Siemens LD261, LD261-5 Datasheet

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter

Chip

2.4

2.1

0.5

0.4

0.4

A

Collector (BPX 81)
Cathode (LD 261)

Detaching area for tools, flash not true to size.1)
Approx. weight 0.03 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

0.7

0.6

A

Radiant sensitive area
(0.4 x 0.4)

1.4

1.0

position

1.9

1.7

5...0

2.54 mm spacing

2.7

0.25

0.15

2.1

1.5

2.5

GEO06021

3.6

3.5

3.2

3.0

LD 261

feo06021

Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Gruppiert lieferbar

● Gehäusegleich mit BPX 81

Anwendungen

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Lochstreifenleser

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehäuse
Package

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Available in bins

● Same package as BPX 81

Applications

● Miniature photointerrupters

● Punched tape readers

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

LD 261 Q62703-Q395 Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför­LD 261-5 Q62703-Q67

mig im 2.54-mm-Raster (

1

/10’’), Kathodenkennzeich-

nung: Nase am Lötspieß
Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs

lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projec­tion at solder lead

Semiconductor Group 1 1997-11-01

Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings

LD 261

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Sperrspannung
Reverse voltage

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom, τ≤10 µs,

D = 0

Surge current
Verlustleistung

Power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

j

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

R

thJL

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

80 °C

5V

50 mA

1.6 A

70 mW

750
650

K/W
K/W

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission

I

= 50 mA, tp = 20 ms

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 50 m A, tp = 20 ms

F

max

I

max

Abstrahlwinkel
Half angle

Aktive Chipfläche
Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top

Symbol
Symbol

λ

peak

Wert
Value

Einheit
Unit

950 nm

∆λ 55 nm

ϕ±15 Grad

deg.

A

L × B
L

× W

H

0.25 mm

0.5 × 0.5 mm

1.3 ... 1.9 mm

2

Semiconductor Group 2 1997-11-01