NTE NTE5578, NTE5576 Datasheet

NTE5576 & NTE5578

Silicon Controlled Rectifier

Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V

NTE5576 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5578 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, V

NTE5576 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5578 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V

NTE5576 700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

NTE5578 1700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Average On–State Current (Half Sine Wave, TC = +90°C), I
RMS On–State Current, I

(RMS)

Continuous On–State Current, I
Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), I

60% V

reapplied 2450A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

RRM

VR ≤ 10V 2695A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Maximum I2t for Fusing (VR ≤ 10V), I2t

10ms Duration 36300A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

10ms Duration 27000A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V
Peak Reverse Gate Voltage, V
Average Gate Power, P

G

Peak Gate Power (100µs Pulse Width), P
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V
Rate of Rise of ON–State Current, di/dt

(Gate Drive 20V, 20Ω, with tr ≤ 1µs, Anode Voltage ≤ 80% V

Repetitive 500A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Non–Repetitive 1000A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DRM

& V

T

RGM

RRM

DSM

GM

RSM

T(AV)

TSM

, Gate Open), dv/dt 200V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . .

DRM

)

DRM

FGM

FGM

110A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

175A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

175A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

19A. . . . . . . . . . . . . .

18V. . . . . . . . . . . . . .

5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

100W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Peak On–State Voltage (ITM = 377A), V

Forward Conduction Threshold Voltage, V

TM

O

Forward Conduction Slope Resistance, r 1.79mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Repetitive Peak Off–State Current (At V
Repetitive Peak Reverse Current (At V
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), I
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), V
Maximum Holding (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), I
Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V

DRM

RRM

), I

), I

DRM

RRM

GT

GT

H

GD

1.57V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

0.9V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

20mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

150mA. .

3V. . . . .

600mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

0.25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrical Characteristics (Cont’d): (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Operating Temperature Range, T

Storage Temperature Range, T

C

stg

Thermal Resistance, Junction–to–Case (V

= Max Rating), R

F

tnJC

–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

–40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

DC and 180° Sine wave 0.23°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

120° Rectangular wave 0.28°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Thermal Resistance, Case–to–Heat Sink, R

thC–HS

1.227 (31.18) Max
(Across Corners)

.875 (22.22) Dia
(Ceramic)

For No. 6 Screw

0.08°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

7.500

(190.5)

Max

(Terminals 1 & 2)

1.031 (26.18)
Dia Max

Seating Plane

Cathode

Cathode

(Red)

.827

(27.0)

Max

.280 (7.11)

Dia Max

Gate

(White)

6.260

(159.0)

Max

(Terminal 3)

2.500
(63.5)

Max

.500 (12.7) Max)

1/2–20 UNF

Anode