NTE NTE5586 Datasheet

NTE5586 & NTE5588

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V

NTE5586 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5588 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, V

NTE5586 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5588 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V

NTE5586 700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5588 1700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Average On–State Current (Half Sine Wave, T
RMS On–State Current, I

(RMS)

Continuous On–State Current, I
Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), I

60% V

reapplied 4650A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

RRM

VR ≤ 10V 5120A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum I

2

t for Fusing (VR ≤ 10V), I2t
10ms Duration 131,000A
10ms Duration 97350A

Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V
Peak Reverse Gate Voltage, V
Average Gate Power, P

G

Peak Gate Power (100µs Pulse Width), P
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V
Rate of Rise of ON–State Current, di/dt

(Gate Drive 20V, 20Ω, with t

Repetitive 500A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Non–Repetitive 1000A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Peak On–State Voltage (I

TM

Forward Conduction Threshold Voltage, V

Forward Conduction Slope Resistance, r 0.99mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Repetitive Peak Off–State Current (At V
Repetitive Peak Reverse Current (At V
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (V
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (V
Maximum Holding (V

= 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), I

A

Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V

& V

DRM

RRM

T

RGM

≤ 1µs, Anode Voltage ≤ 80% V

r

= 710A), V

TM

DRM

RRM

DSM

GM

O

), I

RSM

= +85°C), I

C

, Gate Open), dv/dt 200V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . .

DRM

), I

DRM

RRM

H

T(AV)

TSM

FGM

FGM

)

DRM

= 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), I

A

= 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), V

A

GD

GT

GT

226A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

355A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

355A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2

sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2

sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

20A. . . . . . . . . . . . . . .

18V. . . . . . . . . . . . . .

5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

100W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.62V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

0.92V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

150mA. .

3V. . . . .

600mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

0.25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrical Characteristics (Cont’d): (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Operating Temperature Range, T

Storage Temperature Range, T

C

stg

Thermal Resistance, Junction–to–Case (VF = Max Rating), R

tnJC

–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

–40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DC and 180° Sine wave 0.12°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

120° Rectangular wave 0.14°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Thermal Resistance, Case–to–Heat Sink, R

thC–HS

1.443 (36.68) Max
(Across Corners)

1.031 (26.18) Dia
(Ceramic)

.643 (16.35)

0.04°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Cathode

Cath-

ode

(Red)

1.212 (30.8)
Dia Max

.156 (3.96) Max

For No. 6 ScrewFor No. 6 Screw

.350 (8.89)

Dia Max

Gate

(White)

8.100

(205.74)

Max

(Terminals

1, 2, & 3)

3.625

(92.07)

Max

.630 (16.0)

1.077 (27.35) Max

3/4–16 UNF–2A
(Terminal 4)

Anode