Siemens LD271L, LD271HL, LD271H, LD271 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter

Area not flat

LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL

0.6

0.4

1.3

1.0

spacing

2.54 mm

Approx. weight 0.5 g

spacing

2.54mm

1.8

1.2

14.0

13.0

29
27

1.8

1.2

0.6

0.4

Area not flat
Chip position

9.0

8.2

1.0

Cathode Chip position

7.8

0.7

7.5

11.4

11.0

Cathode

0.8

0.4

ø5.1

4.8

4.2

9.0

8.2

7.8

7.5

4.8

4.2

ø4.8

ø4.8

ø5.1

5.9

5.5

0.6

0.4

GEX06239

5.9

5.5

GEO06645

fex06628

0.6

0.4

Approx. weight 0.2 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-LED, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Lange Anschlüsse

● Gruppiert lieferbar

● Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203

Anwendungen

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern

● Gerätefernsteuerungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● High pulse handling capability

● long leads

● Available in groups

● Same package as SFH 300, SFH 203

Applications

● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers

● Remote control of various equipment

● Photointerrupters

Wechsellichtbetrieb

Semiconductor Group 1 1997-11-01

LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

LD 271 Q62703-Q148 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
LD 271 L Q62703-Q833
LD271 H Q62703-Q256

Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
5 mm LED package (T 13/4), grey colored epoxy resin

lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’)

LD271 HL Q62703-Q838

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

Wert
Value

– 55 ... + 100 °C

Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur

T

j

100 °C

Junction temperature
Sperrspannung

V

R

5V

Reverse voltage
Durchlaßstrom

I

F

130 mA

Forward current

3

/4), graugetöntes Epoxy-

Einheit
Unit

t

Stoßstrom,

= 10 µs, D = 0

p

Surge current
Verlustleistung

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

I

P

R

FSM

tot

thJA

3.5 A

220 mW

330 K/W

Semiconductor Group 2 1997-11-01