Hyper ARGUS®LED
Hyper-Bright, 3 mm (T1) LED, Non Diffused
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, klares Gehäuse
● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
● zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-
druck) vor dem äußeren Reflektor
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
LS K376, LA K376, LO K376
LY K376
VEX06712
Features
● colored, clear package
● plasic package with a special design
● in connection with an additional, custom
built reflector suitable for backlighting of display panels
● for optical coupling into light pipes
● uniform illumination of a diffuser screen in front of the
custom built reflector
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength
emitted by the LED.
Semiconductor Group 1 11.96
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Typ
Type
LS K376-QT
LS K376-R
LS K376-S
LS K376-T
LS K376-RU
LA K376-RU
LA K376-S
LA K376-T
LA K376-U
LA K376-SV
LO K376-RU
LO K376-S
LO K376-T
LO K376-U
LO K376-SV
LY K376-RU
LY K376-S
LY K376-T
LY K376-U
LY K376-SV
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
= 20 mA
F
ΦV (mlm)
super-red colorless clear 63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
250 ... 500
100 ... 800
amber colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
orange colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
yellow colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3467
Q62703-Q3468
Q62703-Q3469
Q62703-Q3470
Q62703-Q3471
Q62703-Q3735
Q62703-Q3737
Q62703-Q3738
Q62703-Q3739
Q62703-Q3736
Q62703-Q3472
Q62703-Q3473
Q62703-Q3474
Q62703-Q3475
Q62703-Q3476
Q62703-Q3477
Q62703-Q3478
Q62703-Q3479
Q62703-Q3480
Q62703-Q3481
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit Φ
Luminous flux ratio in one packaging unit Φ
V max
/ Φ
V min
≤ 2.0.
V max
/ Φ
V min
≤ 2.0.
Semiconductor Group 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
– 55 … + 100 ˚C
– 55 … + 100 ˚C
+ 100 ˚C
30 20 mA
to be defined A
3V
80 55 mW
500 K/W
Semiconductor Group 3
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50%
Spectral bandwidth at 50% I
I
= 20 mA
F
I
rel max
rel max
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 20 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 3 V
R
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of λ
Temperaturkoeffizient von λ
λ
dom(IF
dom(IF
,
peak
= 20 mA)
= 20 mA)
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λ
peak
,
IF = 20 mA (typ.)
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LA LO LY
λ
λ
peak
dom
645 622 610 591 nm
632 615 605 587 nm
∆λ 16 16 16 15 nm
V
V
I
R
I
R
TC
TC
F
F
λ
λ
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
0.01100.01100.01100.0110µA
µA
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
, IF = 20 mA (typ.)
F
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group 4
TC
V
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Relative spektrale Emission Φ
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Φ
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 5
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Durchlaßstrom IF= f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Relativer Lichtstrom Φ
Relative luminous flux
T
= 25 ˚C
A
V/ΦV (20 mA)
= f (IF)
Relativer Lichtstrom Φ
Relative luminous flux
I
= 20 mA
F
/ Φ
V
V(25˚C )
= f (TA)
Semiconductor Group 6
LS K376, LA K376, LO K376, LY K376
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
GEX06712
Semiconductor Group 7
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