwerte
Maximum Ratings
LPT 80 A
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 100 °C
30 V
50 mA
100 mA
7V
100 mW
750 K/W
Semiconductor Group 2 1998-11-16
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