Siemens LAE675-U2, LAE675-U1, LAE675-T2, LAE675-T1, LAE675-S2 Datasheet
...
Power TOPLED
®
Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
• Gehäusebauform: P-LCC-4
• Gehäusefarbe: weiß
• als optischer Indikator einsetzbar
• zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und
Linseneinkopplung
• für alle SMT-Bestücktechniken geeignet
• gegurtet (8 mm-Filmgurt)
• JEDEC Level 3
• nur IR Reflow Löten
Features
• P-LCC-4 package
• color of package: white
• for use as optical indicator
• for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
• suitable for all SMT assembly methods
• available taped on reel (8 mm tape)
• JEDEC Level 3
• IR reflow soldering only
LA E675
VPL06837
Typ
Emissionsfarbe
Farbe der
Lichtaustritts-
Lichtstärke
Lichtstrom
fläche
/ I
V min
Luminous
Flux
= 50 mA
I
F
(mlm)
Φ
V
600 (typ.)
750 (typ.)
900 (typ.)
1200 (typ.)
1500 (typ.)
1800 (typ.)
≤ 1.6.
Type
LA E675
LA E675-S1
LA E675-S2
LA E675-T1
LA E675-T2
LA E675-U1
LA E675-U2
Color of
Emission
Color of the
Light Emitting
Area
amber colorless clear
Luminous
Intensity
= 50 mA
I
F
(mcd)
I
V
160 ... 250
200 ... 320
250 ... 400
320 ... 500
400 ... 630
500 ... 800
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
/
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
I
V max
V min
≤ 1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3764
Semiconductor Group 1 1998-11-05
Grenzwerte
Maximum Ratings
LA E675
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Sperrspanung
Reverse voltage
1)
1)
Verlustleistung
Power dissipation
≤ 25 °C
T
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
)
Montage auf PC-board*
mounted on PC board*
(Padgröße ≥ 12 mm2)
)
(pad size ≥ 12 mm2)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 40 ... + 100 °C
– 40 ... + 100 °C
+ 120 °C
70 mA
3V
130 mW
290 K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
)
PC-board: FR4
*
Semiconductor Group 2 1998-11-05
LA E675
Kennwerte (
Characteristics
= 25 °C)
T
A
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
= 50 mA
F
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
= 50 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50%
Spectral bandwidth at 50%
= 50 mA
I
F
Abstrahlwinkel bei 50%
Viewing angle at 50%
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 50 mA
F
1)
I
I
v
1)
I
rel max
I
rel max
(Vollwinkel)
v
Sperrstrom
Reverse current
= 3 V
V
R
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of
Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of
(
= 50 mA)
I
λ
dom
F
(
I
λ
V
V
I
I
= 50 mA)
dom
F
(IF = 50 mA)
peak
(IF = 50 mA)
peak
(I
= 50 mA)
F
F
(I
= 50 mA)
F
F
(I
= 50 mA)
V
F
(I
= 50 mA)
V
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min. typ. max.
λ
peak
λ
dom
∆
λ
– 624 – nm
612 617 623 nm
–18–nm
2ϕ – 120 – Grad
deg.
V
I
R
TC
TC
TC
TC
F
λ
λ
V
I
V
– 2.1 2.55 V
– 0.01 10 µA
– 0.05 – nm/K
– 0.14 – nm/K
– – 2.1 – mV/K
–– 0.6–%/K
1)
Durchlaßspannungsgruppen Forward voltage groups
Gruppe
Group
Durchlaßspannung
Forward voltage
Einheit
Unit
min. max.
1
2
1.85 2.25 V
2.15 2.55 V
Semiconductor Group 3 1998-11-05
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