Siemens LY3386-Q, LY3386-P, LY3386-NR, LY3386-N, LY3386-MQ Datasheet

Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused
Hyper-Bright, Wide-Angle LED

Besondere Merkmale

● eingefärbtes, diffuses Gehäuse

● zur Einkopplung in Lichtleiter

● als optischer Indikator einsetzbar

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colored, diffused package

● optical coupling into light pipes

● for use as optical indicator

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

LS 3386, LA 3386, LO 3386

LY 3386

Semiconductor Group 1 1998-09-18

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Typ
Type

LS 3386-LP
LS 3386-M
LS 3386-N
LS 3386-P
LS 3386-MQ

LA 3386-MQ
LA 3386-N
LA 3386-P
LA 3386-Q
LA 3386-NR

LO 3386-MQ
LO 3386-N
LO 3386-P
LO 3386-Q
LO 3386-NR

Emissionsfarbe
Color of
Emission

Gehäusefarbe
Color of
Package

Lichtstärke
Luminous
Intensity

I

= 20 mA

F

I

(mcd)

V

super-red red diffused 10 ... 80

16 ... 32
25 ... 50
40 … 80
16 … 125

amber orange diffused 16 … 125

25 … 50
40 … 80
63 … 125
25 … 200

orange orange diffused 16 … 125

25 … 50
40 … 80
63 … 125
25 … 200

Bestellnummer
Ordering Code

Q62703-Q3579
Q62703-Q3581
Q62703-Q3582
Q62703-Q3709
Q62703-Q3580

Q62703-Q3886
Q62703-Q3887
Q62703-Q3888
Q62703-Q3889
Q62703-Q3890

Q62703-Q3891
Q62703-Q3892
Q62703-Q3893
Q62703-Q3894
Q62703-Q3895

LY 3386-MQ

yellow yellow diffused 16 … 125
LY 3386-N
LY 3386-P
LY 3386-Q
LY 3386-NR

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V max

V min

25 … 50
40 … 80
63 … 125
25 … 200

/ I

V min

≤ 2.0.

Q62703-Q3896
Q62703-Q3897
Q62703-Q3898
Q62703-Q3899
Q62703-Q3900

≤ 2.0.

Semiconductor Group 2 1998-09-18

Grenzwerte
Maximum Ratings

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Bezeichnung
Parameter

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspanung
Reverse voltage

Verlustleistung
Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air

1)

1)

Symbol
Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

Werte

Values

Einheit
Unit

LS, LO, LA LY

– 55... + 100 ˚C

– 55... + 100 ˚C

+ 100 ˚C

30 20 mA

1 0.2 A

3V

80 55 mW

500 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

Semiconductor Group 3 1998-09-18