NTE NTE5571, NTE5569, NTE5567, NTE5568 Datasheet
NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
for Phase Control Applications
Features:
D High Current Rating
D Excellent Dynamic Characteristics
D Superior Surge Capabilities
D Standard Package
Voltage Ratings and Electrical Characteristics: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage (Note 1), V
NTE5567 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569 1200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Non–Repetitive Peak Voltage (Note 2), V
RSM
NTE5567 300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568 700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569 1300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Reverse and Off–State Current, I
DRM
, I
RRM
Maximum Average On–State Current (180° Sinusoidal Conduction), I
NTE5567, NTE5568, NTE5569 (TC = +94°C) 50A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 (TC = +90°C) 50A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS On–State Current, I
T(RMS)
Maximum Peak One–Cycle Non–Repetitive Surge Current (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1430A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1200A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(100% V
Reapplied)
RRM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1200A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1010A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum I2t for Fusing (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I2t
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 10.18KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 7.21KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(100% V
Reapplied)
RRM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 7.20KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 5.10KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
, V
DRM
T(RMS)
RRM
15mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
80A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
TSM
Voltage Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d): (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum I
2
√t for Fusing (t = 0.1 to 10ms, No Voltage Reapplied), I2√t
NTE5567, NTE5568, NTE5569 101.8KA
2
NTE5571 72.1KA2√s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x π x I
< I < π x I
T(AV)
T(AV)
), V
T(TO)1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 0.94V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1.02V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Level Value of Threshold Voltage (π x I
< I < 20 x π x I
T(AV)
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1.08V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1.17V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Low Level Value of On–State Slope Resistance (16.7% x π x I
< I < π x I
T(AV)
T(AV)
), r
t1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 4.08mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 4.78mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Level Value of On–State Slope Resistance (π x I
< I < 20 x π x I
T(AV)
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 3.34mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 3.97mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum On–State Voltage (Ipk = 157A, TJ = +25°C), V
TM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1.60V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1.78V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Holding Current (TJ = +25°C, Anode Supply 22V, Resistive Load, Initial IT = 2A), I
Latching Current (Anode Supply 6V, Resistive Load), I
L
200mA.
H
400mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Rate of Rise of Turned–On Current, di/dt
(VDM = Ra ted V
, Gate Pulse = 20V, 15Ω, tp = 6µs, tr = 0.1µs ax., ITM = (2x Rated di/dt) A)
DRM
NTE5567, NTE5568 200A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569, NTE5571 100A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Delay Time, t
d
(TC = +25°C, VDM = Ra ted V
Typical Turn–Off Time, t
q
, DC Resistive Circuit, Gate Pulse = 10V, 15Ω Source, tp = 20µs)
DRM
0.9µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
110µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +125°C, ITM = 50A, Reapplied dv/dt = 20Vµs, dir/dt = –10A/µs, VR = 50V)
Maximum Critical Rate of Rise of Off–State Voltage, dv/dt
(Linear to 100% rated V
(Linear to 67% rated V
Maximum Peak Gate Power (tp ≤ 5ms), P
Maximum Average Gate Power, P
Maximum Peak Positive Gate Current, I
Maximum Peak Positive Gate Voltage, +V
Maximum Peak Negative Gate Voltage, –V
DC Gate Current Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied), I
DC Gate Voltage Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied, TJ = +25°C), V
DC Gate Current Not to Trigger (Rated V
DC Gate Voltage Not to Trigger (Rated V
Operating Junction Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
) 200V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DRM
) 500V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DRM
G(AV)
GM
GM
GM
GM
GT
Anode–to–Cathode Applied), I
stg
DRM
Anode–to–Cathode Applied), V
DRM
J
GD
GD
10W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.5W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.5A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50mA. . . . . . . . . . . . . .
GT
2.5V. . .
5.0mA. . . . . . . . . .
0.2V. . . . . . . . . .
–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance
Junction–to–Case (DC Operation), R
thJC
Case–to–Heatsink (Mounting Surface Smooth, Flat, and Greased), R
thCS
0.35K/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.25K/W. . . . . . .
Mounting Torque (Non–Lubricated Threads), T 25 – 30 (2.8 – 3.4) lbf–in (Nm). . . . . . . . . . . . . . . . . .
√s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Units may be broken over non–repetitively in the off–state direction without damage, if di/dt
does not exceed 20A/µs.
Note 2. For voltage pulses with tp ≤ 5ms.
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