ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= ±15V ,T
amb
= +25oC (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit
V
io
Input Offset Voltage (RS≤ 10kΩ)
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
15
6
mV
I
io
Input Offset Current
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
230
70
nA
I
ib
Input Bias Current
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
10 100
200
nA
A
vd
Large Signal Voltage Gain *
(V
O
±10V, RL=2kΩ)
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
5025200
V/mV
SVR Supply Voltage Rejection Ratio
(R
S
≤ 10kΩ)
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
77
77
90
dB
I
CC
Supply Current, no load
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
1.7 2.8
3.3
mA
V
icm
Input Common Mode Voltage Range
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
±12
±12
V
CMR
Common-mode Rejection Ratio (R
S
≤ 10kΩ)
T
amb
= +25oC
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
70
70
90
dB
I
OS
Output Short-circuit Current
10 25 40
mA
±V
OPP
Output Voltage Swing
T
amb
= +25oCR
L
= 10kΩ
R
L
=2kΩ
T
min.
≤ T
amb
≤ T
max.
RL= 10kΩ
R
L
=2kΩ
12
10
12
10
14
13
V
SR Slew Rate
(V
i
= ±10V, RL=2kΩ,CL= 100pF, T
amb
=25oC, unity gain)
0.25 0.5
V/µs
t
r
Rise Time
(V
i
= ±20mV, RL=2kΩ,CL= 100pF, T
amb
=25oC, unity gain)
0.3
µs
K
OV
Overshoot
(V
i
= 20mV, RL=2kΩ, CL = 100pF, T
amb
=25oC, unity gain)
5
%
R
I
Input Resistance 0.3 2
MΩ
GBP Gain BandwidthProduct
(V
i
= 10mV, RL=2kΩ,CL= 100pF, f = 100kHz)
0.7 1
MHz
THD Total Harmonic Distortion
(f = 1kHz, A
V
= 20dB, RL=2kΩ,VO=2VPP,CL= 100pF, T
amb
=25oC)
0.06
%
e
n
Equivalent Input Noise Voltage
(f = 1kHz, R
s
= 100Ω)
23
nV
√Hz
∅m
Phase Margin 50 Degrees
UA741
3/9