Siemens LD269, LD268, LD266, LD265, LD264 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays

LD 260
LD 262 ... LD 269

7.4

7.0

0.5

0.4

2.54 mm
spacing

Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

0.7

0.6

A

1.4

1.0

Chip
position

1.9

1.7

0... 5

A

0.4

2.7

0.25

0.15

2.1

1.5

3.6

2.5

3.5

GEO06367

3.2

3.0

fez06365feo06367

Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Gehäusegleich mit BPX 80-Serie

Anwendungen

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Same package as BPX 80 series

Applications

● Miniature photointerrupters

● Punched tape-readers

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

Semiconductor Group 1 1997-11-01

LD 260
LD 262 ... LD 269

Typ

IRED

Maß “A”

Bestellnummer

Gehäuse

pro Zeile

Type

per Row

Dimension “A”

Ordering Code

Package

min. max.

LD 262 2 4.5 4.9 Q62703-Q70 Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse,
LD 263 3 7 7.4 Q62703-Q71
LD 264 4 9.6 10 Q62703-Q72
LD 265 5 12.1 12.5 Q62703-Q73
LD 266 6 14.6 15 Q62703-Q74
LD 267 7 17.2 17.6 Q62703-Q75
LD 268 8 19.7 20.1 Q62703-Q76

klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig,

1

Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (

/10’’),
Kathodenkennzeichnung:
Nase am Lötspieß

Lead frame arrays, transparent epoxy
resin lens, solder tabs, lead spacing

2.54 mm (1/10’’), cathode marking:
projection at solder lead

LD 269 9 22.3 22.7 Q62703-Q77
LD 260 10 24.8 25.2 Q62703-Q78

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, τ≤10 µs,

D = 0

Surge current
Verlustleistung

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

T

T

V

I

I

P

R
R

op

j

R

F

FSM

tot

thJA
thJL

; T

stg

– 40 ... + 80 °C

80 °C

5V

50 mA

1.6 A

70 mW

750
650

K/W
K/W

Semiconductor Group 2 1997-11-01