NEC Electronics Inc MC-4532CD646EF-A10, MC-4532CD646EF-A80, MC-4532CD646PF-A10, MC-4532CD646PF-A80 Datasheet

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4532CD646

32M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-4532CD646 is a 33,554,432 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 16 pieces of 128M SDRAM: μPD45128841 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

∙33,554,432 words by 64 bits organization

∙Clock frequency and access time from CLK

	Part number	/CAS latency	Clock frequency	Access time from CLK
			(MAX.)	(MAX.)
	MC-4532CD646EF-A80	CL = 3	125 MHz	6 ns
		CL = 2	100 MHz	6 ns
	MC-4532CD646EF-A10	CL = 3	100 MHz	6 ns
		CL = 2	77 MHz	7 ns
	MC-4532CD646PF-A80	CL = 3	125 MHz	6 ns
		CL = 2	100 MHz	6 ns
	MC-4532CD646PF-A10	CL = 3	100 MHz	6 ns
		CL = 2	77 MHz	7 ns

∙Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

∙Pulsed interface

∙Possible to assert random column address in every cycle

∙Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

∙Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)

∙Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

∙Programmable /CAS latency (2, 3)

∙Automatic precharge and controlled precharge

∙CBR (Auto) refresh and self refresh

∙All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

∙Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

∙LVTTL compatible

∙4,096 refresh cycles/64 ms

∙Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

∙168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

∙Unbuffered type

∙Serial PD

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability and additional information.

Document No. M13681EJ4V0DS00 (4th edition) Date Published January 2000 NS CP(K) Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

© 1998

				MC-4532CD646
	Ordering Information
	Part number	Clock frequency	Package	Mounted devices
		MHz (MAX.)
	MC-4532CD646EF-A80	125 MHz	168-pin Dual In-line Memory Module	16 pieces of μPD45128841G5 (Rev. E)
	MC-4532CD646EF-A10	100 MHz	(Socket Type)	(10.16 mm (400) TSOP (II))
	MC-4532CD646PF-A80	125 MHz	Edge connector : Gold plated	16 pieces of μPD45128841G5 (Rev. P)
	MC-4532CD646PF-A10	100 MHz	34.93 mm height	(10.16 mm (400) TSOP (II))

2	Data Sheet M13681EJ4V0DS00

MC-4532CD646

Pin Configuration

168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)

/xxx indicates active low signal.

85	VSS	VSS	1
86	DQ32	DQ0	2
87	DQ33	DQ1	3
88	DQ34	DQ2	4
89	DQ35	DQ3	5
90	Vcc	Vcc	6
91	DQ36	DQ4	7
92	DQ37	DQ5	8
93	DQ38	DQ6	9
94	DQ39	DQ7	10
95	DQ40	DQ8	11
96	VSS	VSS	12
97	DQ41	DQ9	13
98	DQ42	DQ10	14
99	DQ43	DQ11	15
100	DQ44	DQ12	16
101	DQ45	DQ13	17
102	Vcc	Vcc	18
103	DQ46	DQ14	19
104	DQ47	DQ15	20
105	NC	NC	21
106	NC	NC	22
107	VSS	VSS	23
108	NC	NC	24
109	NC	NC	25
110	Vcc	Vcc	26
111	/CAS	/WE	27
112	DQMB4	DQMB0	28
113	DQMB5	DQMB1	29
114	/CS1	/CS0	30
115	/RAS	NC	31
116	VSS	VSS	32
117	A1	A0	33
118	A3	A2	34
119	A5	A4	35
120	A7	A6	36
121	A9	A8	37
122	BA0 (A13)	A10	38
123	A11	BA1 (A12)	39
124	Vcc	Vcc	40
125	CLK1	Vcc	41
126	NC	CLK0	42
127	VSS	VSS	43
128	CKE0	NC	44
129	/CS3	/CS2	45
130	DQMB6	DQMB2	46
131	DQMB7	DQMB3	47
132	NC	NC	48
133	Vcc	Vcc	49
134	NC	NC	50
135	NC	NC	51
136	NC	NC	52
137	NC	NC	53
138	VSS	VSS	54
139	DQ48	DQ16	55
140	DQ49	DQ17	56
141	DQ50	DQ18	57
142	DQ51	DQ19	58
143	Vcc	Vcc	59
144	DQ52	DQ20	60
145	NC	NC	61
146	NC	NC	62
147	NC	CKE1	63
148	VSS	VSS	64
149	DQ53	DQ21	65
150	DQ54	DQ22	66
151	DQ55	DQ23	67
152	VSS	VSS	68
153	DQ56	DQ24	69
154	DQ57	DQ25	70
155	DQ58	DQ26	71
156	DQ59	DQ27	72
157	Vcc	Vcc	73
158	DQ60	DQ28	74
159	DQ61	DQ29	75
160	DQ62	DQ30	76
161	DQ63	DQ31	77
162	VSS	VSS	78
163	CLK3	CLK2	79
164	NC	NC	80
165	SA0	WP	81
166	SA1	SDA	82
167	SA2	SCL	83
168	Vcc	Vcc	84

A0 - A11 : Address Inputs

[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]

BA0 (A13), BA1 (A12)

	: SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63	: Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3	: Clock Input
CKE0, CKE1	: Clock Enable Input
/CS0 - /CS3	: Chip Select Input
/RAS	: Row Address Strobe
/CAS	: Column Address Strobe
/WE	: Write Enable
DQMB0 - DQMB7	: DQ Mask Enable
SA0 - SA2	: Address Input for EEPROM
SDA	: Serial Data I/O for PD
SCL	: Clock Input for PD
VCC	: Power Supply
VSS	: Ground
WP	: Write Protect
NC	: No Connection

Data Sheet M13681EJ4V0DS00

3

MC-4532CD646

Block Diagram

/WE
/CS0				/CS1
DQMB0
DQ 0	DQ 7 DQM /CS		/WE	DQ 0 DQM /CS /WE
DQ 1	DQ 6			DQ 1
DQ 2	DQ 5			DQ 2
DQ 3	DQ 4	D0		DQ 3	D8
DQ 4	DQ 3			DQ 4
DQ 5	DQ 2			DQ 5
DQ 6	DQ 1			DQ 6
DQ 7	DQ 0			DQ 7

DQMB1

	DQ 8	DQ 7 DQM /CS /WE
	DQ 9	DQ 6
	DQ 10	DQ 5
	DQ 11	DQ 4	D1
	DQ 12	DQ 3
	DQ 13	DQ 2
	DQ 14	DQ 1
	DQ 15	DQ 0

DQMB4

	DQ 0 DQM /CS /WE
	DQ 1
	DQ 2
	DQ 3	D9
	DQ 4
	DQ 5
	DQ 6
	DQ 7

DQ 32	DQ 4 DQM		/CS	/WE	DQ 3 DQM		/CS	/WE
DQ 33	DQ 7				DQ 0
DQ 34	DQ 6				DQ 1
DQ 35	DQ 5	D4			DQ 2	D12
DQ 36	DQ 3				DQ 4
DQ 37	DQ 2				DQ 5
DQ 38	DQ 1				DQ 6
DQ 39	DQ 0				DQ 7
DQMB5
DQ 40	DQ 5 DQM		/CS	/WE	DQ 2 DQM		/CS	/WE
DQ 41	DQ 7				DQ 0
DQ 42	DQ 6				DQ 1
DQ 43	DQ 4	D5			DQ 3	D13
DQ 44	DQ 3				DQ 4
DQ 45	DQ 2				DQ 5
DQ 46	DQ 1				DQ 6
DQ 47	DQ 0				DQ 7

/CS2

DQMB2

DQ 16 DQ 17 DQ 18 DQ 19 DQ 20 DQ 21 DQ 22 DQ 23

DQMB3

DQ 24 DQ 25 DQ 26 DQ 27 DQ 28 DQ 29 DQ 30 DQ 31

DQMB6

/CS3

DQ 7 DQM	/CS		/WE			DQ 0 DQM		/CS		/WE
DQ 6						DQ 1
DQ 5						DQ 2
DQ 4	D2					DQ 3	D10
DQ 3						DQ 4
DQ 2						DQ 5
DQ 1						DQ 6
DQ 0						DQ 7
DQ 4 DQM	/CS		/WE			DQ 3 DQM		/CS		/WE
DQ 7						DQ 0
DQ 6						DQ 1
DQ 5	D3					DQ 2	D11
DQ 3						DQ 4
DQ 2						DQ 5
DQ 1						DQ 6
DQ 0						DQ 7

DQ 48	DQ 7DQM	/CS	/WE
DQ 49	DQ 6
DQ 50	DQ 5
DQ 51	DQ 4	D6
DQ 52	DQ 3
DQ 53	DQ 2
DQ 54	DQ 1
DQ 55	DQ 0
DQMB7
DQ 56	DQ 7 DQM	/CS	/WE
DQ 57	DQ 6
DQ 58	DQ 5
DQ 59	DQ 4	D7
DQ 60	DQ 3
DQ 61	DQ 2
DQ 62	DQ 1
DQ 63	DQ 0

	DQ 0 DQM		/CS		/WE
	DQ 1
	DQ 2
	DQ 3	D14
	DQ 4
	DQ 5
	DQ 6
	DQ 7
	DQ 0 DQM		/CS		/WE
	DQ 1
	DQ 2

	DQ 3	D15
	DQ 4
	DQ 5
	DQ 6
	DQ 7

	SERIAL PD				CLK0	CLK: D0, D1, D4, D5	CLK2	CLK: D2, D3, D6, D7
				SDA		3.3 pF		3.3 pF
	SCL			WP
	A0	A1	A2
				47 kΩ	CLK1	CLK: D8, D9, D12, D13	CLK3	CLK: D10, D11, D14, D15
	SA0	SA1	SA2			3.3 pF		3.3 pF
	A0 - A11			A0 - A11: D0 - D15	/RAS	/RAS: D0 - D15		10 kΩ
	BA0, BA1			A13, A12: D0 - D15			CKE1	CKE: D8-D15
					/CAS	/CAS: D0 - D15
	VCC			D0 - D15
	VSS	C			CKE0	CKE: D0 - D7
				D0 - D15

Remarks 1. The value of all resistors is 10 Ω except CKE1 and WP.

2. D0 - D15: μPD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)

4	Data Sheet M13681EJ4V0DS00

MC-4532CD646

Electrical Specifications

∙All voltages are referenced to VSS (GND).

∙After power up, wait more than 100 μs and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper device operation is achieved.

Absolute Maximum Ratings

Parameter	Symbol	Condition	Rating	Unit
Voltage on power supply pin relative to GND	VCC		–0.5 to +4.6	V
Voltage on input pin relative to GND	VT		–0.5 to +4.6	V
Short circuit output current	IO		50	mA
Power dissipation	PD		16	W
Operating ambient temperature	TA		0 to +70	°C
Storage temperature	Tstg		–55 to +125	°C

Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability.

Recommended Operating Conditions

Parameter	Symbol	Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
Supply voltage	VCC		3.0	3.3	3.6	V
High level input voltage	VIH		2.0		VCC + 0.3	V
Low level input voltage	VIL		−0.3		+0.8	V
Operating ambient temperature	TA		0		70	°C

Capacitance (TA = 25 °C, f = 1 MHz)

Parameter	Symbol	Test condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
Input capacitance	CI1	A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),	58		94	pF
		/RAS, /CAS, /WE
	CI2	CLK0 - CLK3	24		40
	CI3	CKE0, CKE1	32		52
	CI4	/CS0 - /CS3	17		29
	CI5	DQMB0 - DQMB7	10		17
Data input/output capacitance	CI/O	DQ0 - DQ63	11		19	pF

Data Sheet M13681EJ4V0DS00

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