Siemens LD271L, LD271HL, LD271H, LD271 Datasheet
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Area not flat
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
0.6
0.4
1.3
1.0
spacing
2.54 mm
Approx. weight 0.5 g
spacing
2.54mm
1.8
1.2
14.0
13.0
29
27
1.8
1.2
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
9.0
8.2
1.0
Cathode Chip position
7.8
0.7
7.5
11.4
11.0
Cathode
0.8
0.4
ø5.1
4.8
4.2
9.0
8.2
7.8
7.5
4.8
4.2
ø4.8
ø4.8
ø5.1
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06239
5.9
5.5
GEO06645
fex06628
0.6
0.4
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Lange Anschlüsse
● Gruppiert lieferbar
● Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
● Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Features
● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
● High reliability
● High pulse handling capability
● long leads
● Available in groups
● Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
● Remote control of various equipment
● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Semiconductor Group 1 1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LD 271 Q62703-Q148 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
LD 271 L Q62703-Q833
LD271 H Q62703-Q256
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
5 mm LED package (T 13/4), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’)
LD271 HL Q62703-Q838
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Wert
Value
– 55 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
T
j
100 °C
Junction temperature
Sperrspannung
V
R
5V
Reverse voltage
Durchlaßstrom
I
F
130 mA
Forward current
3
/4), graugetöntes Epoxy-
Einheit
Unit
t
Stoßstrom,
= 10 µs, D = 0
p
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
I
P
R
FSM
tot
thJA
3.5 A
220 mW
330 K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01
Loading...