SGS Thomson Microelectronics TS821IZ, TS821ILT, TS821ID, TS821BIZ, TS821BILT Datasheet

...
1/7
1.225V MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE
.
1.225V TYP OUTPUT VOLTAGE
.
ULTRA LOW OPERATING CURRENT : 40µA typ.
.
HIGH PRECISION @ 25oC +/-2% (Standard version) +/-1% (A grade) +/-0.5% (B grade)
.
HIGH STABILITYWHEN USED WITH CAPACITIVE LOADS
.
WIDE TEMPERATURERANGE : -40 to +85oC
.
T092 & SOT23-3 PACKAGES
DESCRIPTION
TheTS821 isamicropowerintegrated circuitwhich is a high stability, two terminals, band gap refer­ence providing a stableoutput voltage over the in­dustrial temperature range (-40 to +85oC). The minimum operating current is guaranteed at 50µA over the full operating temperature range.
APPLICATIONS
.
Computers
.
Instrumentation
.
Battery chargers
.
Switch Mode Power Supply
.
Battery operated equipements
TS821
Z
TO92
(Plastic Package)
L
SOT-23L
(Plastic Micropackage)
ORDER CODES
Precision TO92 SOT23-3
SOT23
Marking
2% TS821IZ TS821ILT L213 1% TS821AIZ TS821AILT L212
0.5% TS821BIZ TS821BILT L211
Single temperature range: -40 to +85
o
C
PIN CONNECTIONS (top view)
May 2000
NC Anod e
123
Cathode
TO92
1
2
3
*
Anode
Cathode
SOT23-3
* This pin must be leftfloating
or conn e cte d to pin 2
2/7
TS821
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
I
k
Reverse Breakdown Current 20 mA
I
f
Forward Current 10 mA
P
d
Power Dissipation SOT23-3
TO92
360 625
mW
T
oper
Operating Free Air Temperature Range -40 to+85
o
C
T
stg
Storage Temperature -65 to +150
o
C
OPERATINGCONDITIONS
Symbol Parameter Value Unit
I
rmin
Minimum OperatingCurrent 45
µA
I
rmax
Maximum Operating Current 12 mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TS821 (2% Precision)
T
amb
=25oC (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Unit
V
k
Reverse Breakdown Voltage
I
k
= 100µA@T
amb
=25oC
1.200 1.225 1.250 V
Reverse Breakdown Voltage Tolerance
I
k
= 100µA@T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
-25
-36
+25 +36
mV
I
kmin
Minimum Operating Current T
amb
=25oC4045
µA
-40
o
C<T
amb
< +85oC50
µA
V
ref
/T
Average Temperature Coeffi­cient
IK= 100µA
150 ppm/
o
C
V
k
/I
k
Reverse Breakdown Voltage Change with Operating Current Change
I
kmin<Ik
< 1mA @ T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
0.3 0.7 1
mV
1mA < I
k
< 12mA @ T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
2.5 5 7
mV
R
ka
Static Impedance
I
k
=45µA to 1mA
0.25 0.5
K
vh
Long Term Stability
I
K
= 100µA, t = 1000hrs
T
amb
=25oC
120 ppm
en Wideband Noise
I
K
= 100µA
10Hz <f < 10kHz
200
nV Hz
Note : Pdhas been calculatedwith T
amb
=25oC andTj= 125oC and
R
thja
= 200oC/W for TO92 package
R
thja
= 340oC/W for SOT23 package
TS821
3/7
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TS821B (0.5% Precision)
T
amb
=25oC (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Unit
V
k
Reverse Breakdown Voltage
I
k
= 100µA@T
amb
=25oC
1.219 1.225 1.231 V
Reverse Breakdown Voltage Tolerance
I
k
= 100µA@T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
-6
-14
+6
+14
mV
I
kmin
Minimum Operating Current T
amb
=25oC4045
µA
-40
o
C<T
amb
< +85oC50
µA
Vref/∆T
Average Temperature Coeffi­cient
I
K
= 100µA
120 ppm/
o
C
V
k
/I
k
Reverse Breakdown Voltage Change with Operating Current Change
I
kmin<Ik
< 1mA @ T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
0.3 0.7 1
mV
1mA < I
k
< 12mA @ T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
2.5 5 7
mV
R
ka
Static Impedance
I
k
=45µA to 1mA
0.25 0.5
K
vh
Long Term Stability
I
K=
100µA, t = 1000hrs
T
amb
=25oC
120 ppm
en Wideband Noise
I
K
= 100µA
10Hz <f < 10kHz
200 nV/ Hz
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TS821A (1% Precision)
T
amb
=25oC (unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Unit
V
k
Reverse Breakdown Voltage
I
k
= 100µA@T
amb
=25oC
1.213 1.225 1.237 V
Reverse Breakdown Voltage Tolerance
I
k
= 100µA@T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
-12
-24
+12 +24
mV
I
kmin
Minimum Operating Current T
amb
=25oC4045
µA
-40
o
C<T
amb
< +85oC50
µA
V
ref
/T
Average Temperature Coeffi­cient
IK= 100µA
150 ppm/
o
C
V
k
/I
k
Reverse Breakdown Voltage Change with Operating Current Change
I
kmin<Ik
< 1mA @ T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
0.3 0.7 1
mV
1mA < I
k
< 12mA @ T
amb
=25oC
-40
o
C<T
amb
< +85oC
2.5 5 7
mV
R
ka
Static Impedance
I
k
=45µA to 1mA
0.25 0.5
K
vh
Long Term Stability
I
K=
100µΑ, t = 1000hrs
T
amb
=25oC
120 ppm/kHr
en Wideband Noise
I
K
= 100µA
10Hz <f < 10kHz
200 nV/ Hz
Loading...
+ 4 hidden pages